重點：

·采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler II，DTCO方法學降低了先進半導體工藝開發(fā)的成本，并加快了上市速度。

·新思科技的精確材料、光刻、工藝和器件TCAD仿真器在晶圓生產出來之前即可對工藝選項進行評估。

·并行開展的標準單元庫開發(fā)與使用IC Compiler II的模塊級設計評估，使設計級指標得以用于材料、晶體管架構和工藝選項的選擇，以滿足功耗、性能、面積和成本 (PPAC) 的目標需求。

新思科技(Synopsys, Inc.)今日宣布與IBM攜手，將設計與工藝聯合優(yōu)化 (DTCO，Design Technology Co-Optimization) 應用于針對后FinFET工藝的新一代半導體工藝技術。DTCO通過采用設計指標，在晶圓生產之前的早期探路階段就能夠有效評估并縮小范圍選擇出新的晶體管架構、材料和其他工藝技術創(chuàng)新。本次合作將當前新思科技DTCO工具流程擴展到新的晶體管架構和其他技術選項中，幫助IBM為其合作伙伴開發(fā)早期工藝設計套件 (PDK)，讓他們能夠評估確定IBM先進節(jié)點帶來的功耗、性能、面積和成本 (PPAC) 優(yōu)勢。

IBM研究院半導體研究副總裁Mukesh Khare博士表示，“要在7nm以下的工藝節(jié)點實現最佳的生產能力、功耗、性能、面積和成本優(yōu)勢，就必須探索新的材料和晶體管架構。半導體制造廠面臨的主要挑戰(zhàn)是在考慮所有可能的選擇時如何及時收斂到最佳的晶體管架構。與新思科技在DTCO方面的合作讓我們能夠根據從典型構件(如CPU內核)中提取的指標有效地選擇最佳的晶體管架構和工藝選項，從而以更低的成本實現更快的工藝開發(fā)。”

在此次合作中，IBM和新思科技正在開發(fā)和驗證采用Proteus™掩模綜合的光刻解析度增強技術，使用QuantumATK進行新材料建模，使用Sentaurus™TCAD和Process Explorer優(yōu)化新的晶體管架構，并使用Mystic提取緊湊模型。從這些工藝創(chuàng)新中總結的設計規(guī)則和工藝模型可用于設計和表征標準單元庫，而在模塊級，基于IC Compiler™II布局與布線、StarRC™提取、SiliconSmart®表征、PrimeTime® signoff和IC Validator物理驗證的新思科技物理實現流程采用了Fusion Technology™，對PPAC的評估有明顯幫助。

聯合開發(fā)協議的內容包括：

·DTCO從布線能力、功耗、時序和面積等方面對晶體管和單元級設計進行優(yōu)化。

·通過工藝及器件仿真評估和優(yōu)化新的晶體管架構，包括環(huán)繞柵極納米線和納米板器件。

·針對SPICE仿真、寄生參數提取 (PEX)、庫表征和靜態(tài)時序分析 (STA) 優(yōu)化變異感知模型，準確地將時序和功耗變化所帶來的影響包含到最高可靠性設計中，同時最大限度地減少過度設計，降低設計流程運行時間的開銷。

·收集門級設計指標以優(yōu)化模型、庫架構和設計流程，從而得到最大限度的PPAC優(yōu)勢。

新思科技首席技術官Antun Domic博士表示，“新思科技開發(fā)了業(yè)內唯一完整的DTCO解決方案，涵蓋了從材料探索到模塊級物理實現的整個過程。IBM具有全面的工藝開發(fā)和設計專業(yè)知識，是將DTCO解決方案擴展到后FinFET工藝技術的理想合作伙伴。”