5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出兩項新的3D X-DRAM單元設計——1T1C和3T0C，有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。

這兩種設計分別采用單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構，預計將于2026年生產(chǎn)概念驗證測試芯片，并將提供比當前普通DRAM模塊10倍的容量。

基于NEO的3D X-DRAM技術，新設計的內(nèi)存單元能夠在單一模塊上容納512Gb(64GB)的容量，這比目前市面上任何模塊至少多出10倍。

在NEO的測試模擬中，這些單元的讀寫速度達到10納秒，保留時間超過9分鐘，這兩項性能指標均處于當前DRAM能力的前沿。

新設計采用了基于氧化銦鎵鋅(IGZO)的材料，1T1C和3T0C單元可以像3D NAND一樣構建，采用堆疊設計，從而提高容量和吞吐量，同時保持節(jié)能狀態(tài)。

NEO Semiconductor的首席執(zhí)行官Andy Hsu表示：“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正在重新定義內(nèi)存技術的可能性。這項創(chuàng)新突破了當今DRAM的擴展限制，使NEO成為下一代內(nèi)存的領導者。”

NEO Semiconductor計劃在本月的IEEE國際存儲器研討會上分享更多關于1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產(chǎn)品的信息。