臺積電在美國舉辦的北美技術(shù)論壇2025上，正式公布了全新的14A 1.4nm級工藝，預(yù)計(jì)2028年上半年量產(chǎn)，從命名到技術(shù)直接對標(biāo)Intel 14A，后者同樣號稱1.4nm級工藝。

臺積電稱，A14是全新升級的一代工藝節(jié)點(diǎn)(非過渡型)，對比N2 2nm級工藝，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，邏輯晶體管密度提升最多約23％，芯片密度提升最多約20％。

技術(shù)方面，臺積電A14升級第二代GAAFET全環(huán)繞納米片晶體管，以及新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)NanoFlex Pro，后者可以在設(shè)計(jì)芯片的時候，針對特定的應(yīng)用或負(fù)載，精細(xì)調(diào)整晶體管配置，以達(dá)成更優(yōu)的性能、功耗和面積(PPA)。

臺積電A14同時還有新的IP、優(yōu)化、EDA設(shè)計(jì)軟件，這些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的。

遺憾的是，臺積電A14首發(fā)的時候沒有Super Power Rail(SPR)背部供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)，這一點(diǎn)和自家的A16、Intel A18/A14截然不同，倒是和自己的N2、N2P一樣。

不過，臺積電承諾會在2029年推出A14工藝的升級版，加入背部供電，性能更好，但成本也會有所增加。

升級版A14暫時沒有名字，可能會叫做A14P。

后期還有可能會演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。

臺積電的A16、N2P工藝預(yù)計(jì)2026年下半年量產(chǎn)。

Intel代工在去年2月份成立的時候，宣布了自己的A14 1.4nm級工藝，業(yè)界首次采用全新的High NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)2026年左右推出，屆時又是棋逢對手。