21IC訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.,擴展IHSR系列高飽和商用電感器,推出最新4 mm x 4 mm 1616外形尺寸超薄封裝器件---IHSR-1616AB-01。
近日,世強與光頡科技(Viking)簽訂代理協(xié)議,豐富了薄膜電阻、厚膜電阻、柱狀電阻、晶元電阻、電流感應電阻、電感、電容等產(chǎn)品。此后,世強及世強元件電商可提供光頡科技的元件采購,保障100%正品、現(xiàn)貨當天發(fā)貨、交付準時、價格優(yōu)惠。
據(jù)路透社報道,當?shù)貢r間周四,應用材料表示,由于半導體行業(yè)疲軟,預計第二季度利潤和收入將會低于分析師預期。
TDK株式會社(TSE:6762)推出了TFM252012ALVA薄膜金屬功率電感器,該款電感器可與12 V汽車電池直接相連,同時保持小型尺寸。
相對硅,氮化鎵擁有跟寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導電能力,并且可以承受比硅更高的電壓。簡而言之,相同體積下,氮化鎵比硅的效率高出不少。
在實體經(jīng)濟項目中有幾個重大項目引人注意,包括富士康功率芯片工廠建設項目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、天岳碳化硅功率半導體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目等。
展望未來十年,功耗和功率密度將會被視為限制數(shù)據(jù)中心和行動裝置運算性能提升的因素。我們將再次面臨挑戰(zhàn),就像1980年代使用80386處理器時的情況一樣——運算性能受到功耗或熱的限制,但事實上,這些問題最終都透過芯片封裝技術改善了。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出15款采用eSMP®系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件,擴充其表面貼裝TMBS®Trench MOS勢壘肖特基整流器產(chǎn)品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節(jié)省空間,反向電壓從45 V到150 V,3 A電流等級達到業(yè)內(nèi)SMF封裝器件最高水平。
十大本土分銷商世強元件電商進一步豐富電容產(chǎn)品線,與祥泰電子簽署代理協(xié)議。此后,祥泰電子的產(chǎn)品購買、技術資料資訊、技術支持服務等,均可在世強元件電商獲取。
東軟載波日前發(fā)布2018年度業(yè)績快報,報告期內(nèi),東軟載波實現(xiàn)營業(yè)總收入為 101,330.14 萬元,比去年同期增長 10.93%;營業(yè)利潤為 21,679.21 萬元,比去年同期下降 8.50%;利潤總額為 21,639.03 萬元,比去年同期下降 8.73%。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。
Littelfuse, Inc.宣布今日推出雙向瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA®二極管)系列的首款產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品旨在保護高端消費電子產(chǎn)品和可穿戴電子產(chǎn)品免因破壞性靜電放電損壞。
世強進一步豐富阻容感產(chǎn)品線,與專業(yè)的電解電容制造商冠坤電子(Su\'scon)簽署代理協(xié)議。
意法半導體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管,將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里。
對許多應用來說,第三種選擇——自舉——可能是比較廉價的替代方案。除了動態(tài)性能要求極為苛刻的應用,自舉電源電路的設計是相當簡單的。