在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果半導(dǎo)體是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、元素半導(dǎo)體介紹

元素半導(dǎo)體(element semiconductor)是由同種元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質(zhì)和外界條件變化都會(huì)顯著改變其導(dǎo)電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導(dǎo)體性質(zhì)的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)、灰-錫(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-銻(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。

硅在半導(dǎo)體工業(yè)中獲得最廣泛的應(yīng)用，這在很大程度上得益于二氧化硅的特殊性質(zhì)。首先，二氧化硅薄膜層能夠有效地掩蔽大多數(shù)重要的受主和施主雜質(zhì)的擴(kuò)散，從而為器件制造工藝中的選擇擴(kuò)散提供了最理想的掩膜，使器件的集合圖形可以得到精確的控制;其次，有氧化膜的硅表面比自由表面有更好的電特性，因而硅器件比較容易解決表面的鈍化問題，容易使器件特性獲得良好的重復(fù)性和穩(wěn)定性;此外，由于二氧化硅是一種性能很穩(wěn)定的絕緣體，將它夾在硅與金屬之間構(gòu)成的金屬一氧化物一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。是MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)，這是一種只利用多數(shù)載流子工作的單極性器件。由于化合物半導(dǎo)體材料的氧化物在性質(zhì)上都存在著一些尚難克服的短處，硅MOSFET是目前唯一能夠普遍應(yīng)用的MOS器件。

二、化合物半導(dǎo)體介紹

在看完什么是元素半導(dǎo)體之后，我們?cè)賮砜纯椿衔锇雽?dǎo)體是什么?

通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。包括晶態(tài)無機(jī)化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導(dǎo)體)及其固溶體、非晶態(tài)無機(jī)化合物(如玻璃半導(dǎo)體)、有機(jī)化合物(如有機(jī)半導(dǎo)體)和氧化物半導(dǎo)體等。通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體。主要是二元化合物如：砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等，其次是二元和多元化合物，如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔體生長(zhǎng)單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制備化合物半導(dǎo)體單晶，用外延法、化學(xué)氣相沉積法等制備它們的薄膜和超薄層微結(jié)構(gòu)化合物材料。用于制備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。

三、本征半導(dǎo)體介紹

在看完什么是化合物半導(dǎo)體之后，我們?cè)賮砜纯幢菊靼雽?dǎo)體是什么?

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，在本征半導(dǎo)體中,自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的,稱為電子-空穴對(duì)。因此自由電子和空穴兩種載流子的濃度是相等的。由于物質(zhì)運(yùn)動(dòng),半導(dǎo)體中的電子-空穴對(duì)不斷產(chǎn)生,同時(shí)也不斷會(huì)有電子填補(bǔ)空穴,使電子-空穴對(duì)消失,達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)會(huì)有確定的電子-空穴對(duì)濃度。常溫下,載流子很少,導(dǎo)電能力很弱。當(dāng)溫度升高或光照增強(qiáng)時(shí),激發(fā)出的電子-空穴對(duì)數(shù)目增加,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能將增強(qiáng)。利用本征半導(dǎo)體的這種特性,可以制成熱敏器件和光敏器件,例如熱敏電阻和光敏電阻等,其阻值可以隨溫度的高低和光照射的強(qiáng)弱而變化。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。