1　引　言

FLASH是一種兼有紫外線擦除EPROM和電可擦可編程只讀存儲器（E2PROM）兩者優(yōu)點的新型非易失存儲器。由于它可在線進行電可擦除和編程，芯片每區(qū)可獨立擦寫至少10,000次以上，因而對于需周期性地修改被儲存的代碼和數(shù)據(jù)表的應用場合，以及作為一種高密度的、非易失的數(shù)據(jù)采集和存儲介質(zhì)，F(xiàn)LASH都是理想的器件選擇。隨著其容量越來越大，F(xiàn)LASH對于數(shù)字圖像的存儲也具有了一定的能力。筆者所做的臺標機就是用Intel公司生產(chǎn)的64Mbit（8MByte）的FLASH 28F640J5作為臺標圖像的存儲介質(zhì)。下面就以該臺標機系統(tǒng)為例，介紹28F640J5在系統(tǒng)中的具體應用。

2　FLASH28F640J5簡介

2．1　主要性能特點

28F640J5是一種采用ETOXⅡ工藝制成的56引腳的快擦寫可用電擦除可編程存儲器，由于首次使用了每單元存儲兩位的技術，因而每位占用的或非門資源更少，性能價格比更高。芯片采用分塊結構分成64塊，每塊128kB，這個特性允許用戶對其中任意一塊數(shù)據(jù)進行擦除或編程，每塊擦除時間僅需1秒。在塊擦除過程中如果需要中斷擦除操作，可暫停擦除，待處理完其它事后再繼續(xù)擦除。28F640J5僅需＋5V供電電壓，工作電流不大于80mA，典型值為 40mA，備用狀態(tài)時不大于125μA，典型值為80μA，三態(tài)輸出，與TTL電平兼容。可循環(huán)擦寫次數(shù)為10萬次，一般商業(yè)品工作溫度范圍為－20℃～＋70℃。

2．2　芯片系統(tǒng)結構及引腳信號

芯片采用一種命令用戶接口CUI（CommandUser Interface）和寫狀態(tài)機WSM（WriteState Machine）結構，以此簡化模塊擦除和編程。命令用戶接口是微處理器或微控制器與芯片內(nèi)部操作之間的界面。無論是模塊擦除還是字節(jié)編程，只要向CUI 寫入兩個命令序列，內(nèi)部的寫狀態(tài)機WSM就會自動地定時執(zhí)行擦除或編程算法（包括校驗操作），從而減輕了微處理器或微控制器的負擔。另外，為了指示W(wǎng)SM 的狀態(tài)和何時以及是否成功完成了模塊擦除或字節(jié)編程操作，設置了一個狀態(tài)寄存器SR（State Register）。這樣，狀態(tài)寄存器SR就成了微處理器與寫狀態(tài)機之間的接口。芯片引腳A0－A22為地址線，當為字操作時A0不起作用，A1為最低位地址線。DQ0－DQ7為低字節(jié)數(shù)據(jù)總線，輸入數(shù)據(jù)在輸入緩沖區(qū)進行編程和寫操作，輸入命令時在命令用戶接口(cui)進行寫操作，當狀態(tài)機忙時DQ6－DQ0不起作用，而狀態(tài)寄存器的第7位（SR．7）決定狀態(tài)機的狀態(tài)。DQ8－DQ15為高字節(jié)位數(shù)據(jù)總線，在字操作模式中使用到。CE0、CE1、CE2為芯片選通信號，當信號有效時，就激活了器件的控制邏輯、輸入緩沖器、譯碼器和敏感放大器，當器件沒有選通時，片上電壓自動降低到待機電壓。RP＃為復位或使電壓回到待機狀態(tài)的信號，當RP＃為低時，芯片處于待機模式，此時芯片禁止寫操作，當RP＃為高時可進行讀寫、擦除等操作，但不要一直將RP＃置高，以免影響器件的使用壽命。OE＃為輸出選通信號，低電平有效，在讀周期中，輸出緩沖器被選通，數(shù)據(jù)通過緩沖器輸出。WE＃為寫選通信號。STS為狀態(tài)位，它顯示內(nèi)部狀態(tài)機的狀態(tài)。BYTE＃為8位或16 位操作模式選擇信號，當BYTE＃為低時，器件工作在8位操作模式,DQ8－DQ15掛起，當BYTE＃為高時，器件工作在16位操作模式。VPEN是擦除、編程塊鎖定位操作使能信號，當VPEN＜＝ VPENLK時，存儲器的內(nèi)容不能改變。

3 單片機與芯片接口的設計

因為單片機80C320的地址線只能有16根，僅能尋址64K外存空間。而28F640的內(nèi)部芯片地址線有23根，所以在設計時對FLASH采取分段設計的方法，設有存儲器段寄存器（高位地址寄存器）“WHDZ”。由于單片機的地址空間中既有寄存器，又有存儲器，為了方便起見，將單片機的P1．7口定義為寄存器“IO”或存儲器訪問的區(qū)分標志“IORAM”。當“IORAM”為1時，單片機的低八位地址線有效，通過EPLD尋址FLASH的高八位地址（實際為7位），當“IORAM”為0時，單片機80C320尋址存儲器低十六位地址空間。這樣，單片機的64K外存空間連續(xù)尋址配合高位地址寄存器 WHDZ使用，存儲器空間的尋址范圍可達16MByte。單片機對存儲器讀寫的操作步驟如下：（1）置“IORAM”位，寫段地址寄存器“WHDZ”，定義所操作存儲器的高位地址。（2）清“IORAM”位，對選擇的存儲器在段內(nèi)進行讀寫。

4　軟件設計

28F640J5的操作命令比較多，共有14條，如表1所示。

表1中的讀陣列、讀標識碼、讀狀態(tài)寄存器、清狀態(tài)寄存器、寫緩沖區(qū)、塊擦除、字／字節(jié)編程、塊擦除掛起、塊擦除繼續(xù)是Intel公司28F系列 FLASH的基本命令集，其它命令為28F640的擴展命令集。Intel28F640 FLASH存儲器采用了并行編程技術：在28F640的命令集中由于添加了寫緩沖區(qū)的命令以及相應的32字節(jié)硬件寫緩沖資源（程序流程圖如圖2所示），與傳統(tǒng)的字／字節(jié)編程方式相比（程序流程圖如圖3所示），寫緩沖區(qū)方式一次性可寫入32字節(jié)，在單片機寫入確定寫緩沖區(qū)數(shù)據(jù)到FLASH的命令D0H后，再由FLASH以并行編程的方式自動寫入，中間無需退出寫緩沖區(qū)命令。而字／字節(jié)編程方式每寫入一個數(shù)據(jù)后需要重新寫字／字節(jié)編程指令。寫緩沖區(qū)指令的建立以及并行編程算法的采用，使得寫入FLASH的速度比原來提高了近20倍。由于寫緩沖區(qū)一次最多寫入32個字節(jié)，所以當器件為字節(jié)模式寫緩沖區(qū)時，計數(shù)N ＝00H－1FH，當器件為字模式寫緩沖區(qū)時，計數(shù)N＝00H－0FH。為了最大限度地發(fā)揮并行編程的功能，降低器件的功耗，在使用寫緩沖區(qū)命令時一般將 A4－A0的地址線置為0，也就是編程起始地址為×0,0000B。

                  
在臺標機系統(tǒng)中，其臺標先是在PC機上用Photoshop、3DMAX等圖像處理軟件做好，然后由PC機傳給臺標機。為了保證傳送速度采用 57600的波特率，這樣，傳送一副128行*128列大小的臺標僅需13秒左右。盡管28F640采用了并行編程技術，但由于波特率太高，數(shù)據(jù)并不能及時處理，所以在系統(tǒng)中采用了256K空間的SRAM作為緩沖區(qū)。臺標圖像數(shù)據(jù)首先在SRAM中存儲，待臺標圖像傳送結束再由臺標機自身將數(shù)據(jù)由SRAM寫進FLASH。對于滿屏圖像SRAM并不能完全存儲，同時FLASH的地址空間對用戶來說并不是完全連續(xù)的，芯片的第一塊的前四個字節(jié)和后面塊的前三個字節(jié)都為芯片自身所占用，所以在傳送滿屏圖像時采用分塊傳送的方法，每次傳送22行數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)量為720列*22行*4=61.875K,4是指每個像素點信息由R、BG、B、透明度4個字節(jié)組成。結合前面設置的FLASH的高八位地址寄存器WHDZ，每傳一次改變WHDZ的值。對于滿屏圖像從FLASH 傳送到VRAM（視屏存儲器）顯示滿屏圖像也采用分塊傳送的方式，不過此時傳送具體數(shù)據(jù)的方式不同，單片機并不需要將數(shù)據(jù)從FLASH一個個讀出寫往 VRAM，它只需將數(shù)據(jù)的FLASH起始地址，以及VRAM的開始點和終止點坐標給出，數(shù)據(jù)傳送由硬件采用雙字傳送實現(xiàn)，從而加快了傳送的速度。

                       
5 結束語
 
在本臺標機系統(tǒng)中，我們用8M的FLASH存儲器存放了10幅像素點<128*128的小臺標,4幅動畫臺標,兩幅滿屏圖像,基本上滿足了中小型電視臺的要求.隨著存儲器技術的快速發(fā)展,各大芯片廠商一定會推出性能價格比更同、速度更快，容量更大的FLASH存儲器。

參考文獻
1 何立民，單片機應用系統(tǒng)設計，北京：北京航天航空大學出版社，1992
2 http://www.intel.com.intel 28f640jd datasheet.1998