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[導(dǎo)讀] 2011年,在TD-LTE-Advanced技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正式4G國(guó)際候選標(biāo)準(zhǔn)的鼓舞下,全球范圍內(nèi)掀起了TD-LTE網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的熱潮。2011年,全球已有沙特電信運(yùn)營(yíng)商沙特電信和Mobily、波蘭運(yùn)營(yíng)商Aero2、日本運(yùn)營(yíng)商軟銀、瑞典運(yùn)營(yíng)商Hi3G、巴西

 

2011年,在TD-LTE-Advanced技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正式4G國(guó)際候選標(biāo)準(zhǔn)的鼓舞下,全球范圍內(nèi)掀起了TD-LTE網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的熱潮。2011年,全球已有沙特電信運(yùn)營(yíng)商沙特電信和Mobily、波蘭運(yùn)營(yíng)商Aero2、日本運(yùn)營(yíng)商軟銀、瑞典運(yùn)營(yíng)商Hi3G、巴西運(yùn)營(yíng)商SKY啟動(dòng)部分規(guī)模TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的商用服務(wù),印度巴帝電信啟動(dòng)TD-LTE商用網(wǎng)絡(luò)部署;確定TD-LTE網(wǎng)絡(luò)商用計(jì)劃的運(yùn)營(yíng)商也增至10家;中國(guó)完成6大城市規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)建設(shè)并初步完成第一階段測(cè)試工作;全球TD-LTE試驗(yàn)網(wǎng)數(shù)量也迅速增至33個(gè)。在TD-LTE網(wǎng)絡(luò)商用及規(guī)模試驗(yàn)階段,數(shù)據(jù)流業(yè)務(wù)成為商用初期和網(wǎng)絡(luò)測(cè)試的主要內(nèi)容。受此需求拉動(dòng),以無(wú)線接入設(shè)備為代表的用戶(hù)終端設(shè)備成為T(mén)D-LTE終端芯片的主要應(yīng)用產(chǎn)品類(lèi)型。

受市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)逐步明朗及整體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境持續(xù)向好的鼓舞,高通、意法愛(ài)立信、美滿(mǎn)(Marvell)、Altair、Sequans等國(guó)際芯片廠商以及海思半導(dǎo)體、中興微電子、創(chuàng)毅視訊、展訊、聯(lián)芯等國(guó)內(nèi)芯片廠商紛紛跟進(jìn)市場(chǎng)需求,先后推出其多?;騿文D-LTE芯片,率先搶占市場(chǎng)先機(jī)。2011年,全球TD-LTE終端芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)40.70萬(wàn)顆,同比爆炸式增長(zhǎng)1708.89%,市場(chǎng)規(guī)模實(shí)現(xiàn)第一次飛躍。

圖12010-2011年全球TD-LTE終端芯片市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)(按銷(xiāo)量)

一、市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

2010年,在上海世博會(huì)和廣州亞運(yùn)會(huì)分別建成TD-LTE演示網(wǎng)絡(luò),并提供高速移動(dòng)寬帶業(yè)務(wù)。因此,到2010年末,中國(guó)TD-LTE終端市場(chǎng)尚未形成,絕大多數(shù)TD-LTE終端產(chǎn)品僅用來(lái)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)技術(shù)測(cè)試或業(yè)務(wù)展示,產(chǎn)品形態(tài)單一且距離真正商用仍有一段距離。中國(guó)TD-LTE終端芯片也主要處于技術(shù)測(cè)試和試用階段。中國(guó)TD-LTE終端芯片主要由產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)廠商為測(cè)試設(shè)備需要而內(nèi)部消耗。

為進(jìn)一步推進(jìn)TD-LTE技術(shù)發(fā)展,從2011年第一季度開(kāi)始,中國(guó)移動(dòng)開(kāi)始在上海、杭州、南京、廣州、深圳、廈門(mén)等6個(gè)城市和北京長(zhǎng)安街沿線進(jìn)行TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的小規(guī)模試驗(yàn)。在規(guī)模試驗(yàn)對(duì)TD-LTE終端測(cè)試產(chǎn)品的需求拉動(dòng)下,2011年中國(guó)TD-LTE終端芯片銷(xiāo)量增至5333顆,實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)313.99%。TD-LTE終端芯片開(kāi)始小量應(yīng)用于終端產(chǎn)品,并由產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)廠商內(nèi)部消耗逐漸開(kāi)始流向普通用戶(hù)市場(chǎng),但總體而言,TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)仍未形成,直接制約了芯片廠商的參與熱情及參與深度。

圖22010-2011年中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)(按銷(xiāo)量)

二、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

受TD-LTE產(chǎn)業(yè)化尚處于初期的影響,2010和2011年中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)應(yīng)用主要以無(wú)線接入設(shè)備為主。2011年應(yīng)用于無(wú)線接入設(shè)備的TD-LTE終端芯片銷(xiāo)量為5248顆,占總銷(xiāo)量的98.40%。另有少量TD-LTE終端芯片應(yīng)用于TD-LTE手機(jī)和便攜式移動(dòng)終端設(shè)備產(chǎn)品中。

圖32011年中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)應(yīng)用產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(按銷(xiāo)售量,單位:萬(wàn)顆)

三、競(jìng)爭(zhēng)格局

目前,中國(guó)TD-LTE終端芯片總體仍然處于規(guī)模試驗(yàn)測(cè)試階段,下游終端市場(chǎng)尚未打開(kāi),國(guó)內(nèi)外芯片廠商市場(chǎng)參與熱情有限,但鑒于中國(guó)龐大的潛在市場(chǎng),眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場(chǎng),加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù),擇機(jī)進(jìn)入終端芯片市場(chǎng)。截止到2011年底,已有海思半導(dǎo)體、創(chuàng)意視訊、高通、中興微電子、以色列Altair公司和法國(guó)Sequans公司先后提交了測(cè)試終端,其中海思半導(dǎo)體、創(chuàng)意視訊和高通率先完成了試點(diǎn)城市第一階段規(guī)模試驗(yàn)。另有聯(lián)芯、重郵信科、展訊、意法愛(ài)立信等廠商芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入測(cè)試階段,聯(lián)發(fā)科、Marvell等十余家芯片廠商明確將發(fā)展支持TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)的芯片產(chǎn)品。中國(guó)TD-LTE終端產(chǎn)品現(xiàn)階段主要應(yīng)用于無(wú)線接入設(shè)備等終端產(chǎn)品,用于配合TD-LTE通信系統(tǒng)廠商進(jìn)行規(guī)模試驗(yàn),TD-LTE終端芯片應(yīng)用產(chǎn)品較為單一。進(jìn)行試點(diǎn)城市規(guī)模試驗(yàn)的TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)廠商直接向芯片廠商定制含TD-LTE芯片的終端產(chǎn)品,成為了TD-LTE終端芯片市場(chǎng)還沒(méi)有徹底形成前的主要銷(xiāo)售方式。隨著試點(diǎn)城市第二階段規(guī)模試驗(yàn)的陸續(xù)展開(kāi),以TD-LTE手機(jī)為代表的下游終端產(chǎn)品放量增長(zhǎng)對(duì)上游TD-LTE終端芯片產(chǎn)生極大的拉動(dòng)作用,將有更多芯片廠商推出自己的TD-LTE終端芯片或其應(yīng)用終端產(chǎn)品,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將有所加劇,但先期進(jìn)入規(guī)模試驗(yàn)的芯片廠商將憑借其前期與產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)廠商的合作關(guān)系,在市場(chǎng)中暫時(shí)保持優(yōu)勢(shì)。TD-LTE正式商用后,在中國(guó)廣闊市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下,國(guó)內(nèi)外芯片廠商將會(huì)蜂擁而至。TD-LTE商用前期蓄勢(shì)待發(fā)的國(guó)內(nèi)外芯片廠商也將快速形成終端產(chǎn)品解決方案,配合通信設(shè)備廠商搶占市場(chǎng)先機(jī)。此時(shí),中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)持續(xù)加劇,芯片價(jià)格逐漸回歸到合理水平,TD-LTE終端芯片廠商在市場(chǎng)定位、價(jià)格策略、渠道建設(shè)等各個(gè)領(lǐng)域展開(kāi)角逐,搶占各自的市場(chǎng)份額。

四、未來(lái)展望

2011年,全球TD-LTE終端芯片在2010年較低市場(chǎng)規(guī)模上實(shí)現(xiàn)了爆炸式增長(zhǎng),也實(shí)現(xiàn)了TD-LTE終端芯片在量和額上的第一階段飛躍。2012年,從全球范圍內(nèi)看,擁有最多用戶(hù)的中國(guó)和印度TD-LTE網(wǎng)絡(luò)預(yù)計(jì)仍未開(kāi)始全國(guó)范圍內(nèi)商用,廣闊的TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)仍未徹底打開(kāi)。雖然,中東、歐洲、亞太已有部分國(guó)家開(kāi)始TD-LTE商用服務(wù),但網(wǎng)絡(luò)覆蓋人口有限。與此同時(shí),全球TD-LTE試驗(yàn)網(wǎng)絡(luò)數(shù)量和規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大,但終端設(shè)備仍以輔助測(cè)試為主。受上述因素制約,下游TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求增速可能減緩,將直接導(dǎo)致上游芯片需求的減弱。預(yù)計(jì)2012年,全球TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)量達(dá)321.25萬(wàn)顆,市場(chǎng)增速降為689.31%。到2013年和2014年,隨著印度、中國(guó)等TD-LTE網(wǎng)絡(luò)商用的陸續(xù)開(kāi)始,TD-LTE終端產(chǎn)品市場(chǎng)有望徹底打開(kāi),產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)廠商迅速進(jìn)入,各種類(lèi)型終端產(chǎn)品從款數(shù)和數(shù)量上都將迅速增加。預(yù)計(jì)2013年和2014年,全球TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)量分別達(dá)3351.00萬(wàn)顆和13404.00萬(wàn)顆,市場(chǎng)同比分別增長(zhǎng)943.11%和300.00%,市場(chǎng)銷(xiāo)量實(shí)現(xiàn)第二階段飛躍。從2012年到2015年,全球TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售量實(shí)現(xiàn)年均復(fù)合增長(zhǎng)率406.60%,全球TD-LTE終端芯片在前期市場(chǎng)高速發(fā)展的基礎(chǔ)上進(jìn)入穩(wěn)定快速成長(zhǎng)期。

圖42012-2015年全球TD-LTE終端芯片市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)(按銷(xiāo)量)

預(yù)計(jì)2012年,在TD-LTE終端產(chǎn)品規(guī)模試驗(yàn)的市場(chǎng)需求拉動(dòng)下,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售量有望達(dá)到10.69萬(wàn)顆,實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)1905.00%。預(yù)計(jì)在2013年至2014年,中國(guó)TD-LTE網(wǎng)絡(luò)可能正式開(kāi)展商用服務(wù),TD-LTE終端和芯片產(chǎn)品市場(chǎng)將徹底打開(kāi)。根據(jù)中國(guó)在TD-SCDMA通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)商用化過(guò)程中的市場(chǎng)增長(zhǎng)情況,以及TD-LTE通信技術(shù)所具有的固有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),預(yù)計(jì)2013年,在商用服務(wù)正式開(kāi)展的強(qiáng)力推動(dòng)下,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售量有望達(dá)到502.66萬(wàn)顆,實(shí)現(xiàn)同比激增4600.70%。到2014年,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售量達(dá)3168.78萬(wàn)顆,實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)530.40%,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)初具規(guī)模。到2015年,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)繼續(xù)增至1.3億顆,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。從2010年到2015年,中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)銷(xiāo)量復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)高達(dá)896.75%。

圖52012-2015年中國(guó)TD-LTE終端芯片市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)(按銷(xiāo)量)
 

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