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  • 美國IDT結盟臺積電 變身無工廠半導體商

    臺積電公司和美國老牌半導體公司IDT（Integrated Device Technology）公司今天共同宣布，雙方已經(jīng)達成協(xié)議，IDT目前在美國俄勒岡州Hillsboro市自有晶圓廠制造的所有產(chǎn)品將逐步移交給臺積電代工，IDT從此將轉(zhuǎn)型為無工

  • 全新納米功率運算放大器（NS）

    美國國家半導體公司 (NS)宣布推出一款全新的納米功率運算放大器，可提供業(yè)界最低功耗552nW，即使供電電壓低至1.6V，仍可保證正常操作。該款型號為LPV521的運算放大器屬于美國國家半導體PowerWise® 系列，由于其功

  • 光纖模擬芯片市場規(guī)模將增長至4.92億美元

    Strategy Analytics 近日發(fā)布最新研究報告“光纖模擬芯片市場機會：2008-2013”。化合物半導體正在越來越多地被應用在更高價值、更高成長性的細分產(chǎn)品市場上。在不斷增長的光纖模擬芯片市場，硅 (Silicon)，硅化鍺 (

  • DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

    臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(Elpida)這次

  • NVIDIA：我們是40nm芯片的頭號客戶

    NVIDIA宣稱，雖然自己不是第一家采納臺積電40nm工藝技術的客戶，但在產(chǎn)品規(guī)模上已經(jīng)最大，而且40nm工藝會在今后貢獻相當大比例的收入。 NVIDIA總裁兼CEO黃仁勛在財務電話會議中對分析人士表示：“我想現(xiàn)在我們已經(jīng)成

  • 華邦電子將退出常規(guī)內(nèi)存芯片市場轉(zhuǎn)戰(zhàn)顯存業(yè)務

    華邦電子總裁詹東義宣稱，明年華邦將把常規(guī)內(nèi)存芯片的銷售額下調(diào)為10%，并將逐步退出常規(guī)內(nèi)存芯片市場，他們將把業(yè)務重點轉(zhuǎn)向GDDR顯存芯片，特種內(nèi) 存芯片，移動內(nèi)存芯片以及NOR閃存方面。華邦最近與奇夢達公司達成了

  • 新型MOSFET 器件（Diodes）

    Diodes 公司進一步擴展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件采用業(yè)界標準的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構的要求。

  • 基于X9241數(shù)字電位器的可控增益放大器

    X9241是把4個E2POT數(shù)字電位器集成在單片CMOS集成電路上的一種數(shù)字電位器，其功能框圖如圖1所示，其中包含4個電阻陣列，每個陣列包含63個電阻單元，在每個單元之間和兩個端點都有可以被滑動單元訪問的抽頭點?；瑒訂卧?/p>

  • EMC與電子設備設計的屏蔽技術

    一直以來，電磁兼容(EMC)問題都是困擾業(yè)界的一個難點。文章將詳細介紹EMC的概念、設計目的以及電磁干擾(EMI)的來源與屏蔽措施問題。并根據(jù)在產(chǎn)品設計上積累的一些經(jīng)驗，介紹進行EMC屏蔽設計的基本原則和方法。

  • 基于左手介質(zhì)的小型微帶天線

    用左手材料設計一種寬頻帶并且電尺寸小的微帶天線，先用開口諧振環(huán)和金屬桿設計出左手材料，并把它放在微帶天線的基板中，利用左手材料的相位補償特性實現(xiàn)了寬帶微帶天線的小型化設計。數(shù)值仿真結果表明，工作于10．5GHz時，加載了左手材料的微帶天線的物理尺寸被大大減小了，天線尺寸從下降到0．21λ，突破了傳統(tǒng)微帶天線的半波長限制，并且相對帶寬增加了5．31％，實現(xiàn)了微帶天線的小型化設計。

  • 基于數(shù)字電路中卡諾圖的應用研究

    卡諾圖的用途不只限于化簡邏輯函數(shù)，深入理解卡諾圖的內(nèi)涵，靈活地應用它，能得到意想不到的效果。文本介紹卡諾圖在記憶格雷碼，競爭冒險中的判斷，數(shù)據(jù)選擇器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)和邏輯函數(shù)的邏輯運算等方面的應用。

  • 網(wǎng)絡存儲器的設計

    針對計算機系統(tǒng)中磁盤的I／O性能問題，對比各種解決這一問題的方法，提出了網(wǎng)絡存儲器設計的方法．網(wǎng)絡存儲器是通過提高處理器與存儲器之間的數(shù)據(jù)交換的速度來提高計算機系統(tǒng)性能的。通過對網(wǎng)絡存儲器的工作時間的分析證實了網(wǎng)絡存儲器設計的可行性，并提出三種網(wǎng)絡存儲器的設計方法。

  • 一種基于內(nèi)容視頻檢索中的鏡頭分割算法

    提出了一種統(tǒng)一的可以檢測出切變、漸變的視頻鏡頭檢測算法。首先，通過顏色局部累積直方圖與紋理相結合的方法獲得視頻的幀間差，對于切變檢測，通過已經(jīng)計算得到的幀間差為基礎，采用雙重窗口檢測算法實現(xiàn)，對于漸變的檢測，采取了統(tǒng)一的雙閾值檢測方法對所有漸變類型進行了檢測。通過多次試驗，證明了用本文算法進行視頻鏡頭檢測能取得比較好的效果。

  • 25V DirectFET系列MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。IRF6718在新

  • 中國大陸8月1日起禁止半導體廢晶圓、頭尾料進口 恐引發(fā)價格上揚

    依據(jù)大陸環(huán)境保護部公告「調(diào)整進口廢物管理目錄公告」修正從8月1日起，不符合限制「進口類可用作原料的固體廢物」目錄，海關將不予放行且依法令進口者或承運人實施退運，其中遭到限制進口的包括半導體的廢晶圓、頭尾

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