在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)混合集成電路的相關(guān)報(bào)道，主要內(nèi)容在于介紹什么是混合集成電路、混合集成電路的特點(diǎn)、混合集成電路的種類以及混合集成電路的基本工藝。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

混合集成電路是由半導(dǎo)體集成工藝與薄(厚)膜工藝結(jié)合而制成的集成電路?；旌霞呻娐肥峭ㄟ^(guò)在基片上形成厚膜或薄膜元件及其互連，然后在同一基片上混合分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微元件，然后進(jìn)行外部封裝而制成的。與分立元件電路相比，混合集成電路具有組裝密度高、可靠性高和電氣性能好的特點(diǎn)。與單片集成電路相比，混合集成電路設(shè)計(jì)靈活、工藝方便、易于多品種小批量生產(chǎn)，并且元件參數(shù)范圍廣、精度高、穩(wěn)定性好，可以承受更高的電壓和更高的功率?；旌霞呻娐分饕糜谀M集成電路、微波集成電路和光電集成電路。它們還用于具有較高電壓和較大電流的特殊電路中?；旌霞呻娐吩谖⒉I(lǐng)域的應(yīng)用尤為突出。

1.特點(diǎn)

混合集成電路將電路中所有組件的功能部件集中在基片上，這基本上可以消除電子組件中的輔助部件以及組件之間的裝配間隙和焊點(diǎn)，從而提高了電子設(shè)備的裝配密度和可靠性。由于這種結(jié)構(gòu)特征，混合集成電路可以用作具有分立組件網(wǎng)絡(luò)難以實(shí)現(xiàn)的電性能的分布式參數(shù)網(wǎng)絡(luò)。 混合集成電路的另一個(gè)特征是改變導(dǎo)體、半導(dǎo)體和電介質(zhì)的三層膜的順序、厚度、面積、形狀和特性，以及它們的引線位置，以獲得具有不同性能的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。

2.種類

存在兩種用于制造混合集成電路的成膜技術(shù)：網(wǎng)印燒結(jié)和真空成膜。用前一種技術(shù)制得的膜稱為厚膜，其厚度通常在15微米以上，而用后一種技術(shù)制得的膜稱為薄膜，其厚度在幾百埃至幾千埃之間。如果混合集成電路的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)是厚膜網(wǎng)絡(luò)，則稱為厚膜混合集成電路。如果是薄膜網(wǎng)絡(luò)，則稱為薄膜混合集成電路。為了滿足微波電路的小型化和集成化的要求，存在微波混合集成電路。根據(jù)組成參數(shù)的集中和分布，該電路分為集中參數(shù)和分布參數(shù)微波混合集成電路。集總參數(shù)電路的結(jié)構(gòu)與常規(guī)厚膜混合集成電路的結(jié)構(gòu)相同，不同之處在于元件尺寸精度更高。分布式參數(shù)電路不同。它的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)不是由視覺(jué)上可區(qū)分的電子組件組成，而是完全由微帶線組成。微帶線的尺寸精度較高，因此薄膜技術(shù)主要用于制造分布式參數(shù)微波混合集成電路。

3.基本工藝

為了促進(jìn)電子設(shè)備中的自動(dòng)化生產(chǎn)和緊密式組裝，混合集成電路的制造使用標(biāo)準(zhǔn)化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片?？梢栽趩蝹€(gè)基板上制造一個(gè)或幾個(gè)功能電路。制造過(guò)程是首先在基片上制造膜式無(wú)源組件和互連，以形成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)，然后安裝半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體集成電路芯片。膜無(wú)源網(wǎng)絡(luò)通過(guò)光刻和成膜方法制造。根據(jù)在基片上的特定處理順序，制造具有各種形狀和寬度的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)膜，這些層彼此結(jié)合以形成各種電子組件和互連。在將整個(gè)電路制成基片之后，將引線焊接，并且在必要時(shí)在電路上涂覆保護(hù)層，最后用外殼密封以成為混合集成電路。

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