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意法半導(dǎo)體的4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電隔離和保護(hù)功能

STGAP2DM柵極驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體的 STGAP2系列電隔離驅(qū)動(dòng)器的第二款產(chǎn)品，集成了低壓控制和接口電路以及兩個(gè)電隔離輸出通道，可以驅(qū)動(dòng)單極或雙極型晶體管的柵極。

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2018-11-16

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器電隔離
Littelfuse推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管，可針對(duì)瞬態(tài)高壓提供單組件保護(hù)解決方案

Littelfuse公司，日前宣布推出TPSMB系列汽車(chē)用瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管最新產(chǎn)品，可防止靈敏的汽車(chē)電路因閃電和其他瞬態(tài)電壓現(xiàn)象引起的瞬態(tài)高壓而損壞。

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2018-11-16

littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管 aec-q101標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

英飛凌科技股份公司攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)型HEMT和氮化鎵開(kāi)關(guān)管專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德國(guó)慕尼黑電子展。

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2018-11-15

英飛凌氮化鎵開(kāi)關(guān)管
晶圓代工：務(wù)實(shí)的臺(tái)積電、激進(jìn)的三星、難產(chǎn)的英特爾

10nm以上的晶圓代工市場(chǎng)則繼續(xù)由臺(tái)積電、英特爾、格芯和三星分食，而大陸最大晶圓代工廠中芯國(guó)際目前的14nm已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段，預(yù)計(jì)最快明年量產(chǎn)，屆時(shí)也會(huì)憑借14nm工藝進(jìn)入晶圓代工的第二梯隊(duì)中去。

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2018-11-14

三星英特爾晶圓代工臺(tái)積電
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新

硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)，以及未來(lái)的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。

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2018-11-14

gan 氮化鎵硅電源技術(shù)
Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的新型高壓ENYCAP儲(chǔ)能電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新型高壓ENYCAP™電解雙層儲(chǔ)能電容器---230 EDLC-HV ENYCAP，用于惡劣環(huán)境下的能量收集和電源備份應(yīng)用。Vishay BCcomponents 230 EDLC-HV ENYCAP電容器是業(yè)界首款在+85°C和最大額定電壓3.0 V條件下使用壽命達(dá)到2000小時(shí)的電容器。

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2018-11-14

Vishay 儲(chǔ)能電容器雙層電容器
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

ROHM(總部位于日本京都)面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。

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2018-11-14

rohm 逆變器全sic功率模塊
10%國(guó)產(chǎn)替代率就能成就10億美元的銷(xiāo)售額，是什么IC如此有潛力？

IC業(yè)是一門(mén)深度講究技術(shù)、資本、人才配合的產(chǎn)業(yè)?！跋M(fèi)類(lèi)IC是純粹技術(shù)驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)，也是完全競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有賣(mài)不掉的消費(fèi)類(lèi)IC，只有做不好的IC。” 中科漢天下董事長(zhǎng)兼CEO楊清華表示。

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2018-11-13

濾波器國(guó)產(chǎn)ic
Maxim為樓宇自動(dòng)化、汽車(chē)和備用電源系統(tǒng)推出高性能模擬IC

Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出三款模塊化高度集成模擬IC，幫助設(shè)計(jì)者為日益小型化的電子系統(tǒng)提供更高的效率和性能。MAX41464 sub-1GHz無(wú)線發(fā)送器、MAX38888備用電源穩(wěn)壓器和MAX16141 36V邏輯“或”FET控制器，廣泛用于樓宇自動(dòng)化、工業(yè)、汽車(chē)和便攜式應(yīng)用。上述產(chǎn)品將于11月13日至16日亮相2018慕尼黑電子展。

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2018-11-13

汽車(chē) maxim 模擬ic 備用電源樓宇自動(dòng)化
預(yù)計(jì)到2021年硅晶圓將持續(xù)供不應(yīng)求！

由于車(chē)用、產(chǎn)業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的需求強(qiáng)勁，8英寸硅晶圓持續(xù)滿載出貨，12英寸同樣穩(wěn)健，帶動(dòng)了信越化學(xué)第三季度業(yè)績(jī)表現(xiàn)。展望下一季度，由于訂單長(zhǎng)約多，各尺寸硅晶圓的價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)有所提升。

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2018-11-09

硅晶圓 8英寸硅晶圓
UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產(chǎn)品

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布推出采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3L封裝的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。與現(xiàn)有的UJC3系列相比，F(xiàn)AST系列具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更高的效率水平。

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2018-11-08

功率半導(dǎo)體碳化硅開(kāi)關(guān)電路
硅晶圓缺貨狀況仍將持續(xù)，但漲價(jià)幅度將放緩！

業(yè)界普遍認(rèn)為，受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，加上第4季本來(lái)就比第3季淡，最近明顯感受到部份客戶(hù)進(jìn)行調(diào)整庫(kù)存中，有些庫(kù)存拉得較高的客戶(hù)，調(diào)整庫(kù)存時(shí)間可能要從第4季拉長(zhǎng)到明年第1季，但長(zhǎng)期仍看好。

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2018-11-05

硅晶圓環(huán)球晶
授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子供應(yīng)Texas Instruments豐富產(chǎn)品系列并每天更新庫(kù)存

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Texas Instruments (TI) 解決方案的全球授權(quán)分銷(xiāo)商。貿(mào)澤庫(kù)存有44,000多種TI產(chǎn)品，其中包括4,000多種開(kāi)發(fā)套件，除了供應(yīng)Texas Instruments新上市的豐富半導(dǎo)體解決方案，每天還會(huì)接收新品入庫(kù)。

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2018-11-05

放大器貿(mào)澤電子
硅晶圓市場(chǎng)被看好！臺(tái)勝科、中美晶、環(huán)球晶齊受益！

環(huán)球晶30日公布第3季業(yè)績(jī)，其中，包括單季獲利、單季每股獲利及累計(jì)今年前三季獲利、前三季每股獲利等，均創(chuàng)下歷史新高。

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2018-11-01

硅晶圓環(huán)球晶
貿(mào)澤開(kāi)售 Texas Instruments LMG1020低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器為高速LiDAR和TOF應(yīng)用提供理想選擇

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 Texas Instruments的LMG1020氮化鎵 (GaN) 驅(qū)動(dòng)器。此款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可為要求速度的應(yīng)用提供高效率、高性能的設(shè)計(jì)，適用于LiDAR、飛行時(shí)間激光驅(qū)動(dòng)器、臉部識(shí)別、擴(kuò)增實(shí)境和E類(lèi)無(wú)線充電器等應(yīng)用。

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2018-11-01

貿(mào)澤電子 lmg1020 gan驅(qū)動(dòng)器

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意法半導(dǎo)體的4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電隔離和保護(hù)功能

Littelfuse推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)抑制二極管，可針對(duì)瞬態(tài)高壓提供單組件保護(hù)解決方案

英飛凌氮化鎵解決方案投入量產(chǎn)

晶圓代工：務(wù)實(shí)的臺(tái)積電、激進(jìn)的三星、難產(chǎn)的英特爾

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來(lái)革新

Vishay推出適用于惡劣環(huán)境的新型高壓ENYCAP儲(chǔ)能電容器

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

10%國(guó)產(chǎn)替代率就能成就10億美元的銷(xiāo)售額，是什么IC如此有潛力？

Maxim為樓宇自動(dòng)化、汽車(chē)和備用電源系統(tǒng)推出高性能模擬IC

預(yù)計(jì)到2021年硅晶圓將持續(xù)供不應(yīng)求！

UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產(chǎn)品

硅晶圓缺貨狀況仍將持續(xù)，但漲價(jià)幅度將放緩！

授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子供應(yīng)Texas Instruments豐富產(chǎn)品系列并每天更新庫(kù)存

硅晶圓市場(chǎng)被看好！臺(tái)勝科、中美晶、環(huán)球晶齊受益！

貿(mào)澤開(kāi)售 Texas Instruments LMG1020低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器為高速LiDAR和TOF應(yīng)用提供理想選擇

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