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[導(dǎo)讀]AD9361器件集RF前端與靈活的混合信號(hào)基帶部分為一體,集成頻率合成器,為處理器提供可配置數(shù)字接口。AD9361接收器LO工作頻率范圍為70 MHz至6.0 GHz,發(fā)射器LO工作頻率范圍為47 MHz至6.0 GHz,涵蓋大部分特許執(zhí)照和免執(zhí)照頻段,支持的通道帶寬范圍為200 kHz以下至56 MHz。

兩個(gè)獨(dú)立的直接變頻接收器擁有首屈一指的噪聲系數(shù)和線性度。每個(gè)接收(RX)子系統(tǒng)都擁有獨(dú)立的自動(dòng)增益控制(AGC)、直流失調(diào)校正、正交校正和數(shù)字濾波功能,從而消除了在數(shù)字基帶中提供這些功能的必要性。TheAD9361還擁有靈活的手動(dòng)增益模式,支持外部控制。每個(gè)通道搭載兩個(gè)高動(dòng)態(tài)范圍模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),先將收到的I信號(hào)和Q信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化處理,然后將其傳過可配置抽取濾波器和128抽頭有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波器,結(jié)果以相應(yīng)的采樣率生成12位輸出信號(hào)。

發(fā)射器采用直接變頻架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)較高的調(diào)制精度和超低的噪聲。這種發(fā)射器設(shè)計(jì)帶來了行業(yè)最佳的TX誤差矢量幅度(EVM),數(shù)值不到?40 dB,可為外部功率放大器(PA)的選擇留出可觀的系統(tǒng)裕量。板載發(fā)射(TX)功率監(jiān)控器可以用作功率檢測(cè)器,從而實(shí)現(xiàn)高度精確的TX功率測(cè)量。

完全集成的鎖相環(huán)(PLL)可針對(duì)所有接收和發(fā)射通道提供低功耗的小數(shù)N分頻頻率合成。設(shè)計(jì)中集成了頻分雙工(FDD)系統(tǒng)需要的通道隔離。

2、9361系統(tǒng)構(gòu)成

框架:


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它支持2x2 MIMO通信,收發(fā)各有兩條獨(dú)立的射頻通路。

TX射頻前端構(gòu)成如下圖:


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TX數(shù)據(jù)通路如下圖所示:


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RX射頻前端構(gòu)成如下圖所示:


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RX數(shù)據(jù)通路如下圖所示:


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3、初始化及校準(zhǔn)總述

AD9361在上電之后便會(huì)進(jìn)入休眠狀態(tài)。此時(shí)用戶需要根據(jù)所需參數(shù),對(duì)芯片進(jìn)行初始化配置。其配置包括以下幾方面:

| 基本參數(shù)配置(包含SPI時(shí)鐘頻率、DCXO補(bǔ)償、射頻時(shí)鐘使能)

| BB PLL頻率配置及校準(zhǔn)

| PolyPhase TX Digital Filter的系數(shù)寫入

| PolyPhase RX Digital Filter的系數(shù)寫入

| 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)接口配置

| AuxDAC/AuxADC初始化

| Control_Out端口輸出配置

| GPO端口參數(shù)配置

| 頻率無關(guān)的射頻參數(shù)配置,包括LO Power、VCO&LDO的參數(shù)配置、Charge Pump校準(zhǔn)等)

| T/Rx頻率綜合器參數(shù)配置

| T/Rx工作頻率配置及校準(zhǔn)

| Mixer GM table增益配置

| RX Gain table配置

| RX手動(dòng)增益配置

| T/RX基帶模擬濾波器校準(zhǔn)(tune)

| RX TIA配置及校準(zhǔn)

| 二級(jí)TX濾波器校準(zhǔn)

| ADC初始化

| BB/RF DC校準(zhǔn)

| 發(fā)射數(shù)據(jù)正交性校準(zhǔn)(相當(dāng)于IQ校準(zhǔn))

| TX增益配置

| RSSI及功率測(cè)量的初始化

使用AD9361,我們主要關(guān)注的有五個(gè)方面:一是其中各器件的校準(zhǔn);二是有關(guān)濾波器的配置;三是有關(guān)數(shù)字部分接口的模式、工作方式的配置;四是射頻工作狀態(tài)機(jī)控制;五是有關(guān)T/Rx增益的配置。以下分4節(jié)對(duì)這幾個(gè)方面分別闡述。

4、時(shí)鐘源和RF & BB PLL頻率綜合器

由于時(shí)鐘是整個(gè)芯片的核心,在介紹上節(jié)所述五方面之前,我們先詳述一下AD9361的時(shí)鐘、PLL和頻率綜合器。

4.1 參考時(shí)鐘及DCXO

AD9361使用分?jǐn)?shù)分頻鎖相環(huán)生成一個(gè)本地時(shí)鐘為信號(hào)轉(zhuǎn)換、數(shù)字濾波器、IO端口提供時(shí)鐘源。這些PLL均需要一個(gè)參考時(shí)鐘,這個(gè)時(shí)鐘可以通過外部晶振提供,或者由外部晶體加上一個(gè)可變電容生成所需頻率。在使用外部晶體的情況下,需使用DCXO補(bǔ)償晶體頻率來保證輸出參考時(shí)鐘穩(wěn)定。

4.2 RF & BB PLL 頻率綜合器


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參考時(shí)鐘輸入后,分別進(jìn)入3個(gè)獨(dú)立的PLL(如上圖所示),分別為T/RX頻率綜合器、基帶PLL提供參考時(shí)鐘源。3個(gè)PLL需各自進(jìn)行校準(zhǔn)。

A)TX、RX PLL的鎖定

在FDD模式下,TX和RX的PLL可工作在不同頻率下,它們同時(shí)開啟;TDD模式下,TX和RX的PLL根據(jù)收發(fā)情況輪流開啟。

一般的TDD模式工作狀態(tài)按照Rx-ALERT-Tx-ALERT-Rx跳轉(zhuǎn),基帶通過跳轉(zhuǎn)TXNRX信號(hào)來控制TX、RX狀態(tài)的跳轉(zhuǎn),當(dāng)TXNRX從0跳變到1時(shí),RX PLL關(guān)閉,TX PLL開啟并進(jìn)行重新校準(zhǔn)鎖定,反之TX PLL關(guān)閉,RX PLL開啟并重新校準(zhǔn)鎖定。TDD模式下每次PLL校準(zhǔn)鎖定的時(shí)間大概為45us~60us左右。

不過假如系統(tǒng)每次收發(fā)幀所使用的載波頻率不變,則不需每次打開TX或RX時(shí)重新進(jìn)行校準(zhǔn),而沿用上一次的校準(zhǔn)值。此時(shí)需要在一次校準(zhǔn)過后將寄存器中的VCO Cal比特關(guān)閉,這樣可以明顯得縮短信號(hào)收發(fā)之前,頻率綜合器的穩(wěn)定時(shí)間。

B)Fast Lock模式

假如你的系統(tǒng)需要在多個(gè)頻點(diǎn)上工作,則可以使用Fast Lock模式,它支持保存多個(gè)頻點(diǎn)的頻率控制字,使得頻率變化是,PLL的鎖定時(shí)間更短。然而這種模式TX和RX分別最多只能保存8個(gè)頻點(diǎn),還是有一點(diǎn)局限性。

5、器件校準(zhǔn)

AD9361的校準(zhǔn)及其校驗(yàn)方式簡介如下表所示:


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每次芯片上電或者硬件復(fù)位之后都必須進(jìn)行校準(zhǔn),校準(zhǔn)之后的參數(shù)會(huì)被保存。

校準(zhǔn)的順序由狀態(tài)機(jī)控制,其狀態(tài)如下表所示。由于其中部分校準(zhǔn)需導(dǎo)入其他校準(zhǔn)所得結(jié)果,因此假如多個(gè)校準(zhǔn)同時(shí)使能,則校準(zhǔn)順序由校準(zhǔn)狀態(tài)機(jī)控制。當(dāng)校準(zhǔn)狀態(tài)機(jī)停留在0x1狀態(tài)時(shí),表示校準(zhǔn)完成。

需要注意的是:T/Rx的基帶濾波器校準(zhǔn)不受校準(zhǔn)狀態(tài)機(jī)控制,必須在其他校準(zhǔn)均不進(jìn)行時(shí),進(jìn)行T/Rx基帶濾波器的校準(zhǔn)。


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注1:RF頻率綜合器VCO校準(zhǔn)

AD9361的發(fā)射和接收的頻率綜合器是獨(dú)立的,因此TX和RX的RF VCO校準(zhǔn)需分別進(jìn)行。

在TDD模式下,TXNRX為高代表發(fā)射,TXNRX低代表接收,做RF TX VCO校準(zhǔn)時(shí),TXNRX需拉高;RF RX VCO校準(zhǔn)時(shí),TXNRX拉低。FDD模式下,需要將ENSM調(diào)整到ALERT狀態(tài),隨后使能頻率綜合器校準(zhǔn)。

官方建議無論使用TDD還是FDD工作模式,均可在做RF頻率綜合器VCO校準(zhǔn)時(shí),使用FDD的校準(zhǔn)方式,因?yàn)镕DD校準(zhǔn)的頻率更準(zhǔn)確穩(wěn)定,但是弊端是耗時(shí)較長。

注2:T/Rx模擬濾波器校準(zhǔn)

模擬濾波器校準(zhǔn)有一點(diǎn)需要注意,在進(jìn)行校準(zhǔn)帶寬設(shè)置時(shí),帶寬值需要設(shè)置成BB帶寬的1.6倍,BB帶寬值是基帶復(fù)數(shù)輸出帶寬的一半,即RX為26MHz–0.2MHz,TX為20MHz~0.625MHz。

6、濾波器配置

本節(jié)介紹發(fā)射和接收的濾波器通路。

6.1 發(fā)射濾波器通路

TX濾波器通路總體分為3級(jí)數(shù)字濾波器和兩級(jí)模擬濾波器,示意圖如下圖所示:


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通路輸入為I、Q兩路12bit補(bǔ)碼。

A)TX數(shù)字濾波器

數(shù)字濾波器分為4級(jí),主要用于對(duì)接口I、Q信號(hào)進(jìn)行插值濾波。它們可由用戶控制選通。

第一級(jí)Prog TX FIR支持1倍、2倍、4倍插值,可通過用戶配置最高128階位寬16bit濾波器系數(shù),并且可提供0~-6db濾波器增益。其插值倍數(shù)和濾波器階數(shù)關(guān)系如表所示:


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第二級(jí)HB1是一個(gè)固定2倍插值低通濾波器。其濾波器系數(shù)為[?53, 0, 313, 0, ?1155, 0, 4989, 8192, 4989,0, ?1155, 0, 313, 0, ?53]。頻率幅度相應(yīng)如圖:


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第三級(jí)HB2也是一個(gè)固定2倍插值低通濾波器,系數(shù)為[?9, 0, 73, 128, 73, 0, ?9]。其幅頻相應(yīng)如圖所示。


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第四級(jí)HB3/INT3可實(shí)現(xiàn)2倍或者3倍插值。2倍插值濾波系數(shù)為[1, 2, 1],其幅頻相應(yīng)如圖6-4所示。三倍插值系數(shù)為[36, ?19, 0, ?156, ?12, 0, 479, 223, 0, ?1215, ?993, 0, 3569, 6277,8192, 6277, 3569, 0, ?993, ?1215, 0, 223, 479, 0, ?12, ?156, 0, ?19, 36],幅頻相應(yīng)如圖所示。


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B)TX模擬濾波器

在數(shù)字濾波信號(hào)經(jīng)過DAC轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)之后,需要經(jīng)過低通濾波器在濾除雜散干擾。

模擬濾波器分為兩級(jí),帶寬均可配置。第一級(jí)的帶寬范圍較窄,為625kHz–32MHz,通帶帶寬設(shè)置為信號(hào)帶寬的1.6倍;第二級(jí)的帶寬范圍為2.7MHz~100MHz,通帶帶寬設(shè)置為信號(hào)帶寬的5倍。

6.2 接收濾波器通路

接收通路分為兩級(jí)模擬濾波器和四級(jí)數(shù)字濾波器,連接示意圖如圖所示:


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通路輸出也為12bit補(bǔ)碼。

A)RX模擬濾波器

接收端模擬濾波器也分為兩級(jí),第一級(jí)TIA LPF的可配置帶寬為1MHz–70MHz,配置帶寬設(shè)置為信號(hào)帶寬的2.5倍;第二級(jí)BB LPF的可配帶寬為200kHz~39.2MHz,配置帶寬為信號(hào)帶寬的1.4倍。

B)RX數(shù)字濾波器

數(shù)字通路的4級(jí)濾波器正好是發(fā)射通路的反向。

第一級(jí)HB3/DEC3為2倍或3倍抽取可選。2倍抽取的濾波系數(shù)為[1, 4, 6, 4, 1],其幅頻相應(yīng)如圖所示。3倍抽取濾波器系數(shù)為[55, 83, 0, ?393, ?580, 0, 1914, 4041, 5120, 4041, 1914, 0, ?580,?393, 0, 83, 55]。其幅頻相應(yīng)如圖所示。


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第二級(jí)HB2和第三級(jí)HB1均為2倍抽取的低通濾波器。其系數(shù)如下:

HB2:[?9, 0, 73, 128, 73, 0, ?9]

HB3:[?8, 0, 42, 0, ?147, 0, 619, 1013, 619, 0, ?147, 0, 42, 0, ?8]

HB2的幅頻相應(yīng)如圖6-9,HB3的幅頻相應(yīng)如圖。


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最后一級(jí)Prog RX FIR也支持1倍、2倍、4倍抽取,可通過用戶配置最高128階位寬16bit濾波器系數(shù),并且可提供-12db、-6db、0db、6db濾波器增益。

7、數(shù)字接口詳述

AD9361與數(shù)字基帶的接口示意圖如圖7-1所示:


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數(shù)字接口電平有兩種可配置模式:CMOS和LVDS。

7.1 接口功能介紹

AD9361主要的接口有SPI、數(shù)據(jù)端口P0_D、P1_D、DATA_CLK、FB_CLK、TX_FRAME、RX_FRAME、ENABLE、TXNRX。

| SPI:該芯片集成的SPI接口為4線SPI,可讀可寫,主要用于配置內(nèi)部寄存器。

| P0/1_D:這是數(shù)據(jù)傳輸端口,位寬均為12bit,根據(jù)應(yīng)用模式可配置成輸入、輸出和雙向。

| DATA_CLK:DATA_CLK由AD9361輸出。該時(shí)鐘主要用于RX狀態(tài)外部數(shù)字基帶對(duì)P0_D、P1_D數(shù)據(jù)采樣,數(shù)字基帶生成的數(shù)據(jù)和控制信號(hào)均需為DATA_CLK時(shí)鐘域的,否則可能導(dǎo)致AD9361獲取數(shù)據(jù)時(shí)的采樣問題。CMOS模式下DATA_CLK通過DATA_CLK_P端口輸出。

| FB_CLK:FB_CLK是DATA_CLK反饋到AD9361的數(shù)據(jù)時(shí)鐘。用于AD9361內(nèi)部對(duì)TX_FRAME、ENABLE、TXNRX信號(hào)的上升沿采樣,以及對(duì)于P0_D、P1_D數(shù)據(jù)端口的上升沿和下降沿采樣。注意:FB_CLK必須與DATA_CLK同源(頻率相同,占空比相同),對(duì)兩個(gè)時(shí)鐘的相位沒有要求。CMOS模式下,僅適用FB_CLK_P線。

| RX_FRAME:RX_FRAME用于在接收狀態(tài)下標(biāo)識(shí)P0_D、P1_D的數(shù)據(jù)有效。它可以配置成常高,或是50%占空比的脈沖信號(hào)。

| TX_FRAME:TX_FRAME用于TX狀態(tài)下,標(biāo)識(shí)發(fā)射數(shù)據(jù)有效。其時(shí)序與RX_FRAME類似。發(fā)射狀態(tài)下,TX_FRAME為低,射頻發(fā)射空數(shù)據(jù)。

| ENABLE & TXNRX:ENABLE和TXNRX信號(hào)主要在TDD模式下使用,ENABLE拉高時(shí),根據(jù)TXNRX信號(hào),使射頻芯片進(jìn)入TX或RX狀態(tài),TXNRX為1表示TX,為0表示RX。

7.2 接口模式

AD9361數(shù)字接口模式主要分四個(gè)方面:電平模式(LVDS、CMOS),數(shù)據(jù)速率(Single Data Rate(SDR)、Dual Data Rate(DDR)),端口模式(Dual Port、Single Port)、收發(fā)天線個(gè)數(shù)(1T1R、2T2R)(此處暫時(shí)不詳述)。

A)電平模式

接口電平模式主要根據(jù)電平信號(hào)類型來分類,主要分為兩種:LVDS模式和CMOS模式。它們的區(qū)別體現(xiàn)在可使用的信號(hào)bit位上。

CMOS模式下,各種接口時(shí)序的最高頻率如表所示。


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LVDS模式下,各接口時(shí)序的最高頻率如表所示


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CMOS模式下,所有接口信號(hào)都是單端信號(hào)。在此電平模式下,允許兩組12bit端口P0_D、P1_D并行使用,即允許雙端口時(shí)序。CMOS模式下,單端口信號(hào)TX時(shí)序如圖7-2,RX時(shí)序如圖7-3;P0/1_D和T/Rx_D_P/N的對(duì)應(yīng)關(guān)系可參見硬件連接的spec。


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LVDS模式下,每bit信號(hào)需要P和N兩個(gè)接口,因此24bit接口用作12bit數(shù)據(jù)信號(hào)。LVDS模式下,TX信號(hào)時(shí)序如圖7-4所示,RX信號(hào)時(shí)序如圖所示。


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B)數(shù)據(jù)速率

數(shù)據(jù)速率是針對(duì)數(shù)據(jù)端口和時(shí)鐘的關(guān)系來區(qū)分。主要分為兩種:Single Data Rate(SDR)、Dual Data Rate(DDR)。

SDR的時(shí)序舉例如下圖所示:


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DDR的時(shí)序舉例如圖所示:


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C)端口模式

端口模式的區(qū)分主要根據(jù)使用端口的個(gè)數(shù)上,分為雙端口(Dual Port)和單端口(Single Port)。

單端口如圖所示;雙端口如圖所示。


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8、射頻工作狀態(tài)機(jī)控制

AD9361的工作模式通過狀態(tài)機(jī)(ENSM,enable state machine)控制,ENSM可通過SPI控制狀態(tài)跳轉(zhuǎn),也可以通過ENABLE、TXNRX pin信號(hào)來實(shí)時(shí)控制。不過假如校準(zhǔn)不成功,這些控制均無效。

圖8-1為TDD和FDD模式下,ENSM各狀態(tài)之間的跳轉(zhuǎn)關(guān)系。圖中的TO_ALERT是通過寄存器ENSM Config1控制,它的作用是在ENSM從TX或者RX狀態(tài)跳轉(zhuǎn)到WAIT狀態(tài)后,自動(dòng)進(jìn)入ALERT狀態(tài)。


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ENSM的狀態(tài)定義如表所示。


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8.1 SPI控制

SPI控制跳轉(zhuǎn)與接口時(shí)鐘DATA_CLK非一個(gè)時(shí)鐘域,因此被認(rèn)為是異步跳轉(zhuǎn),默認(rèn)關(guān)閉,可通過ENSM Config1寄存器打開。

ENSM狀態(tài)機(jī)控制寄存器如下表所示:


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其中Force Rx、Force Tx、Force Alert State用于在TDD模式下,SPI控制狀態(tài)機(jī)。而在FDD模式下,F(xiàn)orce Rx信號(hào)是無用的,從ALERT->FDD狀態(tài)通過Force Tx控制。

8.2 ENABLE/TXNRX PIN控制

ENABLE/TXNRX Pin控制跳轉(zhuǎn)默認(rèn)開啟。這種控制模式還分兩種:一種是Pulse Mode;二是Level Mode。

Pulse Mode

PulseMode的Pulse主要是針對(duì)ENABLE信號(hào)而言的。TXNRX主要標(biāo)示下一個(gè)狀態(tài)是跳轉(zhuǎn)到TX還是RX,為1時(shí)跳轉(zhuǎn)TX,為0時(shí)跳轉(zhuǎn)RX。

ENABLE以脈沖的形式給出,脈寬不得小于一個(gè)FB_CLK周期。TDD模式下控制時(shí)序如下圖8-2所示:


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FDD模式下,控制時(shí)序如圖8-3所示


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Level Mode

LevelMode下,ENABLE以電平形式給出,而ENABLE信號(hào)為高時(shí)表示芯片現(xiàn)在處于工作狀態(tài)。而VCO、LDO的上電使能還是要通過SPI配置。

TDD模式下,控制時(shí)序如圖8-4所示:


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FDD模式下,控制時(shí)序如圖8-5所示:


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3、FDD Independent模式

AD9361的TX和RX在FDD模式下允許工作在同一載波頻率下,這就使得FDD模式不局限于僅適用在全雙工系統(tǒng)中。像wifi、藍(lán)牙這樣的半雙工系統(tǒng),也可以使用FDD模式來避開TDD模式下PLL穩(wěn)定時(shí)間較長的問題。而假如FDD模式,TX、RX工作在同一頻率,則會(huì)導(dǎo)致發(fā)送和接收的相互干擾,此時(shí)我們就需要TX、RX支持開關(guān)。

而本小節(jié)的FDD Independent模式便支持收發(fā)開關(guān)獨(dú)立控制,功能開關(guān)是ENSM Config2 D7比特。功能開啟后,可通過TXNRX、ENABLE共同控制TX、RX的開啟關(guān)閉,控制邏輯如表所示。


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這個(gè)模式下,收發(fā)關(guān)閉后,狀態(tài)機(jī)是不會(huì)跳轉(zhuǎn)到FDD FLUSH狀態(tài)的,因此用戶使用時(shí)要控制好時(shí)間,在兩次收或者發(fā)開啟之間留下足夠的時(shí)間清空殘留數(shù)據(jù)。

FDDIndependent模式的Level Mode和Pulse Mode的控制時(shí)序如圖所示:


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8.4 ENSM與RF VCO校準(zhǔn)

ENSM會(huì)輸出一個(gè)內(nèi)部信號(hào),控制TX、RX頻率綜合器校準(zhǔn)。

FDD模式下,TX、RX頻率綜合器會(huì)在兩種情況下進(jìn)行校準(zhǔn),一是ENSM從WAIT->ALERT時(shí),二是頻率控制字寫入時(shí)。而在FDD狀態(tài)下,校準(zhǔn)結(jié)果是保持不變的。

TDD模式下,與FDD類似,會(huì)在ENSM從WAIT->ALERT時(shí)進(jìn)行校準(zhǔn),在頻率控制字寫入時(shí),會(huì)根據(jù)TXNRX判斷,讓當(dāng)前使能的VCO進(jìn)行校準(zhǔn)。

為了節(jié)省功耗,TDD模式下,T/Rx的VCO并一直保持鎖定狀態(tài),在RX使能時(shí),TX VCO會(huì)關(guān)閉,反之亦然。當(dāng)TXNRX改變時(shí),再對(duì)當(dāng)前使能的VCO重新校準(zhǔn)。因此在使用時(shí),ALERT狀態(tài)下應(yīng)該盡早跳轉(zhuǎn)TXNRX來為VCO校準(zhǔn)爭取最大時(shí)間。

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LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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在工業(yè)自動(dòng)化蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,工業(yè)電機(jī)作為核心動(dòng)力設(shè)備,其驅(qū)動(dòng)電源的性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。其中,反電動(dòng)勢(shì)抑制與過流保護(hù)是驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的兩個(gè)環(huán)節(jié),集成化方案的設(shè)計(jì)成為提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能的關(guān)鍵。

關(guān)鍵字: 工業(yè)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)電源

LED 驅(qū)動(dòng)電源作為 LED 照明系統(tǒng)的 “心臟”,其穩(wěn)定性直接決定了整個(gè)照明設(shè)備的使用壽命。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,LED 驅(qū)動(dòng)電源易損壞的問題卻十分常見,不僅增加了維護(hù)成本,還影響了用戶體驗(yàn)。要解決這一問題,需從設(shè)計(jì)、生...

關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源 照明系統(tǒng) 散熱

根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)電源的公式,電感內(nèi)電流波動(dòng)大小和電感值成反比,輸出紋波和輸出電容值成反比。所以加大電感值和輸出電容值可以減小紋波。

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電動(dòng)汽車(EV)作為新能源汽車的重要代表,正逐漸成為全球汽車產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。電動(dòng)汽車的核心技術(shù)之一是電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng),而絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,其性能直接影響到電動(dòng)汽車的動(dòng)力性能和...

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在現(xiàn)代城市建設(shè)中,街道及停車場照明作為基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分,其質(zhì)量和效率直接關(guān)系到城市的公共安全、居民生活質(zhì)量和能源利用效率。隨著科技的進(jìn)步,高亮度白光發(fā)光二極管(LED)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸取代傳統(tǒng)光源,成為大功率區(qū)域...

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LED通用照明設(shè)計(jì)工程師會(huì)遇到許多挑戰(zhàn),如功率密度、功率因數(shù)校正(PFC)、空間受限和可靠性等。

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 功率因數(shù)校正

在LED照明技術(shù)日益普及的今天,LED驅(qū)動(dòng)電源的電磁干擾(EMI)問題成為了一個(gè)不可忽視的挑戰(zhàn)。電磁干擾不僅會(huì)影響LED燈具的正常工作,還可能對(duì)周圍電子設(shè)備造成不利影響,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障。因此,采取有效的硬件措施來解決L...

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開關(guān)電源具有效率高的特性,而且開關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動(dòng)電源

關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 開關(guān)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

關(guān)鍵字: LED 隧道燈 驅(qū)動(dòng)電源
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