今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)可控硅的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

一、可控硅和MOS有什么區(qū)別

（一）功能差異

可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，可以實(shí)現(xiàn)電流和電壓的控制。它具有一個(gè)控制極（G）、一個(gè)負(fù)極（K）和一個(gè)正極（A）?？煽毓柙趯?dǎo)通狀態(tài)下能夠通過(guò)電流來(lái)控制，只有當(dāng)控制極施加正向電流時(shí)，才能夠使得正極和負(fù)極之間形成一個(gè)導(dǎo)通路徑。一旦正向電流被斷開(kāi)，可控硅立即進(jìn)入阻斷狀態(tài)，不再導(dǎo)通電流。

而MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種基于半導(dǎo)體材料和場(chǎng)效應(yīng)原理的數(shù)字電子開(kāi)關(guān)。它由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）和互補(bǔ)介質(zhì)氧化層（OX）組成。MOS管可以通過(guò)柵極電壓的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和截?cái)酄顟B(tài)的切換。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)通通道，電流可以從源極流向漏極；當(dāng)柵極施加負(fù)向電壓時(shí)，通道被封閉，電流無(wú)法通過(guò)。

（二）工作原理差異

可控硅的工作原理基于PN結(jié)組成的四層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在正向電流注入時(shí)會(huì)形成一種相互注入的狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。同時(shí)，可控硅也需要一個(gè)觸發(fā)電壓來(lái)將其從阻斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。觸發(fā)電壓可以是正向電壓脈沖、連續(xù)正向電壓或施加在G極的觸發(fā)脈沖。

MOS管的工作原理基于柵極電壓的變化，其柵極與互補(bǔ)介質(zhì)氧化層（OX）之間的電容可以通過(guò)施加不同的電壓來(lái)進(jìn)行控制。當(dāng)柵極電壓高于臨界電壓時(shí)，導(dǎo)通通道形成，將電流從源極引導(dǎo)到漏極。而當(dāng)柵極電壓低于臨界電壓時(shí)，導(dǎo)通通道關(guān)閉，電流無(wú)法通過(guò)。

二、可控硅為什么會(huì)被擊穿

1、過(guò)壓擊穿過(guò)壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的，因此實(shí)際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無(wú)規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請(qǐng)檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。

2、過(guò)熱擊穿

這里所說(shuō)的過(guò)熱擊穿是指在工作電流并不超過(guò)可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過(guò)高導(dǎo)致?lián)舸?。?duì)于采用水冷方式工作的，主要檢查進(jìn)水溫度是否過(guò)高，流量是否充足；對(duì)于采用風(fēng)冷方式工作的，應(yīng)檢查風(fēng)扇的轉(zhuǎn)數(shù)是否正常，還有環(huán)境溫度也不能太高等，但無(wú)論是風(fēng)冷的還是水冷的，如果你在更換可控硅時(shí)只是更換了芯片的話，安裝時(shí)要注意芯片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸，接觸面要平整，不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入，還要保證有足夠且均勻的壓力，特別是對(duì)水冷的可控硅，三個(gè)螺栓的拉力一定要均勻，并且還要經(jīng)常檢查和清理水垢，水垢太多也會(huì)影響散熱效果導(dǎo)致過(guò)熱擊穿的。另外如果多次更換芯片也會(huì)導(dǎo)致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果，如果您的機(jī)器上的某只可控硅經(jīng)常擊穿又找不到其他原因的話，就應(yīng)該考慮在更換可控硅時(shí)連同散熱器一齊更換。

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