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臺(tái)積電28奈米高速制程 9月將推出

臺(tái)積電（2330）研發(fā)資深副總蔣尚義表示，，臺(tái)積28奈米低功率制程已在一月量產(chǎn)；28奈米高速制程將在9月推出；12月則將提供結(jié)合高速與低功率制程的28奈米代工服務(wù)。

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2010-02-25

臺(tái)積電低功率
大華投顧看好日月光第一季營(yíng)運(yùn)

大華投顧認(rèn)為，IC封測(cè)大廠日月光（2311）受惠于整體半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫(kù)存偏低，產(chǎn)能利用率將較去年第四季86%至87%持續(xù)提升，整體營(yíng)運(yùn)將呈現(xiàn)淡季不淡，預(yù)估單季營(yíng)收將較上季持平或小幅下滑，優(yōu)于過(guò)去五年平均衰退14.08%幅

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2010-02-25

通訊供應(yīng)鏈電子 PC
賽靈思公布28nm FPGA核心技術(shù)，生產(chǎn)外包給臺(tái)積電和三星

美國(guó)賽靈思（Xilinx）公布了28nm工藝FPGA中采用的核心技術(shù)。該公司計(jì)劃在28nm工藝FPGA方面，將總功耗較上代產(chǎn)品削減50％，同時(shí)將最大集成度增至原來(lái)的2倍。為此，該公司組合采用了以下三項(xiàng)技術(shù)。第一，基于high-k柵極

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2010-02-25

三星 FPGA 賽靈思臺(tái)積電
安捷倫推出更好信號(hào)完整性的 12 GHz 差分晶圓探測(cè)解決方案

安捷倫科技公司（NYSE: A）日前宣布推出 12 GHz 差分晶圓探測(cè)解決方案。該細(xì)線探針是一個(gè)高保真度、寬帶寬解決方案，允許研發(fā)和測(cè)試工程師使用示波器對(duì)高速有源集成電路進(jìn)行調(diào)試和測(cè)試。 N2884A InfiniiMax 差分

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2010-02-25

安捷倫晶圓信號(hào)完整性 HZ
為降低大面積納米壓印模具價(jià)格，佳能采用KrF二次圖形曝光

佳能在200mm晶圓的整個(gè)表面上形成了最小半間距（hp）為45nm的無(wú)縫線寬和線間距等的納米壓印用石英模具，并在“nano tech 2010（2月17～19日）”上展出。由于采用了KrF曝光設(shè)備，價(jià)格低于采用電子束光刻設(shè)備制造的普通

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2010-02-25

晶圓佳能模具 RF
華虹NEC五大特色工藝贏得多個(gè)熱點(diǎn)市場(chǎng)

雖然已是各種智能卡芯片代工市場(chǎng)老大，但是上海華虹NEC電子有限公司（“華虹NEC”）絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產(chǎn)、轉(zhuǎn)向?qū)I(yè)代工算起，就確立了通過(guò)特色代工工藝吸引戰(zhàn)略

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2010-02-25

華虹嵌入式 NEC BCD
Dialog、臺(tái)積電攜手開發(fā)電源管理芯片用BCD制程

德商Dialog半導(dǎo)體與臺(tái)積電(TSMC)宣布，雙方正密切合作，為行動(dòng)產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程技術(shù)。新的0.25微米高壓制程技術(shù)世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯

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2010-02-25

電源管理芯片 BCD DIALOG 臺(tái)積電
GF、ARM共同定義行動(dòng)技術(shù)平臺(tái)新標(biāo)準(zhǔn)

GLOBALFOUNDRIES與ARM日前于2010 MWC中，公布針對(duì)新一代無(wú)線產(chǎn)品及應(yīng)用開發(fā)的尖端系統(tǒng)單芯片(SoC)平臺(tái)全新細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)。全新的芯片生產(chǎn)制造平臺(tái)預(yù)估將提升40%運(yùn)算效能、減低30%功耗，并在待機(jī)狀態(tài)下增加100%的電池使

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2010-02-25

ARM SoC IP GLOBALFOUNDRIES
快捷以微型封裝克服高效率DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出能夠?qū)崿F(xiàn)更薄、更輕和更緊密電源解決方案的MOSFET系列產(chǎn)品FDMC7570S，持續(xù)提供高效率和出色的熱性能，以因應(yīng)工業(yè)、運(yùn)算和電信系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度的重大挑戰(zhàn)。

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2010-02-25

封裝 DC-DC 微型 C設(shè)計(jì)
GlobalFoundries升高晶圓代工市場(chǎng)供過(guò)于求疑慮？

背景：2008年10月半導(dǎo)體大廠AMD與中東阿布達(dá)比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)合作，除接受來(lái)自ATIC的7億美元資金，讓經(jīng)營(yíng)狀況獲得改善外，AMD更將半導(dǎo)體制造部門切割予以獨(dú)立，并與ATIC合資成立以晶圓代工為核心業(yè)務(wù)的新公司

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2010-02-25

晶圓代工聯(lián)電 IC GLOBALFOUNDRIES
TEST SOCKET 廠商--深圳凱智通

我公司的主要經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目主要分為四大塊：測(cè)試座、燒錄座、BGA返修（BGA測(cè)試/測(cè)試/貼裝）、O/S測(cè)試。 , IC測(cè)試夾具：我們的產(chǎn)品使用壽命長(zhǎng)、測(cè)試精度高。我們已經(jīng)做過(guò)的測(cè)試夾具的種類有：手機(jī)基帶芯片（電源、CUP、字庫(kù)

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2010-02-24

TEST PCBA IC測(cè)試 SOCKET
聯(lián)電28奈米制程待趕上，賽靈思下單臺(tái)積電求功率效率

可編程邏輯組件大廠賽靈思（Xilinx）昨（23）日宣布，將采用臺(tái)積電（2330）高效能（HPL）及三星電子低功耗（LPMZ）等28奈米高介電金屬閘極（High-K Metal-Gate，HKMG）制程，生產(chǎn)下一世代的可編程邏輯門陣列（FPGA）

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2010-02-24

聯(lián)電賽靈思組件臺(tái)積電
日刊：臺(tái)積電將倍增40nm產(chǎn)能營(yíng)收占比提高至20%

日本媒體日刊工業(yè)新聞24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電(2330)計(jì)劃將采用40奈米(nm；包含40nm、45nm)制程的先端半導(dǎo)體產(chǎn)能于2010年Q4(10-12月)倍增至16萬(wàn)片(以12吋晶圓換算)的規(guī)模。報(bào)導(dǎo)指出，2009年Q4臺(tái)積電40n

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2010-02-24

半導(dǎo)體晶圓代工 65NM 臺(tái)積電
晶圓代工將登陸 IC設(shè)計(jì)隔海斗法

搶在今年農(nóng)歷春節(jié)前，政府給了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商一份大禮，那就是經(jīng)濟(jì)部正式宣布有條件開放半導(dǎo)體廠西進(jìn)大陸，晶圓代工廠得以透過(guò)參股或并購(gòu)方式，登陸投資晶圓代工廠，但不開放新設(shè)。至于并購(gòu)或參股大陸晶圓代工廠，將

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2010-02-24

晶圓代工聯(lián)電 IC設(shè)計(jì) 臺(tái)積電
采用D類和H類放大器技術(shù)的音頻子系統(tǒng)(Maxim)

Maxim推出MAX97000/MAX97001*/MAX97002系列單聲道音頻子系統(tǒng)。該系列器件集成了帶限幅器的高效率D類單聲道揚(yáng)聲器放大器、DirectDrive II™ H類立體聲耳機(jī)放大器以及噪聲極低的模擬旁路開關(guān)。Maxim的DirectDrive

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2010-02-24

放大器音頻子系統(tǒng) MAXIM DIRECT

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臺(tái)積電28奈米高速制程 9月將推出

大華投顧看好日月光第一季營(yíng)運(yùn)

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聯(lián)電28奈米制程待趕上，賽靈思下單臺(tái)積電求功率效率

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晶圓代工將登陸 IC設(shè)計(jì)隔海斗法

采用D類和H類放大器技術(shù)的音頻子系統(tǒng)(Maxim)

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