日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,將在10月9日至12日在荷蘭諾德韋克舉行的2018年航空無(wú)源器件展(SPCD)國(guó)際研討會(huì)上發(fā)表關(guān)于液鉭電容器的技術(shù)論文。
新思科技(Synopsys, Inc.)今日宣布與IBM攜手,將設(shè)計(jì)與工藝聯(lián)合優(yōu)化 (DTCO,Design Technology Co-Optimization) 應(yīng)用于針對(duì)后FinFET工藝的新一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)。
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶體管BLF13H9L750P,專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于工作在1.3GHz頻譜的粒子加速器應(yīng)用。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域,包括電力電子,新能源汽車(chē),光伏,機(jī)車(chē)牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,被業(yè)界一直看好。
半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)據(jù)調(diào)研公司IC Insights日前發(fā)表了全球晶圓代工市場(chǎng)的最新報(bào)告,預(yù)計(jì)今年全球晶圓代工將增加42億美元,其中來(lái)自中國(guó)晶圓代工的貢獻(xiàn)占了90%,中國(guó)代工市場(chǎng)將增長(zhǎng)51%,所占全球市場(chǎng)份額也將增加5個(gè)百分點(diǎn)到19%。
清華大學(xué)(中國(guó)北京)與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)于2018年9月25日在清華大學(xué)舉辦了“清華‐\羅姆電子工程館”捐建 10周年紀(jì)念慶典。
近日,全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商獎(jiǎng)”,以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場(chǎng)開(kāi)發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求,包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、無(wú)線充電和服務(wù)器。
隨著集成電路行業(yè)的不斷發(fā)展,對(duì)于硅片的需求也在增加。2017年,整個(gè)集成電路配套材料的市場(chǎng)規(guī)模為263億美元,其中硅片是份額最大的材料,市場(chǎng)規(guī)模大約為87億美元,市場(chǎng)占比為31%-33%。預(yù)計(jì)到2020年,全球硅片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到110億美元。
其中韓國(guó)將以630億美元的投資領(lǐng)于其它地區(qū),僅比排名第二的中國(guó)多10億美元。日本和美洲在晶圓廠方面的投資分別為220億美元和150億美元。而歐洲和東南亞投資總額均為80億美元。其中大約60%的晶圓廠將服務(wù)于內(nèi)存領(lǐng)域(占比最大的將是3D NAND閃存,用于智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)產(chǎn)品),而三分之一的晶圓廠將用于代工芯片制造。
FTC表示,日本廠商的電容器占了韓國(guó)當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)的40%至70%。反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)也表示,自2014年6月以來(lái)一直在與日本、歐盟、臺(tái)灣地區(qū)和新加坡當(dāng)局共同進(jìn)行調(diào)查。
Littelfuse公司今日宣布推出六個(gè)系列的高溫靈敏型、標(biāo)準(zhǔn)型和交變型三端雙向可控硅,可在由交流電壓高達(dá)220VRMS線路供電的電器和設(shè)備中用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。 這些組件采用緊湊型表面安裝式封裝,是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)、達(dá)到此最高溫度的三端雙向可控硅,額定電流可達(dá)4A、6A和8A。
臺(tái)灣電力公司清查后發(fā)現(xiàn)是桃園某特高壓用戶廠內(nèi)設(shè)備故障、造成鄰近輸電系統(tǒng)電壓驟降而停電;世界先進(jìn)則在重大信息公告中直指是南亞電路板錦興廠區(qū)發(fā)生停電所致。
該32億美元投資分為建設(shè)工廠與晶圓生產(chǎn)設(shè)備兩大部分。其中,建設(shè)工廠的投資金額為5億美元,晶圓生產(chǎn)設(shè)備的投資金額為27億美元。
這次地震就影響了日本最大的硅片廠商之一的勝高千歲廠,受影響產(chǎn)能約為20萬(wàn)片,好在這些晶圓主要是8寸規(guī)格的,對(duì)12英寸晶圓市場(chǎng)影響不大。