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TI TLV9052低功耗運(yùn)算放大器在貿(mào)澤開(kāi)售高壓擺率等特性使其成為電池供電設(shè)備的理想之選

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) TLV9052運(yùn)算放大器。此雙通道運(yùn)算放大器具有高壓擺率和低靜態(tài)電流，非常適合電池供電型電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用以及大型家電、光電二極管放大器、傳感器信號(hào)調(diào)理器和低側(cè)電流檢測(cè)。

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2019-03-22

instruments 貿(mào)澤運(yùn)算放大器 texas
重大突破！我國(guó)研制出單片集成全硅發(fā)光器件

據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道，電子科技大學(xué)徐開(kāi)凱課題組借助標(biāo)準(zhǔn)硅IC工藝研制出單片集成的全硅發(fā)光器件，實(shí)現(xiàn)基于PN結(jié)級(jí)聯(lián)的高效多晶硅光源。

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2019-03-22

pn結(jié) 光電器件硅發(fā)光器件
意法半導(dǎo)體的先進(jìn)IGBT專(zhuān)為軟開(kāi)關(guān)優(yōu)化設(shè)計(jì) 可提高家電感應(yīng)加熱效率

意法半導(dǎo)體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT兩款產(chǎn)品能夠在軟開(kāi)關(guān)電路中實(shí)現(xiàn)最佳的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能，提高諧振轉(zhuǎn)換器在16kHz-60kHz開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)的能效。

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2019-03-22

意法半導(dǎo)體 igbt 續(xù)流二極管
用二極管設(shè)計(jì)：保護(hù)敏感元件

在雷達(dá)或無(wú)線(xiàn)電接收器中，敏感型低噪聲放大器 (LNA) 在承受較大的輸入信號(hào)時(shí)必定會(huì)發(fā)生損壞。那么，有什么解決方案?

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2019-03-19

二極管保護(hù)敏感元件
金屬氧化物壓敏電阻、靜電二極管、陶瓷氣體放電管等產(chǎn)品全面擴(kuò)充，世強(qiáng)代理碩凱電子

十大本土分銷(xiāo)商世強(qiáng)與碩凱電子簽訂代理協(xié)議。此后，碩凱電子的陶瓷氣體放電管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、金屬氧化物壓敏電阻、靜電二極管等全線(xiàn)產(chǎn)品都可在世強(qiáng)進(jìn)行購(gòu)買(mǎi)，保障100%正品、現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨、交付準(zhǔn)時(shí)、價(jià)格優(yōu)惠。

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2019-03-19

壓敏電阻金屬氧化物靜電二極管
重大突破！中國(guó)科學(xué)家研制出新型超高導(dǎo)電材料，電導(dǎo)率是石墨烯一千倍

報(bào)道稱(chēng)，修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。同時(shí)，區(qū)別于超導(dǎo)材料只能在零下幾十度超低溫下應(yīng)用，新材料砷化鈮的高電導(dǎo)機(jī)制即使在室溫下仍然有效。這一發(fā)現(xiàn)也為材料科學(xué)尋找高性能導(dǎo)體提供了一個(gè)可行思路，在降低電子器件能耗等方面有重大價(jià)值。

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2019-03-19

石墨烯電導(dǎo)率超高導(dǎo)電材料
具有超低溫漂的精確電流和電壓測(cè)量的新型隔離IC

Silicon Labs(亦稱(chēng)“芯科科技”)日前推出一系列隔離模擬放大器、電壓傳感器和Delta-Sigma調(diào)制器(DSM)器件，設(shè)計(jì)旨在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供超低溫漂的精確電流和電壓測(cè)量。

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2019-03-19

Silicon labs 電壓傳感器隔離ic
讓變頻空調(diào)更節(jié)能，ROHM推出600V 超級(jí)結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。

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2019-03-19

MOSFET rohm 變頻空調(diào)
安森美推出新的工業(yè)級(jí)和符合車(chē)規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)是具有專(zhuān)利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計(jì)用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。

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2019-03-19

安森美 MOSFET sic 寬禁帶技術(shù)
顯著節(jié)約能耗，德州儀器推出首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率德州儀器(TI) (納斯達(dá)克代碼: TXN)近日推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。它們不僅能夠提供出色的監(jiān)控能力，還可為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑

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2019-03-19

MOSFET sic ibgt
TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅(jiān)強(qiáng)屏障

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

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2019-03-18

MOSFET igbt sic
中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展加速，國(guó)內(nèi)首個(gè)虛擬IDM晶圓廠9月量產(chǎn)！

據(jù)了解，自2018年3月打樁，在各級(jí)主管部門(mén)的支持下，該工程順利推進(jìn)，2018年10月11日主體結(jié)構(gòu)封頂，2019年3月15日設(shè)備搬入、并將于2019年6月投片、2019年9月15日開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。

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2019-03-15

微處理器晶圓廠粵芯半導(dǎo)體
為避免越賣(mài)越虧，達(dá)能關(guān)閉晶圓廠并轉(zhuǎn)讓營(yíng)業(yè)資產(chǎn)

達(dá)能指出，2018年太陽(yáng)能市況驟變，致整體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈于下半年呈現(xiàn)極不穩(wěn)定的狀態(tài)。公司主要產(chǎn)品之多晶硅芯片價(jià)格下跌達(dá)6成，使得市場(chǎng)價(jià)格遠(yuǎn)低于生產(chǎn)制造之現(xiàn)金成本。即使 2019 年以來(lái)價(jià)格略為回穩(wěn)，公司也致力于各項(xiàng)成本降低，但多晶硅芯片價(jià)格卻仍低于現(xiàn)金成本，以致無(wú)法避免賣(mài)越多虧越大的窘境。

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2019-03-14

太陽(yáng)能晶圓廠多晶硅芯片
半導(dǎo)體遇冷、晶圓投資驟降，5G、AI將帶來(lái)下一波增長(zhǎng)？

晶圓廠資本支出，主要來(lái)自于臺(tái)積電、三星、英特爾等大型芯片制造商投入的設(shè)備支出金額，隨著整體晶圓廠投資步調(diào)放緩甚至轉(zhuǎn)趨衰退，意味整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈景氣同步向下，從上游的高通、聯(lián)發(fā)科等IC設(shè)計(jì)商，到臺(tái)積電等晶圓制造商，及日月光等封測(cè)廠，將受影響。

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2019-03-14

半導(dǎo)體晶圓 AI 5G
Littelfuse推出 SIDACtor保護(hù)晶閘管，使CVBS信號(hào)線(xiàn)避免由于過(guò)壓瞬變而損壞

Littelfuse, Inc.今日推出首款PxxxxS4xLRP系列SIDACtor®保護(hù)晶閘管，該器件提供可靠的解決方案用以保護(hù)復(fù)合視頻消隱同步 (CVBS)信號(hào)線(xiàn)路和端口避免由于過(guò)壓瞬變而損壞。

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2019-03-13

littelfuse 晶閘管 pcb布局

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