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三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4GbDDR3綠色內(nèi)存芯片

時(shí)間：2010-02-25 13:39:23

關(guān)鍵字：三星 DDR3 內(nèi)存芯片 GB

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[導(dǎo)讀]三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功

三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。

這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35％，能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。

三星指出，目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm1GbDDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達(dá)210W，換成40nm2GbDDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm4GbDDR3會(huì)進(jìn)一步降至僅僅36W，也就是節(jié)能83％之多，相當(dāng)于為每套服務(wù)器系統(tǒng)節(jié)約10％的功耗。

由于單顆芯片容量翻番，4GbDDR3芯片的量產(chǎn)也能大大推動(dòng)單條32GB內(nèi)存條的普及。

三星從去年七月開(kāi)始引入40nm級(jí)別的DDRDRAM生產(chǎn)工藝，并計(jì)劃將該工藝的生產(chǎn)比例逐漸提高到90％以上。

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