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需求趨于平淡，硅晶圓價(jià)格增長(zhǎng)速度放緩

上半年12英寸硅晶圓由于客戶產(chǎn)能利用率不高，需求不夠強(qiáng)勁，價(jià)格將面臨壓力。反觀8 英寸方面，供給仍大于需求，價(jià)格維持健康水準(zhǔn)。整體而言，晶圓價(jià)格強(qiáng)勢(shì)的狀態(tài)將在今年持續(xù)，但供需吃緊狀態(tài)有放松之勢(shì)，價(jià)格的漲幅還是在健康程度，增長(zhǎng)速度已經(jīng)放緩。

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2019-01-21

臺(tái)積電硅晶圓
總投資110億元、年產(chǎn)480萬(wàn)片12英寸大硅片項(xiàng)目落戶嘉興科技城

近日，浙江嘉興南湖區(qū)人民政府與上?？捣逋顿Y管理有限公司簽署投資協(xié)議和定向基金協(xié)議，這也意味著總投資110億元、年產(chǎn)480萬(wàn)片300mm(12英寸)大硅片項(xiàng)目將落戶嘉興科技城。

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2019-01-21

集成電路大硅片
世強(qiáng)拓展國(guó)產(chǎn)電容產(chǎn)品線成為祥泰電子唯一授權(quán)分銷商

近日，世強(qiáng)與國(guó)產(chǎn)電容壓敏熱敏電阻廠商——祥泰電子(深圳)有限公司(以下簡(jiǎn)稱祥泰電子)簽署代理協(xié)議，代理其全線產(chǎn)品。由此，世強(qiáng)成為祥泰電子唯一授權(quán)分銷商。

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2019-01-18

電容世強(qiáng) 壓敏電阻器
臺(tái)積電這一舉動(dòng)，引起硅晶圓市場(chǎng)大地震

臺(tái)積電還透露將與硅晶圓供應(yīng)商重新簽訂合約，以降低成本。這一消息引發(fā)了硅晶圓市場(chǎng)大地震，以環(huán)球晶為首的硅晶圓廠今日股價(jià)大跌。

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2019-01-18

半導(dǎo)體臺(tái)積電硅晶圓
基本半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首款工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET

近日，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó)。

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2019-01-17

新能源汽車基本半導(dǎo)體碳化硅mosfet
基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體緊跟時(shí)代步伐，采用國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，推出國(guó)內(nèi)首款通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET，助推國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。

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2019-01-17

MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體
新型45V零漂移運(yùn)算放大器提供超高精度和EMI濾波

無(wú)線功能(例如支持Wi-Fi®和藍(lán)牙的應(yīng)用)的快速發(fā)展正在讓我們的生活和工作環(huán)境面臨越來(lái)越多的高頻噪聲。為了讓設(shè)計(jì)師能夠提供更好的性能，同時(shí)能更輕松地管理越發(fā)復(fù)雜的環(huán)境，美國(guó)微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)推出MCP6V51 零漂移運(yùn)算放大器

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2019-01-16

工業(yè)控制零漂移運(yùn)算放大器 emi濾波
Vishay的螺絲固定盤式陶瓷電容器擴(kuò)展至50 kVDC（34 kVRMS）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Cera-Mite 715CxxKT系列螺絲固定盤式陶瓷電容器擴(kuò)展至50 kVDC(34 kVRMS)。

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2019-01-16

Vishay 陶瓷電容器 co2激光器
并聯(lián)電阻的分流電感很重要

在高頻開關(guān)系統(tǒng)中，通過(guò)并聯(lián)電阻測(cè)量電流時(shí)，您可能會(huì)觀察到正弦波電流紋波幅值過(guò)大、方波紋波或快速轉(zhuǎn)換電流過(guò)沖或過(guò)高的高頻噪聲等問(wèn)題。這些問(wèn)題是由并聯(lián)的分流電感引起的，當(dāng)并聯(lián)電阻值較低時(shí)，尤其是在1mΩ以下時(shí)，分流電感就變得更為明顯。

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2019-01-16

開關(guān)系統(tǒng) 并聯(lián)電阻正弦波電流
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退，今年裸晶圓市場(chǎng)需求和價(jià)格恐將下滑！

鑒于今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將衰退5%，同時(shí)考量各廠資本支出，今年裸晶圓市場(chǎng)需求和價(jià)格恐將下滑。歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，用于太陽(yáng)能電池的多晶晶圓首當(dāng)其沖，預(yù)估半導(dǎo)體客戶或以延遲訂單、簽訂特殊合約，來(lái)避免目前過(guò)高的現(xiàn)貨價(jià)格。

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2019-01-15

半導(dǎo)體晶圓裸晶圓
世強(qiáng)再添產(chǎn)品線與擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線的英諾賽科簽約

近日，世強(qiáng)與國(guó)產(chǎn)品牌英諾賽科(Innoscience)簽約，代理其全線產(chǎn)品。本次簽約，不僅意味著世強(qiáng)進(jìn)一步拓展了功率和射頻器件的產(chǎn)品線，還意味著英諾賽科的產(chǎn)品采購(gòu)、資料下載、技術(shù)支持等服務(wù)內(nèi)容均可由世強(qiáng)元件電商支持。

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2019-01-15

世強(qiáng) 硅基氮化鎵
中國(guó)晶圓產(chǎn)能成長(zhǎng)速度遠(yuǎn)超其他地區(qū)，位居全球第二！

預(yù)計(jì)到了2020年，中國(guó)大陸晶圓廠裝機(jī)產(chǎn)能將達(dá)到每月400萬(wàn)片(WPM)8英寸晶圓，和2015年的230萬(wàn)片相比，年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為12%，成長(zhǎng)速度遠(yuǎn)高過(guò)所有其他地區(qū)。

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2019-01-14

半導(dǎo)體晶圓硅晶圓
世界先進(jìn)董事長(zhǎng)：MOSFET需求仍旺盛，貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)其影響不大！

中美貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)為主的分離式元件供需影響較小，他認(rèn)為，目前MOSFET需求仍十分旺盛。

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2019-01-12

晶圓代工 MOSFET 中美貿(mào)易戰(zhàn)
Vishay推出供貨周期更短的商用IHLP電感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出短供貨周期的IHLP®電感器，其供貨周期縮短為8至10周，此舉將進(jìn)一步加快Vishay最流行的IHLP®薄形、大電流電感器供貨速度。

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2019-01-10

Vishay ihlp電感器大電流電感器
Cree與ST簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議

Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圓。

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2019-01-10

晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅

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需求趨于平淡，硅晶圓價(jià)格增長(zhǎng)速度放緩

總投資110億元、年產(chǎn)480萬(wàn)片12英寸大硅片項(xiàng)目落戶嘉興科技城

世強(qiáng)拓展國(guó)產(chǎn)電容產(chǎn)品線成為祥泰電子唯一授權(quán)分銷商

臺(tái)積電這一舉動(dòng)，引起硅晶圓市場(chǎng)大地震

基本半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首款工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET

基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

新型45V零漂移運(yùn)算放大器提供超高精度和EMI濾波

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并聯(lián)電阻的分流電感很重要

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退，今年裸晶圓市場(chǎng)需求和價(jià)格恐將下滑！

世強(qiáng)再添產(chǎn)品線與擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線的英諾賽科簽約

中國(guó)晶圓產(chǎn)能成長(zhǎng)速度遠(yuǎn)超其他地區(qū)，位居全球第二！

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