在半導體芯片制造中，互連金屬對于芯片性能至關(guān)重要。隨著芯片集成度不斷提高，互連金屬的選擇成為影響芯片性能的關(guān)鍵因素。曾經(jīng)，鋁(Al)在半導體互連領(lǐng)域占據(jù)主導地位，但如今，銅(Cu)已成為高性能集成電路的首選互連金屬。這一轉(zhuǎn)變背后，有著諸多深層次的原因。
在電子電路領(lǐng)域，濾波是一項極為重要的技術(shù)手段，其主要目的是去除信號中不必要的頻率成分，保留所需的信號分量，以確保電路的穩(wěn)定運行和信號的準確傳輸。RC 串聯(lián)濾波和單一電容濾波作為兩種常見的濾波方式，雖然都利用電容的特性來實現(xiàn)濾波功能，但在原理、性能以及應(yīng)用場景等方面存在著諸多差異。深入了解這些區(qū)別，有助于工程師和電子愛好者根據(jù)實際需求，選擇更為合適的濾波方案。
大約在1929年，貝爾實驗室經(jīng)過一系列實驗發(fā)現(xiàn)，30Ω和77Ω阻抗的同軸電纜在傳輸大功率信號時表現(xiàn)出色，前者傳輸功率最大，后者信號損耗最小。
示波器帶寬是示波器最重要的參數(shù)之一了，使用示波器來測量信號首要考慮就是示波器帶寬與被測信號頻率是否相匹配，一般在工程上帶寬至少要大于被測信號頻率的2倍，測得的信號才會較為準確。
模擬芯片在電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，負責處理連續(xù)的模擬信號，如放大、濾波、調(diào)制等。然而，由于其工作環(huán)境的復(fù)雜性和自身特性，模擬芯片可能會出現(xiàn)各種失效情況，影響整個系統(tǒng)的性能和可靠性。以下是模擬芯片常見的失效場景清單。
在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域，電氣隔離與信號傳輸技術(shù)的發(fā)展日新月異。光電耦合器與數(shù)字容隔離器作為這一領(lǐng)域的兩大關(guān)鍵技術(shù)，它們猶如兩位不知疲倦的通信使者，在不同的電子系統(tǒng)間，以近乎光速的速度傳遞著信息，保障著電子設(shè)備的穩(wěn)定運行。接下來，讓我們深入了解這兩種技術(shù)的特點、優(yōu)勢及其應(yīng)用場景。
在現(xiàn)代工業(yè)自動化生產(chǎn)線上，機械臂精準抓取零件、數(shù)控機床毫厘不差地切削加工、生產(chǎn)線各環(huán)節(jié)無縫銜接協(xié)同運作，這一系列高效穩(wěn)定的生產(chǎn)場景背后，都跳動著一顆 “隱形心臟”—— 晶振。作為工業(yè)自動化設(shè)備精準控制的核心元件，晶振以穩(wěn)定的時鐘信號 ，為 PLC、變頻器 、工業(yè)機器人等設(shè)備注入強勁動力，保障工業(yè)生產(chǎn)的高效與穩(wěn)定。
在精密模擬電路設(shè)計中，運放穩(wěn)定性問題常隱藏于看似合理的參數(shù)配置中。以經(jīng)典Sallen-Key二階低通濾波器為例，當負載電容（CL）超過100pF時，未補償?shù)倪\放可能因相位裕度不足（PM<45°）引發(fā)振蕩，導致輸出信號出現(xiàn)10%以上的幅度過沖或持續(xù)等幅振蕩。本文通過理論分析與實際測試數(shù)據(jù)，揭示容性負載補償中的常見誤區(qū)，并結(jié)合LTspice仿真與硬件驗證，提出一套基于相位裕度優(yōu)化的補償方法，使濾波器在500pF容性負載下仍能保持65°以上相位裕度。
在精密模擬電路設(shè)計中，電源噪聲與共模干擾已成為制約系統(tǒng)信噪比的核心瓶頸。以16位ADC采集系統(tǒng)為例，電源紋波每增加1mV可能引入0.5LSB的量化誤差，而共模干擾通過寄生電容耦合至差分輸入端時，可使有效位數(shù)（ENOB）下降2~3位。本文提出一種基于電源抑制比（PSRR）優(yōu)化與電磁兼容（EMC）防護的協(xié)同設(shè)計方法，通過多級去耦網(wǎng)絡(luò)與共模扼流圈的聯(lián)合應(yīng)用，在醫(yī)療電子設(shè)備中實現(xiàn)噪聲抑制>60dB，共模干擾衰減>85dB的技術(shù)突破。
它涵蓋了從音頻和視頻信號的采集、編碼、傳輸?shù)浇獯a、播放的整個過程，并且能夠支持多種終端設(shè)備的接入和使用。
在開關(guān)電源中，如果MOS管的關(guān)斷和導通速度不夠快，也會產(chǎn)生附加的功率損耗?。
電磁輻射是由同向振蕩且互相垂直的電場與磁場在空間中以波的形式傳遞動量和能量，其傳播方向垂直于電場與磁場構(gòu)成的平面。
TVS二極管與常見的穩(wěn)壓二極管的工作原理相似，如果高于標志上的擊穿電壓，TVS二極管就會導通，與穩(wěn)壓二極管相比，TVS二極管有更高的電流導通能力。
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，現(xiàn)代電子測量裝置往往需要負電源為其內(nèi)部的集成電路芯片與傳感器供電。如集成運算放大器、電壓比較器、霍爾傳感器等。
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