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  • 混合有源電力濾波器的仿真研究

    1 引言 電力電子產品廣泛應用于工業(yè)控制領域，并且用戶對電能質量要求越來越高，其中最為突出的是電壓質量和諧波問題。因此，如何提高電壓質量、治理諧波就成為輸配電技術中最為迫切的問題之一。低成本的無源濾

  • Anritsu發(fā)表全新手持分析儀系列\(zhòng)'E\' model平臺

    Anritsu針對其手持分析儀系列推出創(chuàng)新的新平臺。新的”E” model平臺具備多種整合性功能，為戶外場測人員提供極佳的測試設備，為基站和網路進行架設、維護和解決之工具。新平臺將設計至Anritsu的Site Master, Spectr

    模擬
    2009-09-03
    基站 AN MASTER MODEL

  • LED點陣書寫顯示屏

    一、任務 設計并制作一個基于32×32點陣LED模塊的書寫顯示屏，其系統(tǒng)結構如圖1所示。在控制器的管理下，LED點陣模塊顯示屏工作在人眼不易覺察的掃描微亮和人眼可見的顯示點亮模式下；當光筆觸及LED點陣模塊表面時，

  • 模擬路燈控制系統(tǒng)

    一、任務 設計并制作一套模擬路燈控制系統(tǒng)。控制系統(tǒng)結構如圖1所示，路燈布置如圖2所示。 圖1 路燈控制系統(tǒng)示意圖 圖2 路燈布置示意圖（單位：cm）二、要求 1．基本要求 （1）支路控制器有時鐘功能，能設定、

  • 低頻功率放大器

    一、任務 設計并制作一個低頻功率放大器，要求末級功放管采用分立的大功率MOS晶體管。 二、要求 1．基本要求 （1）當輸入正弦信號電壓有效值為5mV時，在8Ω電阻負載（一端接地）上，輸出功率≥5W，輸出波形無明顯

  • 數字幅頻均衡功率放大器

    一、任務 設計并制作一個數字幅頻均衡功率放大器。該放大器包括前置放大、帶阻網絡、數字幅頻均衡和低頻功率放大電路，其組成框圖如圖1所示。 圖1 數字幅頻均衡功率放大器組成框圖二、要求 1．基本要求 （1）前置

  • 寬帶直流放大器

    一、任務 設計并制作一個寬帶直流放大器及所用的直流穩(wěn)壓電源。 二、要求 1．基本要求 （1）電壓增益AV≥40dB，輸入電壓有效值Vi≤20mV。AV可在0～40dB范圍內手動連續(xù)調節(jié)。 （2）最大輸出電壓正弦波有效值Vo≥

  • 傳AMD準備六核處理器Thuban 明年上市

    據悉此款多核芯片產業(yè)名為Thuban，有望于2010年登陸市場，產品將兼容公司AM3價格，并且加入整合雙渠道PC3-10600也就是所謂的DD3內存技術。 據悉，Thuban產品將十分有可能延續(xù)AMD的Phenom2代品牌，因此其中將很有可能

  • 新型密碼-DQ密碼的設計

    基于密碼信息分離的思路和動態(tài)密碼設計一種安全有效的身份認證架構，并且通過圖片處理技術和動態(tài)密碼方案，增大盜取密碼成本，使得盜密者原本一次就能盜取的密碼，平均增加至2—7次，并且需要人工識別才能完成盜密，從而極大增強密碼的安全系數。

    模擬
    2009-09-02
    函數 DM CODE BSP

  • 一種新算法的干擾信號偵測、追蹤與定位系統(tǒng)

    以數學模型為基礎，提出了一種基于STCl2C5410AD系列單片機的求干擾源各項參數的新算法。在復雜電磁環(huán)境下，實現干擾信號偵測、追蹤和定位，并在最短時間內消滅干擾源，與現有同類產品相比可節(jié)約成本90％以上．該系統(tǒng)已得到應用。

  • 利用機器視覺防治草莓苗期雜草的研究

    草莓富含多種營養(yǎng)元素，是一種重要的水果。隨著我國種植結構的調整，草莓種植面積逐年擴大。由于草莓基肥施用量大、需水多，雜草生長茂盛。另外草莓植株低矮，種植密度大，除草困難。據研究，雜草危害可使草莓

  • DS2450 A/D轉換器的特性與應用

    簡介了DS2450 A/D轉換器的主要特性、工作原理、單總線協(xié)議及其設置方法，并具體介紹了DS2450在工程應用中與計算機的接口技術和軟件編制特點。

  • 聲音導引系統(tǒng)

    一、任務設計并制作一聲音導引系統(tǒng)，示意圖如圖1所示。 圖中，AB與AC垂直，Ox是AB的中垂線，O'y是AC的中垂線，W是Ox和O'y的交點。 聲音導引系統(tǒng)有一個可移動聲源S，三個聲音接收器A、B和C，聲音接收器之間可以有線

  • 特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉入28nm

    新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉入28nm。特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低

    模擬
    2009-09-02
    半導體 IBM ST FIR

  • 新加坡特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年28nm

    據悉，新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉入28nm。特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40n

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