ORTEC帶電粒子硅探測(cè)器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，耗盡層厚度從10微米到幾個(gè)毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又分為諸多類(lèi)型。選擇合適的帶電粒子探測(cè)器，除應(yīng)用本身外，應(yīng)綜合權(quán)衡耗盡層厚度、結(jié)電容、漏電流、電子噪聲、能量分辨率等性能指標(biāo)。Alpha能譜測(cè)量用于alpha能譜測(cè)量的ULTRA和ULTRA-AS探測(cè)器采用了表面鈍化和離子注入工藝（即PIPS探測(cè)器），這兩個(gè)系列的探測(cè)器有諸多優(yōu)點(diǎn)：接觸極更薄，更堅(jiān)固；低噪聲，對(duì)Alpha能譜分辨率好；使用邊緣鈍化技術(shù)，可以使樣品離探測(cè)器入射窗小到1毫米（一般面壘型探測(cè)器最小只能達(dá)到2.5毫米），探測(cè)器效率更高常溫使用探測(cè)器窗可擦拭Ultra-AS和Ultra的區(qū)別或改進(jìn)是采用了低本底材料，以專適于在ORTEC Alpha Suite譜儀。ULTRA-CAM系列則是針對(duì)氣溶膠連續(xù)監(jiān)測(cè)設(shè)計(jì)，探測(cè)器具有特殊密閉和抗潮性能。Beta能譜測(cè)量Beta能譜測(cè)量的難處在于常溫狀態(tài)下，硅探測(cè)器很難獲得良好的分辨率，ORTEC提供以下兩種解決方案：Beta-X Si（Li）一體化探測(cè)器（包含探頭，冷指前放）；A和L系列可制冷的厚硅探測(cè)器。帶電粒子探測(cè)器的選擇帶電粒子探測(cè)器在核物理實(shí)驗(yàn)中諸多方面的應(yīng)用，ORTEC在其探測(cè)器類(lèi)型上都有相應(yīng)的側(cè)重：比如重離子由于其高度電離和短徑跡特性，需要探測(cè)器在前接觸級(jí)具有強(qiáng)電場(chǎng)，適用的F系列探測(cè)器在前接觸級(jí)的場(chǎng)強(qiáng)為20,000V/cm。而對(duì)帶電粒子的時(shí)間譜測(cè)量，需要用ULTRA系列或能承受超電壓的強(qiáng)電場(chǎng)局部耗盡探測(cè)器。