淺析國產(chǎn)存儲面臨的挑戰(zhàn)
當你與一位半導體存儲器行業(yè)的老投資者交談時,你會看到,他面對這個模棱兩可行業(yè)所表現(xiàn)出的冷靜態(tài)度。因為破壞利潤的因素總是存在,而一些因素可能會壓倒你在投資時候的樂觀邏輯。
今天的話題之一是,NAND行業(yè)在其20多年的歷史后進入了真正的轉型時期之一。3D NAND正在成熟,帶來了前所未有的高密度和低成本,從而在數(shù)據(jù)中心和移動設備中帶來了新的機會。
在這些新應用的驅動下,TAM正在上升。在強勁的需求和一些產(chǎn)能限制的支撐下,利潤也在上升。但并非每家公司都同樣受益。
三星占據(jù)了40%的收入份額,利潤份額可能更大。三星之下,是受到動蕩波及的第二大生產(chǎn)商——東芝,正如我們先前所討論的那樣,東芝的動蕩和競爭對手的技術優(yōu)勢為鎂光和英特爾帶來了黃金機會,讓它們在行業(yè)中占據(jù)了一定比例的收入和利潤份額。
存儲產(chǎn)業(yè)將在2020年面臨挑戰(zhàn)這是好日子,對嗎?沒錯,如果我們只考慮未來幾年的話,的確如此,但是2020年以后呢?
在這項業(yè)務中,PE倍數(shù)總是受制于供應和需求的面對面的特性。隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起和數(shù)據(jù)中心的新機遇,需求似乎相對確定。但是供應怎么樣?更大的密度與持續(xù)的技術進步可能嚇到了一些人,但常常被人遺忘的是,從平面到3D的初始轉換會增加40%的芯片成本,此后每一步推進的過程再從晶圓供應中減去10-15%。
總之,當行業(yè)最終將平面晶圓轉換為2019年的第3代(在某些情況下是第4代)時,2016年130萬wpm的NAND容量將縮小到僅500kwpm。
毫無疑問,NAND行業(yè)正在增加3D的容量——鎂光和英特爾各自建立了新的3D制造廠,其他供應商也在增加。但問題是,行業(yè)紀律一直保持得很好。除此之外,我們面臨著平面轉換的中斷和3D產(chǎn)量的問題,所有這些因素的結合使得2017年NAND比特的增長低于40%的復合年均增長率。
根據(jù)預測,排除現(xiàn)在的需求關系(即需求趨勢為40-45%的復合年均增長率),行業(yè)未來的供應動力應當是以下因素的函數(shù):
(1)晶圓廠設備供應商將更強的蝕刻帶來,使得芯片層數(shù)在2018年內超越64層。
(2)字符串堆疊(String stacking)在3-4層的堆疊中有效。
(3)3D產(chǎn)量提高到與平面產(chǎn)量相等(90% +),只有老牌廠商在吹噓這一點。
(4)東芝的收購時間是否嚴重拖延了Flash Ventures的Fab 6。
如果所有這些因素都圓滿解決,那么在2019年或2020年,行業(yè)可能處于供過于求的狀況。如果問題并未解決,那么45%的需求很有可能壓倒超過15-20%的供給量?,F(xiàn)實應該在中間的某個地方,所以折中一下,我同意老牌廠商的同伴給出的幾率。
無論如何,三星將得到40%的份額,但是鎂光和英特爾可以從東芝、西部數(shù)據(jù)和SK海力士取得更多份額,前提是沒有其他變化影響總供給方程。就我個人而言,(正如我所寫的),我覺得需求將超過目前的估計,但即使我的樂觀預測不成立,情況也是行業(yè)的健康牢牢掌握在供應商手中。即使所有的技術推動因素都實現(xiàn)了,對于供應商的稍許約束也將保持行業(yè)良好的利潤。





