ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))

近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受可靠性等因素影響，遲遲難以推出相應(yīng)產(chǎn)品，所以1700V耐壓的產(chǎn)品一般使用IGBT。

在這種背景下，ROHM推出了實現(xiàn)額定1700V的全SiC功率模塊，新產(chǎn)品不僅繼承了1200V耐壓產(chǎn)品中深獲好評的節(jié)能性能，還進(jìn)一步提高了可靠性。

此次新開發(fā)的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預(yù)防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流※1)的增加。在高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB)※2)中，實現(xiàn)了極高的可靠性，超過1,000小時也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象。從此，在高溫高濕度環(huán)境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。

另外，模塊中采用了ROHM產(chǎn)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)，通過優(yōu)化模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)通電阻性能比與同等SiC產(chǎn)品優(yōu)異10%，非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

本模塊已于2018年10月開始投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京都)。

未來，ROHM不僅會繼續(xù)擴充讓客戶安心使用的產(chǎn)品陣容，還會配備可輕松測試SiC模塊的評估板等，以進(jìn)一步滿足日益擴大的市場需求。

<特點>

1.

在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級的可靠性

通過采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對策，并引進(jìn)新工藝方法，使新模塊通過了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，從而使1700V耐壓的產(chǎn)品得以成功走向市場。

比如在高溫高濕反偏試驗中，比較對象IGBT模塊在1,000小時以內(nèi)發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿，而BSM250D17P2E004在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，即使施加1360V達(dá)1,000小時以上，仍然無故障，表現(xiàn)出極高的可靠性。

2.

優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能，有助于設(shè)備進(jìn)一步節(jié)能

新模塊中使用的是ROHM產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置，使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%，這將非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

<術(shù)語解說>

※1) 漏電流

功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

※2) 高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)

對于在高溫高濕環(huán)境下使用功率元器件時的耐久性進(jìn)行評估的試驗。通過電場和水分引起的絕緣處漏電流的增加，來檢測絕緣擊穿等故障現(xiàn)象。