一直以來(lái)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一直被三星、海力士、東芝、鎂光等大廠壟斷，三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國(guó)外巨頭占據(jù)80%以上的市場(chǎng)份額，其中三星是領(lǐng)頭羊，市場(chǎng)份額約38%。在DRAM市場(chǎng)，三星、SK海力士、鎂光占據(jù)了超過(guò)90%的市場(chǎng)份額，其中兩家韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市場(chǎng)份額加起來(lái)高達(dá)70%左右。

由于中國(guó)企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲(chǔ)芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國(guó)際大廠所壟斷，特別是韓國(guó)企業(yè)擁有非常高的市場(chǎng)份額，這直接導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。由于三星公司因Note 7自燃事件遭受了60億美元的損失，隨后，存儲(chǔ)芯片發(fā)生暴漲，進(jìn)而帶動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條、以及閃存卡等存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格就開(kāi)始瘋漲，鎂光公司的NAND Flash 64GB MLC 顆粒在幾個(gè)月內(nèi)漲幅超過(guò)25%。

進(jìn)而使華為、小米、OPPO、VIVO等整機(jī)廠商深受其害。

由于當(dāng)下比較特殊的國(guó)際局勢(shì)，NAND Flash高度依賴(lài)外商除了會(huì)使國(guó)內(nèi)廠商在NAND價(jià)格上任憑外商擺布，還有可能受到國(guó)際復(fù)雜環(huán)境變化的影響，一旦供應(yīng)被切斷，對(duì)國(guó)內(nèi)IT產(chǎn)業(yè)的打擊是幾乎是毀滅性的。由此看來(lái)華為等巨頭尋找國(guó)產(chǎn)化“備胎”的計(jì)劃尤為重要。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在64層NAND上取得突破，未來(lái)將有效緩解了在NAND上單一依賴(lài)進(jìn)口供應(yīng)的局面，但是新供應(yīng)鏈的導(dǎo)入需要時(shí)間，在短期市場(chǎng)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品仍然無(wú)法大規(guī)模替代進(jìn)口。

海外并購(gòu)接連碰壁 自主研發(fā)取得成功

本次，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND上取得突破，是十多年持續(xù)研發(fā)的成果。早在2006年，武漢就投資100億元啟動(dòng)武漢新芯項(xiàng)目，經(jīng)過(guò)多年的磨礪和成長(zhǎng)，武漢新芯在存儲(chǔ)器領(lǐng)域已經(jīng)有了一定成果。之后合肥、武漢等5座城市爭(zhēng)奪存儲(chǔ)器基地，由于武漢新芯在這方面已經(jīng)有一定基礎(chǔ)，因而最后武漢取得了勝利。隨后，紫光等國(guó)有資本對(duì)武漢大量注資，并在將武漢新芯的基礎(chǔ)上成立組建了長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

在研發(fā)路線選擇上，紫光選擇同時(shí)走技術(shù)引進(jìn)和自主研發(fā)路線。

就技術(shù)引進(jìn)來(lái)說(shuō)，紫光曾經(jīng)試圖以每股21美元，總價(jià)230億美元的價(jià)格全面收購(gòu)鎂光，結(jié)果沒(méi)能完成收購(gòu)。紫光也試圖以38億美元收購(gòu)西部數(shù)據(jù)15%股權(quán)，然后由西部數(shù)據(jù)出資190億美元“曲線收購(gòu)”閃迪，結(jié)果因受外部勢(shì)力干涉最終不得不終止。之后，還傳出紫光試圖出資53億美元收購(gòu)SK海力士20%的股份，但該收購(gòu)傳聞最終也沒(méi)有結(jié)果。

在海外收購(gòu)頻頻碰壁的同時(shí)，紫光在境外持續(xù)高薪尋找優(yōu)秀的人才，并嚴(yán)格遵守國(guó)際商業(yè)的道德規(guī)則，“只帶人不帶文件”，堅(jiān)持“自己的技術(shù)要靠自己研發(fā)”，紫光集團(tuán)還聘請(qǐng)了在中國(guó)臺(tái)灣省有“存儲(chǔ)教父”之稱(chēng)的高啟全。在整合兩岸技術(shù)團(tuán)隊(duì)之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)啟了自主研發(fā)之路，并在2017年完成32層NAND的小批量生產(chǎn)，在2019年完成了64層NAND量產(chǎn)。

可以說(shuō)，紫光用實(shí)踐說(shuō)明了，在當(dāng)下這個(gè)大環(huán)境下，與外商合作或并購(gòu)的技術(shù)引進(jìn)模式很難走通，與其并購(gòu)或技術(shù)合作，不如直接挖人，組建自己的團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)。畢竟，技術(shù)是隨著人走的，人才是一家半導(dǎo)體企業(yè)最寶貴的財(cái)富。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)獨(dú)創(chuàng)Xtacking架構(gòu)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)本次發(fā)布的64層NAND采用了Xtacking架構(gòu)。根據(jù)公開(kāi)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)搞出的Xtacking架構(gòu)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)百萬(wàn)根金屬垂直互聯(lián)通道將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士指出：

利用Xtacking技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存未來(lái)可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

還有材料指出：

紫光的64層的3D NAND得益于Xtacking技術(shù)，使得產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，比傳統(tǒng)3D NAND擁有更高的存儲(chǔ)密度。這使得紫光的64層的3D NAND單位面積的存儲(chǔ)密度可以接近國(guó)際大廠的96層3D NAND。

因此，紫光的64層NAND是具備一定市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)。根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的最新報(bào)道，64層NAND已于9月正式量產(chǎn)，2020年逐步提升產(chǎn)能，據(jù)業(yè)界傳言，2020年底產(chǎn)能可望提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。由于紫光的64層NAND性能逼近國(guó)際大廠的96層3D NAND，因而可以直接在商業(yè)市場(chǎng)與外商競(jìng)爭(zhēng)。此前還有業(yè)界消息稱(chēng)，紫光會(huì)跳過(guò)96層NAND，直接研發(fā)128層NAND，力爭(zhēng)在技術(shù)上進(jìn)一步縮短與外商的差距，而這些消息目前還未得到官方的證實(shí)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)要重復(fù)京東方的突圍之路

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)只是技術(shù)上取得了突破，而且產(chǎn)能也比較有限。相對(duì)于三星、SK海力士、鎂光、英特爾等國(guó)際大廠，無(wú)論在技術(shù)上，還是在市場(chǎng)份額上都有一定差距。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在原材料、設(shè)備等方面對(duì)外商有較大依賴(lài)，在實(shí)現(xiàn)不被卡脖子方面依然任重道遠(yuǎn)。

因而對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布64層NAND量產(chǎn)，“沸騰體”或“厲害體”是不合時(shí)宜的。在未來(lái)幾年內(nèi)，由于要與三星等國(guó)際巨頭拼刺刀，因而長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能在未來(lái)5年內(nèi)都很難賺到多少錢(qián)，甚至可能會(huì)重復(fù)京東方多年前連續(xù)虧損的發(fā)展歷程。

比較讓人擔(dān)心的是，在媒體一輪“沸騰體”炒作后，之后幾年因?yàn)槠髽I(yè)營(yíng)收和業(yè)績(jī)不夠“沸騰”，然后媒體又來(lái)一輪帶節(jié)奏，抹黑長(zhǎng)江存儲(chǔ)。這并非杞人憂天，京東方就因?yàn)闃I(yè)績(jī)不好看，被媒體譽(yù)為“A股虧損王”。

不過(guò)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也有很多有利的因素。首先是資本上紫光具備與國(guó)際大廠較量的實(shí)力，趙偉國(guó)曾經(jīng)表示，計(jì)劃籌集3700億元為未來(lái)5年準(zhǔn)備充足的“彈藥”，因而紫光能夠?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)提供充足的資金支持。

由于紫光體量巨大，產(chǎn)品線很全，不僅有NAND，還有PCIe NVMe SSD主控芯片，還有H3C這樣的整機(jī)廠，內(nèi)部可以進(jìn)行垂直整合。