21ic訊,新日本無線最近發(fā)布了一款用于電化學(xué)氣體傳感器檢測信號處理用的小型低功耗模擬前端(AFE)※1「NJU9101」,該器件可應(yīng)用檢測處理最多7種不同氣體。
21ic訊, Analog Devices, Inc. (ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號處理應(yīng)用半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,近日宣布其日益壯大的單芯片多核SHARC處理器系列迎來兩款新處理器——ADSP-SC57x和ADSP-2157x。利用這些器件可實現(xiàn)出色的音質(zhì)和更高性價比、更可靠的音頻系統(tǒng),提升音頻體驗。
在15日于南通召開的第十四屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場年會上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(CICF大基金)總經(jīng)理丁文武表示,大基金接下來需要關(guān)注存儲器戰(zhàn)略、新興產(chǎn)業(yè)和熱點、行業(yè)并購等三大問題。 首先是中國的存儲
談及高通和英特爾的關(guān)系,首先要說說英特爾敗走移動芯片市場。作為PC處理器領(lǐng)域最大的廠商,英特爾卻在智能手機移動芯片市場栽了跟頭,經(jīng)過幾年的不懈努力,最終仍以失敗告終,不久前正式宣布停止對Broxton和SoFIA兩
東芝公司(TOKYO:6502)成功研發(fā)出一款適用于模擬功率半導(dǎo)體應(yīng)用的靜電放電(ESD)保護器件,產(chǎn)品采用先進的0.13μm工藝技術(shù)制造,優(yōu)化了晶體管結(jié)構(gòu),顯著提高了靜電放電特性。靜電放電保護魯棒性提高多達四倍,標(biāo)準(zhǔn)偏
濾波(要濾的波是交流)的基本概念:濾波電路利用電抗性元件對交、直流阻抗的不同,實現(xiàn)濾波。電容器C對直流開路,對交流阻抗小,所以C應(yīng)該并聯(lián)在負(fù)載兩端。電感器L對直流阻抗小,對交流阻抗大,因此L應(yīng)與負(fù)載串聯(lián)。經(jīng)
一、選用指南1、 首先確定被保護電路的最大直流或連續(xù)工作電壓,電路的額定標(biāo)準(zhǔn)電壓和“高端”容限。2、 TVS的額定反向關(guān)斷電壓VWM應(yīng)大于或等于被保護電路的最大工作電壓,若選用的VWM太低,器件有可能進入
21ic訊 Analog Devices, Inc.最近推出24位同步采樣Σ-Δ型ADC系列,可用于寬帶寬、高密度儀器儀表、能源和醫(yī)療保健設(shè)備。最新AD7768系列的每一條通道均集成功率可擴展調(diào)制器和數(shù)字濾波器,可實現(xiàn)儀器儀表應(yīng)用中交流和直流信號的同步、精確測量——包括調(diào)制器數(shù)據(jù)采集、音頻測試和資產(chǎn)狀態(tài)監(jiān)控。
臺積電7nm工藝,Willy Chen表示“已簽訂了20多個合同”。已有用戶開始設(shè)計,將于2017年下半年送廠生產(chǎn)。7nm工藝的量產(chǎn)將于2018年開始。據(jù)Willy Chen介紹,7nm工藝與10nm工藝相比,邏輯集成度將提高60%,性能和耗電量將改善30~40%.....
全球晶圓代工龍頭廠臺積電董事長張忠謀昨指出,7納米先進制程是非常重要的戰(zhàn)爭,主角是臺積電與韓國三星電子,他看好臺積電的競爭優(yōu)勢會超過三星電子......
三星電子在近日該公司與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會議上公開了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會議與第53屆設(shè)計自動化大會(53rd Design Automation Conference,DAC2016,2016年6月5日~10日舉行)同在美國奧斯汀舉行......
利用單電源運放的跟隨器的工作特性,也可以實現(xiàn)精密全波整流。單電源供電的運放構(gòu)成的跟隨器,當(dāng)輸入信號大于0時,輸出跟隨輸入變化。當(dāng)輸入信號小于0的時候,輸出為0。利用這個特性可以構(gòu)成如下的電路。當(dāng)輸入為正電
利用單運放構(gòu)成的精密全波整流電路主要有兩種,一種稱之為 T 型,另一種稱為△型。T 型精密全波整流電路的原理圖如下。圖1 T型精密全波整流電路上面電路中 R1 = R3 = 2*R2當(dāng)輸入為正電壓時,D1 導(dǎo)通D2截止,這時運放
固態(tài)硬盤(Solid State Drive),簡稱固態(tài)盤(SSD),是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,由控制單元和存儲單元(FLASH芯片、DRAM芯片)以及緩存單元組成。
Intel 3DXPoint Optane非易失性存儲技術(shù)結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速度與NAND閃存的數(shù)據(jù)保持性,堪稱存儲行業(yè)近年來的最黑科技,而在經(jīng)過一系列展示后,它終于準(zhǔn)備出現(xiàn)在市面上了。