通過(guò)聲傳感器陣列可實(shí)現(xiàn)對(duì)聲源的自適應(yīng)檢測(cè)定位及跟蹤,這使得它在目標(biāo)探測(cè)、故障診斷等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。在復(fù)雜環(huán)境中,常規(guī)的相關(guān)方法對(duì)于聲源的定位往往難以得到準(zhǔn)確的定位結(jié)果。針對(duì)常規(guī)時(shí)差測(cè)向定位抗干擾性能差和易受噪聲影響,特別是噪聲存在顯著的尖峰時(shí)更不能得到滿意結(jié)果的問(wèn)題,本文提出基于盲分離的定位算法改進(jìn)其性能。通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn),可以看到本文提出的定位方法能夠取得更穩(wěn)定、準(zhǔn)確的結(jié)果。
根據(jù)《可再生能源中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》,對(duì)我國(guó)風(fēng)電產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀以及未來(lái)的發(fā)展,做了分析和預(yù)測(cè)。
針對(duì)光伏并網(wǎng)逆變器戶外安裝既要解決防水問(wèn)題,又要滿足產(chǎn)品熱設(shè)計(jì)的要求,特別設(shè)計(jì)了上、下雙層獨(dú)立密封及轉(zhuǎn)90度風(fēng)道的特殊結(jié)構(gòu);將弱電控制電路與強(qiáng)電主電路相互隔離,對(duì)發(fā)熱器件采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方式解決散熱問(wèn)題。目前,這種結(jié)構(gòu)方式已獲得成功應(yīng)用。
從運(yùn)行維護(hù)的角度出發(fā),探討了變電站直流系統(tǒng)設(shè)計(jì)中系統(tǒng)接線的選擇、蓄電池的選用、放電回路的設(shè)置、饋線方式的設(shè)計(jì)等問(wèn)題,闡述了直流系統(tǒng)驗(yàn)收中的總體原則和蓄電池、充電機(jī)、饋線屏、饋線網(wǎng)絡(luò)等部件驗(yàn)收的關(guān)鍵點(diǎn),以及直流運(yùn)行維護(hù)中蓄電池核對(duì)性充放電、均衡充電、運(yùn)行中蓄電池的不一致性、直流系統(tǒng)定期檢測(cè)等重要項(xiàng)目和方法。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃~+125℃的溫度范圍內(nèi),新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃,容差低至±0.02%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的薄膜 --- 在+70℃下經(jīng)過(guò)1萬(wàn)小時(shí)
Gartner的分析師Bob Johnson認(rèn)為,在晶圓代工領(lǐng)域,也許Globalfoundries (GF)目前在產(chǎn)量上并非是一等一,但在技術(shù)水準(zhǔn)上肯定名列前矛:“該公司已掌握浸潤(rùn)式微影技術(shù),并很快將開始采用超紫外光(EUV)微影?!倍@兩項(xiàng)
數(shù)碼媒體體驗(yàn)開發(fā)混合信號(hào)集成電路廠商美國(guó)IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TWSE: 2330, NYSE: TSM)6日宣布簽訂制造協(xié)議, IDT公司將其位于美國(guó)奧瑞岡州半
日本將投資42億日?qǐng)A,在經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立MEMS研發(fā)中心,該研發(fā)中心名稱為Japan MEMS Enhancement Consortium(JMEC)。據(jù)了解,日本投資此研發(fā)中心的目標(biāo),與比利時(shí)的IMEC(Interuniversity Microelectronics
安捷倫科技(Agilent)宣佈推出Agilent U8903A音頻分析儀,這款單機(jī)解決方案可以協(xié)助使用者將會(huì)影響語(yǔ)音裝置的聲音品質(zhì)的特性量化。Agilent U8903A是一款可彈性擴(kuò)充的二通道儀器,其提供多樣化的量測(cè)功能、各種不同的
引言聲學(xué)參量陣(ParametricAcousticArray)是利用介質(zhì)的非線性特性,使用兩個(gè)沿同一方向傳播的高頻初始波在遠(yuǎn)場(chǎng)中獲得差頻、和頻及倍頻等的聲發(fā)射裝置。根據(jù)介質(zhì)中聲吸收原理,吸收與信號(hào)頻率的平方成正比,在聲波的傳
最近Globalfoundries公司可謂喜事連連,繼紐約Fab2工廠正式奠基后,又與意法半導(dǎo)體成功簽約。不過(guò)按GF公司主席Hector Ruiz的說(shuō)法,他們現(xiàn)在已經(jīng)開始籌劃第三間制造廠Fab3的項(xiàng)目。目前在建的Fab2將采用300mm技術(shù)生產(chǎn)晶
臺(tái)積電10日將召開例行董事會(huì),外傳董事會(huì)很可能會(huì)將入股臺(tái)灣太陽(yáng)能電池業(yè)者列入議程,并討論收購(gòu)LED業(yè)者的可能性,其中新日光、Lumileds已遭外界點(diǎn)名,這也很可能是臺(tái)積電日前突然調(diào)高2009年資本支出至23億美元的主因
8月6日消息,臺(tái)積電今日表示,美國(guó)半導(dǎo)體廠商IDT決定將位于奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造業(yè)務(wù)移轉(zhuǎn)給臺(tái)積電,并在移轉(zhuǎn)完成之后關(guān)閉這座晶圓廠,并已聘請(qǐng)第三人在市場(chǎng)上尋求潛在接手者。 臺(tái)積電在一份聲明中稱,I
針對(duì)先進(jìn)納米Cu互連技術(shù)的要求,比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線的性能以及電阻率、織構(gòu)系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在相同電流密度條件下,脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低,表面粗糙度較小,表面晶粒尺寸和晶粒密度較大,而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術(shù)中,脈沖電鍍將有良好的研究應(yīng)用前景。
介紹一種將PIC16C711片內(nèi)8位A/D提高到11位的方法。此方法電路簡(jiǎn)單,速度快,可提高單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的性能價(jià)格比,具有一定的推廣價(jià)值。