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[導(dǎo)讀]在測(cè)量AC-DC和DC-DC電源、功率器件、電池、電池充電器等輸出能量或消耗能量時(shí)都需要負(fù)載,傳統(tǒng)的方法是利用固定電阻和可變電阻器來(lái)充當(dāng)被測(cè)負(fù)載。一種新興的電子儀器和測(cè)試設(shè)備---電子負(fù)載應(yīng)運(yùn)而生,他利用功率器件模

在測(cè)量AC-DC和DC-DC電源、功率器件、電池、電池充電器等輸出能量或消耗能量時(shí)都需要負(fù)載,傳統(tǒng)的方法是利用固定電阻和可變電阻器來(lái)充當(dāng)被測(cè)負(fù)載。一種新興的電子儀器和測(cè)試設(shè)備---電子負(fù)載應(yīng)運(yùn)而生,他利用功率器件模擬電阻器,具有很強(qiáng)的操作靈活性。目前,電子負(fù)載技術(shù)發(fā)展的比較成熟,就其類(lèi)型來(lái)說(shuō),一般有具有定電流( CC)、定電阻( CR)、定電壓( CV)、定功率( CP)

  等工作模式。研究和開(kāi)發(fā)新型的低成本的電子負(fù)載也成為一項(xiàng)有意義的工作。

  1 恒流型(CC)電子負(fù)載結(jié)構(gòu)框圖介紹

  恒流型( CC)電子負(fù)載是用來(lái)測(cè)試電壓源的多種性能的專(zhuān)門(mén)設(shè)備。本文介紹一款恒流型電子負(fù)載的新方案,他基于反饋控制理論,采用模擬PI調(diào)解器,控制N溝道大功率MOSFETDE的導(dǎo)通強(qiáng)度,實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)電流的無(wú)靜差控制。其控制精度高,電路簡(jiǎn)單,成本低廉。圖1為恒流型電子負(fù)載的結(jié)構(gòu)框圖。直流穩(wěn)壓電源框是一款直流穩(wěn)壓電源電路,他提供恒流設(shè)定電壓、PI調(diào)節(jié)器工作電壓、電流檢測(cè)和轉(zhuǎn)換電路的工作電源,要求必須具有的功率輸出和較高的電壓穩(wěn)定指標(biāo)。恒流設(shè)定電路可提供線(xiàn)性的可調(diào)負(fù)極性電壓輸出。PI調(diào)節(jié)器由普通的運(yùn)算放大器構(gòu)成, PI參數(shù)用實(shí)驗(yàn)的方法調(diào)為最佳。執(zhí)行機(jī)構(gòu)為N溝道MOS管或MOS管組。

  2 控制電路設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究

  要實(shí)現(xiàn)一個(gè)無(wú)靜差調(diào)節(jié)控制,就必須采用比例積分)微分控制規(guī)律。對(duì)本控制對(duì)象,采用比例)積分( PI)控制就能滿(mǎn)足要求。硬件電路如圖2所示。電路主要由倒相器, PI調(diào)節(jié)器, MOS管和霍爾電流傳感器組成。設(shè)計(jì)時(shí)一般從控制對(duì)象或執(zhí)行單元進(jìn)行。首先需要確定的是執(zhí)行單元的傳遞函數(shù),即MOS管的放大系數(shù)Ks的確定。

  2.1 MOS管的放大系數(shù)KS的確定

  測(cè)試電路如圖3所示。被測(cè)電壓源功率足夠大,輸出電流滿(mǎn)足測(cè)試要求。調(diào)節(jié)給定電位器W,測(cè)取MOS管G極電壓UG和流過(guò)MOS管D-S極的電流IO得到一組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄在表1中,從表中可以看出,當(dāng)UG≤2. 5 V時(shí),MOS管不導(dǎo)通, IO= 0,稱(chēng)為死區(qū)。在UG>2. 5 V后, MOS管開(kāi)始導(dǎo)通,當(dāng)UG> 3. 3 V后,其關(guān)系呈線(xiàn)性變化。在線(xiàn)性段求取KS.

  2.2 電流反饋系數(shù)β的確定

  也就是霍爾電流傳感器轉(zhuǎn)換系數(shù)的確定。設(shè)計(jì)中用到的電流傳感器為霍爾傳感器,輸入為電流,輸出為電壓,經(jīng)測(cè)試確定霍爾系數(shù)K = 0. 8 V/ A,即當(dāng)傳感器的輸入端電流為1 A時(shí),輸出端的電壓為0.8V.β= K = 0. 8 V/A

  2.3 PI調(diào)節(jié)器靜態(tài)放大系數(shù)KP的確定

  根據(jù)負(fù)反饋閉環(huán)控制原理有: K =βKP KS = 1 得:KP = 1/ βKS△0. 875V/A.根據(jù)此值,選取調(diào)節(jié)器輸入、輸出電阻值,以滿(mǎn)足RF/RI = KP.

  2.4 各電壓極性的確定和控制原理簡(jiǎn)述

  各電壓極性一般是由后向前推得, MOS管的控制電壓UG為正( + ) ,也就要求PI調(diào)節(jié)器的輸出為正( + ) ,又考慮到霍爾電流傳感器的輸出始終為正( + ) ,為了構(gòu)成負(fù)反饋控制,則PI調(diào)節(jié)器的給定電壓應(yīng)為負(fù)( - )。所以PI調(diào)節(jié)器采用負(fù)相輸入,由前一級(jí)的倒相器將由電位器W產(chǎn)生的可調(diào)正電壓變?yōu)榭烧{(diào)的負(fù)電壓,作為恒流設(shè)定值加在調(diào)節(jié)器的輸入極,與由霍爾電流傳感器提供的電流反饋電壓進(jìn)行比較,根據(jù)偏差量和正負(fù)極性由PI調(diào)節(jié)器實(shí)現(xiàn)比例積分調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)電流( I O )恒定。改變積分電容的大小,以滿(mǎn)足響應(yīng)快速性和穩(wěn)定性要求。

  3 實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果

  表2是實(shí)驗(yàn)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),從數(shù)據(jù)規(guī)律看, UGD (電位器W)和MOS管漏、源極電流IO成較好的線(xiàn)性關(guān)系。且IO / UGD= 1/ β= 1/ 0. 8= 1. 25.實(shí)驗(yàn)中的調(diào)節(jié)響應(yīng)的快速性和抗擾性能都能調(diào)為最佳。

  4 幾點(diǎn)說(shuō)明和改進(jìn)措施

 ?。?)由于采用了PI調(diào)節(jié)器, MOS管的死區(qū)不必專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)電路來(lái)消除, MOS管的非線(xiàn)性在閉環(huán)內(nèi)自行消除。

 ?。?)根據(jù)被測(cè)設(shè)備的性質(zhì)(阻性,感性,容性) ,總可以通過(guò)調(diào)節(jié)PI參數(shù),以保證其快速性,穩(wěn)定性和抗擾性要求。

  (3)該系統(tǒng)具有很強(qiáng)的可擴(kuò)展性能??蓪?shí)現(xiàn)數(shù)字給定和調(diào)節(jié)控制。

 ?。?)對(duì)于要求測(cè)試電流較大時(shí),可以考慮用多只MOS管的并聯(lián)組合來(lái)擴(kuò)大負(fù)載容量,如圖4所示為2只MOS管的并聯(lián)組合,在此情形下,K`S= mKS; K`P = KP/m,m為所并MOS管的個(gè)數(shù)。

 ?。?)當(dāng)擴(kuò)容后,需要考慮增加MOS管驅(qū)動(dòng)電路。

 ?。?)此電路中沒(méi)有耗能元件,所有的負(fù)載功率消耗僅由環(huán)路內(nèi)元件承擔(dān),主要是MOS管自耗。受MOS管自身的功耗性能限制,允許流過(guò)的電流不可能太大,即使采用并聯(lián)電路等擴(kuò)容措施。所以正常使用時(shí)要充分考慮MOS管的散熱。

 

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