8吋半導(dǎo)體矽晶圓大廠合晶指出,8吋訂單依舊滿載,不過6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象,稼動率有松動的情況。據(jù)悉,8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢,漲幅可望達(dá)到10%以上,而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個位數(shù)附近。
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產(chǎn)品。
盡管貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火稍歇,但是現(xiàn)在已先行將其中1條產(chǎn)線移回臺灣,并讓客戶進行廠區(qū)認(rèn)證,若是最后25%的關(guān)稅政策仍將實施,公司就會進一步進行產(chǎn)能調(diào)整。
有人問如何解決上海新昇第2、3期的投資支出,擔(dān)心上海新陽在上海新昇的股權(quán)比例會進一步稀釋。對此,上海新陽表示,上海新昇第2、3期的投資采用什么方式、何時投資尚在討論溝通中,就上海新陽而言,任何的決定都會考慮有利于上海新昇的發(fā)展。
TDK株式會社近日宣布CeraCharge™和PowerHap™榮獲ASPENCORE 2018 年“年度高性能無源器件獎”。這是TDK電子(前身EPCOS)在中國的公司首次獲得AspenCore全球電子成就獎 (WEAA)。WEAA旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)。
復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系修發(fā)賢課題組在拓?fù)浒虢饘偕榛k納米片中觀測到了由外爾軌道形成的新型三維量子霍爾效應(yīng)的直接證據(jù),邁出了從二維到三維的關(guān)鍵一步。
據(jù)報道,金氧半場效電晶體(MOSFET)市場出現(xiàn)雜音,有晶圓代工廠透露,客戶需求轉(zhuǎn)趨觀望,12月訂單調(diào)整幅度比往年大,接單感受到壓力。
意法半導(dǎo)體推出MDmesh™系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計。
雖然短期市場需求疲弱,前景不明,被動器件業(yè)者預(yù)期,客戶端庫存消化一段時間后就會再拉貨,且中長期的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)大致仍未改變,車用產(chǎn)品供需依然短缺。
晶門科技有限公司(「晶門科技」)最新推出的全球首顆用于PMOLED(被動矩陣有機發(fā)光二極管)面板的觸控與顯示驅(qū)動器集成(TDDI)芯片SSD7317,榮獲今年的香港工商業(yè)獎 - 科技成就獎。
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今天宣布,面向直流有刷電機和步進電機推出雙H橋[1]驅(qū)動器IC系列的新產(chǎn)品“TC78H653FTG”,該新品可提供移動設(shè)備、家用電子產(chǎn)品及USB驅(qū)動器等干電池供電設(shè)備所需的低電壓(1.8V)和大電流(4.0A)[2]。
雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主,但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中,硅基器件有些捉襟見肘,而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場景。這主要是因為,他們屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特,氮化鎵是3.4電子伏特。
薛添福表示,產(chǎn)能滿足度與市場供給缺口達(dá)3成,且新投資產(chǎn)能還是很有限,新應(yīng)用占去的產(chǎn)能,對于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外,工業(yè)機器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能,至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過,薛添福也看好自家未來產(chǎn)能會比今年多。
德州儀器(TI)今日推出四種微型高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器,每種轉(zhuǎn)換器均具有業(yè)界同類產(chǎn)品中最小尺寸。新數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器可幫助設(shè)計人員在縮減系統(tǒng)板占用空間之余,增加更多智能及功能。DAC80508與DAC70508是八通道高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),分別提供真正的16位和14位分辨率。ADS122C04與ADS122U04是24位高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),分別提供雙線I2C兼容接口及雙線UART兼容接口。
前段時間,晶圓代工業(yè)掀起了一場“撤退潮”。由于摩爾定律的每年工藝微縮愈發(fā)困難,導(dǎo)致研發(fā)投入與產(chǎn)出不均衡,聯(lián)電(UMC)、格芯(Globalfoundries)等行業(yè)巨頭紛紛表示暫停7納米以下先進工藝的研發(fā),專注優(yōu)化現(xiàn)有技術(shù)和市場。行業(yè)分析師認(rèn)為,隨著先進工藝陷入少數(shù)玩家的寡頭壟斷領(lǐng)域,半導(dǎo)體材料和封裝技術(shù)將成為下一波市場熱點。
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