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爾必達(dá)將提高瑞晶持股至52% 瑞晶有意加入減產(chǎn)行列

為挽救不斷下挫的DRAM價(jià)格，力晶指出，繼力晶、爾必達(dá)宣布減產(chǎn)后，公司內(nèi)部已考慮讓瑞晶也加入減產(chǎn)的行列，瑞晶目前8萬(wàn)片12寸廠產(chǎn)能，2009年初將全數(shù)轉(zhuǎn)到最先進(jìn)的65納米制程。此外，爾必達(dá)(Elpida)執(zhí)行長(zhǎng)坂本幸雄表示

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2008-12-01

爾必達(dá) DRAM DDR PID
中芯國(guó)際跨足MEMS出師不利

剛于10月底宣布跨足微機(jī)電(MEMS)晶圓代工的中芯國(guó)際出師不利，MEMS設(shè)備商指出，由于大客戶恩智浦(NXP)原計(jì)劃在中芯投產(chǎn)MEMS麥克風(fēng)，卻因當(dāng)前景氣不明而緊急喊煞車，這對(duì)于整體MEMS晶圓代工市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑再度投下一個(gè)

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2008-12-01

中芯國(guó)際晶圓代工麥克風(fēng) MEMS
應(yīng)用材料接到Silex針對(duì)MEMS和TSV應(yīng)用的設(shè)備訂單

瑞典MEMS代工企業(yè)Silex為其新的八英寸線選擇應(yīng)用材料的設(shè)備。訂單包括所有的刻蝕、介質(zhì)CVD、鋁PVD、銅阻擋層種子層的設(shè)備。在量產(chǎn)環(huán)境下滿足MEMS硅刻蝕的需求是Silex的主要目標(biāo)。將來(lái)的工作包括由應(yīng)用材料提供工藝和

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2008-12-01

MEMS PS TECHNOLOGY SOLUTIONS
AMD明年上半年45納米處理器規(guī)劃出爐

據(jù)臺(tái)灣PC廠商透露，AMD更改新一代45納米桌面處理器規(guī)劃，中高端型號(hào)將改用“Phenom II” 品牌以作識(shí)別，中低端則保留“Athlon”品牌，首款A(yù)MD 45納米桌面處理器將會(huì)于2009年1月開(kāi)始陸續(xù)登場(chǎng)，并于2009年6月底前完全覆

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2008-12-01

處理器 AMD 四核 CACHE
擴(kuò)展GSM/GPRS功率放大器產(chǎn)品系列（Axiom）

Axiom Microdevices有限公司今天宣布推出AX508功率放大器(PA)，繼續(xù)擴(kuò)大它的產(chǎn)品供應(yīng)版圖, 將CMOS的全部?jī)?yōu)點(diǎn)帶給客戶。

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2008-12-01

功率放大器產(chǎn)品系列 IO GSM/GPRS
單電源自動(dòng)歸零傳感器放大器（TI）

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款單電源自動(dòng)歸零橋接傳感器放大器 PGA308。該器件支持可編程增益與偏置，可放大傳感器信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)歸零（偏置）與擴(kuò)展（增益）的數(shù)字校準(zhǔn)。符合 UART 標(biāo)準(zhǔn)的 One-Wire 數(shù)字串行接口可

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2008-12-01

傳感器放大器單電源
新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)

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2008-11-28

Vishay 功率MOSFET TRENCHFET SILICONIX
威盛計(jì)劃剝離RISC處理器業(yè)務(wù)

受全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)影響，VIA正計(jì)劃在本月底開(kāi)始剝離非核心業(yè)務(wù)，以節(jié)約成本。據(jù)悉，VIA旗下的SoC設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)部門將拆分出去，成為一個(gè)附屬子公司。該部門主要負(fù)責(zé)基于RISC架構(gòu)的ARM處理器(主攻MID)、工業(yè)PC和網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)等

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2008-11-28

X86 VIA RISC處理器
日本瑞薩半導(dǎo)體將提升在中國(guó)芯片產(chǎn)能

瑞薩半導(dǎo)體管理（中國(guó)）有限公司董事長(zhǎng)平澤大日前表示，瑞薩看好中國(guó)未來(lái)的發(fā)展，目前正在擴(kuò)建位于北京的工廠，到2009年，其在北京工廠的半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)能力將從目前的每月5000萬(wàn)枚擴(kuò)大到6500萬(wàn)枚。加上位于蘇州的

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2008-11-28

半導(dǎo)體中國(guó)芯片 MCU 半導(dǎo)體芯片
2008年中國(guó)集成電路發(fā)展增幅僅5%

11月27日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)俞忠鈺理事長(zhǎng)在行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)聯(lián)席工作會(huì)議上表示，2008年對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，是很特殊的一年。受全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響，國(guó)內(nèi)的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)出現(xiàn)了很大的變化。年初的經(jīng)濟(jì)令全球的分析

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2008-11-27

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 中國(guó)集成電路臺(tái)積電中國(guó)半導(dǎo)體
愛(ài)立信意法半導(dǎo)體建合資公司生產(chǎn)手機(jī)芯片

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,歐盟委員會(huì)周三表示，批準(zhǔn)瑞典移動(dòng)電信公司愛(ài)立信和意法半導(dǎo)體聯(lián)合為手機(jī)生產(chǎn)芯片。歐盟委員會(huì)表示，愛(ài)立信和意法半導(dǎo)體將聯(lián)手為手機(jī)建立無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，并且將合辦一家半導(dǎo)體合資公司。這一交易將創(chuàng)造出

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2008-11-27

愛(ài)立信手機(jī)芯片意法半導(dǎo)體
更高技術(shù)VS更低價(jià)格：英特爾AMD寒冬對(duì)壘

“盡管面臨金融危機(jī)，但產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的速度不能停下來(lái)，唯有產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，能拉動(dòng)不景氣的市場(chǎng)?！?1月18日，英特爾中國(guó)區(qū)總經(jīng)理?xiàng)顢⒔邮懿稍L時(shí)說(shuō)道。當(dāng)日英特爾發(fā)布了最新的臺(tái)式機(jī)芯片酷睿i7，這是首款45納米工藝的芯片。

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2008-11-26

英特爾電腦 AMD 酷睿
百億打造的芯片代工為何在華陷入困局？

百億打造的中國(guó)芯片代工產(chǎn)業(yè)發(fā)生了什幺問(wèn)題？從大唐入股中芯看起… 在全球金融海嘯的推枯拉朽下，中國(guó)第一大半導(dǎo)體廠中芯國(guó)際，終于還是在11月11日，得到大唐電訊的金援，讓出16.6%的股權(quán)。中芯資金壓力雖暫解，但

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2008-11-26

集成電路設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓代工芯片代工
英特爾美光量產(chǎn)34nm NAND閃存

英特爾和美光日前開(kāi)始量產(chǎn)雙方聯(lián)合開(kāi)發(fā)的34nm 32G MLC NAND Flash。雙方的合資公司IM Flash表示，明年將開(kāi)始試產(chǎn)34nm低密度MLC（multi-level cell）和SLC（Single-level cell）產(chǎn)品。該公司稱34nm NAND flash量產(chǎn)

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2008-11-26

英特爾美光 Flash NAND閃存
鴻海注資6英寸芯片代工廠元隆電子

全球電子代工業(yè)巨頭鴻海集團(tuán)正借助旗下投資公司向半導(dǎo)體代工領(lǐng)域延伸。日前，臺(tái)灣地區(qū)二線半導(dǎo)體代工企業(yè)元隆電子公告說(shuō)，公司即將完成一項(xiàng)私募案，欲發(fā)行3860萬(wàn)股(每股3.7元新臺(tái)幣)，大約籌措1.42億元新臺(tái)幣。有意

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2008-11-26

電子鴻海芯片代工英寸芯

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爾必達(dá)將提高瑞晶持股至52% 瑞晶有意加入減產(chǎn)行列

中芯國(guó)際跨足MEMS出師不利

應(yīng)用材料接到Silex針對(duì)MEMS和TSV應(yīng)用的設(shè)備訂單

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