三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內存芯片。這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GBRDIMM服務器內存條或者8GBSO-DIMM筆記本內存條,性能1.6Gbps,功
背景:2008年10月半導體大廠AMD與中東阿布達比先進技術投資公司(ATIC)合作,除接受來自ATIC的7億美元資金,讓經(jīng)營狀況獲得改善外,AMD更將半導體制造部門切割予以獨立,并與ATIC合資成立以晶圓代工為核心業(yè)務的新公司
首季以來,由于大陸提前拉貨,芯片市場供應吃緊頻傳,上游晶圓代工與下游封測一路喊缺,不過重覆下單的疑慮在年后顯然仍未消散,半導體業(yè)界人士指出,由于各家IC設計業(yè)者急著搶產(chǎn)能,隨著第3到第4季需求逐漸走弱,已
雖然已是各種智能卡芯片代工市場老大,但是上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產(chǎn)、轉向專業(yè)代工算起,就確立了通過特色代工工藝吸引戰(zhàn)略
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關二極管陣列MMBD5004BRM,旨在承受DAA調制解調器正極和負極電話線接口和一般離線整流應用中最壞的線瞬變情況。MMBD5004BRM二極管陣列結合了更快的開關速度(trr=50ns)和低結電容
意法半導體推出一款業(yè)界獨創(chuàng)、采用一個感應結構檢測三條正交軸向運動2的3軸數(shù)字陀螺儀L3G4200D。這種創(chuàng)新的設計概念大幅提升運動控制式消費電子應用的控制精度和可靠性,為設備的用戶界面實現(xiàn)前所未有的現(xiàn)場感。 現(xiàn)有
世上恐怕很難再找到一種像SATA標準一樣具有強烈兩面性的接口標準了,這種標準的接口在機箱內部應用場合占據(jù)絕對的主導地位,不過在機箱外部的外設連接場合則很少被人們使用。為此,幾年前SATA聯(lián)盟制訂了一個名為eSAT
李洵穎/臺北 臺積電在日本橫濱舉辦高階制程研討會,該公司新世代22奈米制程技術藍圖首次對外曝光。臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會中指出,臺積電已切入22奈米制程的研發(fā)作業(yè),計劃2012~2013年將可望進入試產(chǎn)
鄭茜文/新竹 首季以來,由于大陸提前拉貨,芯片市場供應吃緊頻傳,上游晶圓代工與下游封測一路喊缺,不過重復下單的疑慮在年后顯然仍未消散,半導體業(yè)界人士指出,由于各家IC設計業(yè)者急著搶產(chǎn)能,隨著第3到第4季需求
臺積電(2330)研發(fā)資深副總蔣尚義表示,,臺積28奈米低功率制程已在一月量產(chǎn);28奈米高速制程將在9月推出;12月則將提供結合高速與低功率制程的28奈米代工服務。
大華投顧認為,IC封測大廠日月光(2311)受惠于整體半導體供應鏈庫存偏低,產(chǎn)能利用率將較去年第四季86%至87%持續(xù)提升,整體營運將呈現(xiàn)淡季不淡,預估單季營收將較上季持平或小幅下滑,優(yōu)于過去五年平均衰退14.08%幅
美國賽靈思(Xilinx)公布了28nm工藝FPGA中采用的核心技術。該公司計劃在28nm工藝FPGA方面,將總功耗較上代產(chǎn)品削減50%,同時將最大集成度增至原來的2倍。為此,該公司組合采用了以下三項技術。第一,基于high-k柵極
安捷倫科技公司(NYSE: A)日前宣布推出 12 GHz 差分晶圓探測解決方案。該細線探針是一個高保真度、寬帶寬解決方案,允許研發(fā)和測試工程師使用示波器對高速有源集成電路進行調試和測試。 N2884A InfiniiMax 差分
佳能在200mm晶圓的整個表面上形成了最小半間距(hp)為45nm的無縫線寬和線間距等的納米壓印用石英模具,并在“nano tech 2010(2月17~19日)”上展出。由于采用了KrF曝光設備,價格低于采用電子束光刻設備制造的普通
雖然已是各種智能卡芯片代工市場老大,但是上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產(chǎn)、轉向專業(yè)代工算起,就確立了通過特色代工工藝吸引戰(zhàn)略