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一：前言

什么GD32？GD32是國內開發(fā)的一款單片機，據說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來的。
所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，不過GD32畢竟是不同的產品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了，下面我給大家講一下不同的地方。
二：區(qū)別

01內核

GD32采用二代的M3內核，STM32主要采用一代M3內核，下圖是ARM公司的M3內核勘誤表，GD使用的內核只有752419這一個BUG。
02主頻

使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M
主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，電機控制等操作，GD是一個不錯的選擇。
03供電

外部供電：GD32外部供電范圍是2.63.6V，STM32外部供電范圍是23.6V。GD的供電范圍比STM32相對要窄一點。
內核電壓：GD32內核電壓是1.2V，STM32內核電壓是1.8V。GD的內核電壓比STM32的內核電壓要低，所以GD的芯片在運行的時候運行功耗更低。
04Flash差異

GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關系：0等待周期，當0
Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點，官方給出的數據是這樣的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值100ms， 實際測量60ms 左右。對應的ST 產品Page Erase 典型值 20~40ms。
05功耗

GD的產品在相同主頻情況下，GD的運行功耗比STM32小，但是在相同的設置下GD的停機模式、待機模式、睡眠模式比STM32還是要高的。

06串口

GD在連續(xù)發(fā)送數據的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖。

GD的串口在發(fā)送的時候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD 和STM32 USART的這兩個差異對通信基本沒有影響，只是GD的通信時間會加長一點。
07ADC差異

GD的輸入阻抗和采樣時間的設置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關系：

08FSMC

STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

09103系列RAM