在開關(guān)電源、模塊電源等電力電子設(shè)備中，輸入浪涌電流是影響系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵因素。當(dāng)電源啟動(dòng)時(shí)，輸入濾波電容的瞬間充電會(huì)產(chǎn)生幅值可達(dá)穩(wěn)態(tài)電流數(shù)十倍的浪涌電流，可能引發(fā)整流橋損壞、保險(xiǎn)絲熔斷、PCB走線燒蝕及傳導(dǎo)電磁干擾（EMI）超標(biāo)等問題。本文結(jié)合工程實(shí)踐，系統(tǒng)闡述浪涌電流的測(cè)試方法與NTC熱敏電阻抑制方案。

一、浪涌電流測(cè)試方法

浪涌電流的測(cè)試需精準(zhǔn)捕捉啟動(dòng)瞬間的電流波形，常用方法包括示波器法與電阻法：

示波器法：通過電流探頭連接電源輸入線，設(shè)置示波器為單次觸發(fā)模式，時(shí)間軸覆蓋啟動(dòng)瞬間（通常10-100ms）。某通信電源測(cè)試案例顯示，在220V交流輸入下，未抑制時(shí)浪涌電流峰值達(dá)85A，持續(xù)時(shí)間約12ms。該方法可直觀觀察波形，但需專業(yè)設(shè)備。

電阻法：在輸入線串聯(lián)0.1Ω-1Ω小電阻，用電壓表測(cè)量壓降并計(jì)算電流。某工業(yè)電源測(cè)試中，采用0.5Ω電阻測(cè)得浪涌電流近似值72A，誤差約15%。此方法成本低，但電阻功耗可能影響電源性能。

測(cè)試時(shí)需模擬真實(shí)工況：在交流電壓波形的正/負(fù)峰值、過零點(diǎn)分別觸發(fā)，并覆蓋低溫（-20℃）至高溫（60℃）環(huán)境。某醫(yī)療電源測(cè)試表明，低溫下浪涌電流增加30%，需重點(diǎn)驗(yàn)證低溫啟動(dòng)可靠性。

二、NTC熱敏電阻抑制原理

NTC（負(fù)溫度系數(shù)）熱敏電阻通過其阻值隨溫度升高的非線性下降特性實(shí)現(xiàn)浪涌抑制：

冷態(tài)高阻：常溫下NTC阻值較高（如10Ω），可限制電容充電電流。某PC電源案例中，串聯(lián)10Ω NTC后，浪涌電流從85A降至18A，降幅79%。

熱態(tài)低阻：電流通過時(shí)NTC自熱，阻值降至室溫值的1/15（如0.67Ω），正常工作損耗從2W降至0.4W。某服務(wù)器電源測(cè)試顯示，采用NTC后效率提升1.2%，溫升降低8℃。

三、NTC選型與優(yōu)化設(shè)計(jì)

選型需綜合考慮以下參數(shù)：

初始阻值（R25）：根據(jù)電容充電公式

，需確保浪涌電流小于整流橋峰值電流的80%。例如，220V輸入時(shí)，若允許浪涌電流20A，則

（忽略ESR）。

B值（溫度系數(shù)）：B值決定熱態(tài)阻值。某案例選用B=3950K的NTC，在85℃時(shí)阻值從10Ω降至0.6Ω，滿足低功耗要求。

功率容量：需大于穩(wěn)態(tài)功耗的1.5倍。某60W電源選用3W NTC，實(shí)測(cè)溫升穩(wěn)定在45℃以內(nèi)。

優(yōu)化方案包括：

并聯(lián)繼電器：在NTC兩端并聯(lián)繼電器，啟動(dòng)后短路NTC以消除功耗。某充電樁電源采用此方案，效率提升2.3%，但需增加控制電路成本。

混合限流：與固定電阻并聯(lián)，平衡低溫啟動(dòng)與高溫限流。某通信電源測(cè)試顯示，10Ω NTC并聯(lián)1Ω電阻后，-20℃啟動(dòng)電流從12A提升至15A，同時(shí)60℃時(shí)浪涌電流抑制效果保持不變。

四、工程應(yīng)用案例

某48V/100A通信電源改造中，原方案采用10Ω NTC，但低溫啟動(dòng)失敗率達(dá)15%。通過以下優(yōu)化解決問題：

選用B=4200K的NTC，使-20℃時(shí)阻值從25Ω降至18Ω，啟動(dòng)電流提升至18A（滿足器件SOA要求）；

增加溫度傳感器，當(dāng)NTC溫度低于40℃時(shí)禁止重啟，避免熱敏電阻未冷卻導(dǎo)致的限流失效；

優(yōu)化PCB布局，將NTC靠近整流橋以減少線路電阻。

改造后實(shí)測(cè)：低溫啟動(dòng)成功率提升至99.5%，浪涌電流抑制效果達(dá)IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)要求，年故障率從2.3%降至0.1%。

五、結(jié)論

NTC熱敏電阻是電源輸入浪涌抑制的經(jīng)濟(jì)高效方案，但需通過精準(zhǔn)選型與優(yōu)化設(shè)計(jì)平衡限流效果與功耗。結(jié)合示波器測(cè)試與CFD仿真，可實(shí)現(xiàn)從元件級(jí)到系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化。未來隨著GaN器件的普及，高頻化電源對(duì)浪涌抑制的響應(yīng)速度要求將更高，需進(jìn)一步研究NTC與MOSFET、繼電器等器件的復(fù)合控制技術(shù)。