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英特爾成長策略的制勝法寶——FPJA
科再奇在主題演講中明確闡述FPGA是英特爾成長策略的關鍵，其動力來自成長引發(fā)的良性循環(huán)。在智慧化與連網化的世界中，“萬物”能被擷取成一段資料、即時量測、還能從任何地方存取這些資料。
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穩(wěn)壓二極管基礎知識，快來復習啦！
穩(wěn)壓管正向接法時與普通二極管特性一樣。當穩(wěn)壓管在反向接法時，當反向電壓小于擊穿電壓時，反向電流很小，呈現的動態(tài)電阻很大。通常工作電流越大，動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好。當反向電壓大于擊穿電壓時，流過二極
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3D NAND技術大戰(zhàn)爆發(fā)前廠商們在做啥
平面NAND閃存的量產己經達15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3DNAND技術邁進是必然趨勢。但是3DNAND技術很復雜，相比較而言由于成品率低，導致成本高。
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手機缺少LPDD4和雙通道RAM就Out啦
據悉，今年的iPhone 7系列可能會搭載3GB RAM，提升整體性能。至于Android 7.0，一個醒目的新功能分屏多任務，將成為系統(tǒng)的基本功能，或許多RAM容量的要求會更高。
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慧榮科技于2016全球閃存峰會中展出最新SM2260 交鑰匙式PCIe SSD 控制芯片解決方案
在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司在本次峰會中展出首款PCIe SSD 控制芯片解決方案SM2260，作為PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片，SM2260為8通道設計，最高可支持2TB 容量。
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英特爾CEO科再奇:融合現實——讓虛擬世界和真實世界渾然一體
英特爾公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期間撰文，闡述英特爾推動“融合現實”(Merged Reality)世界的愿景，及其為開發(fā)者、創(chuàng)客和發(fā)明者提供的革命性技術進步。
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聊聊模電中的場管和運放
按理說，場管不是教材的重點，但目前實際中應用最廣，遠遠超過雙極型晶體管(BJT)。場效應管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關、充電等等領域隨處可見。
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3D NAND 高壓競爭，三星獨家領先
平面NAND閃存的制程己經達15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3D NAND技術邁進是必然趨勢。
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從閉著眼“做夢”到睜著眼“做夢”
從各種“感覺”帶給你真實性的VR技術，到底是如何做到讓你置身“幻境”?除了游戲，我們還能在哪兒運用VR技術?虛擬現實未來又要在哪個領域發(fā)展呢?
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基礎知識系列！三極管工作原理(表現形式)
如圖所示為三極管電路圖，以NPN為例，Ib：指代基極B流到發(fā)射極E的電流。Ic：指代集電極C流到發(fā)射極E的電流?；颈憩F原理：放大：集電極流出的電流會受到基極電流的控制，基極電流很小的變化就會引起集電極電流很大的
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基礎知識系列！二極管與門電路原理
如圖：為二極管與門電路，Vcc = 10v，假設3v及以上代表高電平，0.7及以下代表低電平，下面根據圖中情況具體分析一下，1.Ua=Ub=0v時，D1，D2正偏，兩個二極管均會導通，此時Uy點電壓即為二極管導通電壓，也就是D1,D2導
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傳感器芯片等產品需求激增 全球8寸晶圓設備面臨短缺
消費者電子、通訊IC、傳感器芯片等制造不需使用最先進的制程，因此隨著產品市場需求的激增，也讓8寸晶圓廠產能出現了短缺，全球芯片廠都希望能取得市場上為數不多的8寸晶圓設備......
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指紋辨識芯片爆發(fā)，臺積電中芯賺大了！
全球晶圓代工廠8寸產能需求走下坡，指紋辨識IC扮演救星角色，臺積電和中芯國際受惠成大贏家!聯(lián)發(fā)科轉投資的大陸匯頂2016年指紋辨識IC大爆發(fā)，第二季投片量從上季3,000片暴增至3萬片，神盾投片也放量......
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中芯國際：改寫外資、跨國企業(yè)長壟斷的“無芯時代”
全球集成電路產業(yè)重心正在向中國轉移，這給中國企業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。如今，中芯國際生產的芯片早已隨智能手機、消費電子產品的普及飛入尋常百姓家，改寫了外資、跨國企業(yè)長期占據壟斷地位的無芯時代...
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中芯邱慈云：二季度中芯營收、利潤創(chuàng)新高
“二季度中芯依然表現優(yōu)異，中芯國際已經連續(xù)第17個季度盈利。”——中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士近日，中芯國際發(fā)布了二季財報......
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