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XL4001 XL4002 XL4102 XL4101 典型應用電路

XL4001 典型應用電路XL4002 典型應用電路XL4102典型應用電路XL4101 典型應用電路

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2010-03-05

應用電路
TTL和CMOS,CMOS電平和TTL電平區(qū)別

1. CMOS是場效應管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大(1～5mA/門

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2017-07-11

cmos ttl
CX20106 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

考慮到調(diào)制解調(diào)時可靠性，利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進行調(diào)制解調(diào)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如下圖所示。前置電路將接收到的信號，轉(zhuǎn)換成 CX2010 可以接收的標準數(shù)字信號，送到CX20106 的①腳，CX20106 的總放

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2010-01-07

電容調(diào)制解調(diào) 檢波帶通濾波器
基于DDS技術(shù)的線性調(diào)頻信號的生成

VHDL是IEEE的工業(yè)標準硬件描述語言，可以描述硬件電路的功能、信號連接關(guān)系及定時關(guān)系，在電子工程領(lǐng)域用來描述、驗證和設計電子線路得到了廣泛的接受和應用。利用DDS技術(shù)的調(diào)制特性產(chǎn)生各種調(diào)制信號簡單方便，容易實現(xiàn)。從文中不難看出，將VHDL語言與DDS技術(shù)結(jié)合起來設計生成調(diào)頻信號，直觀快捷，可操作性很強，必將得到更加廣泛的應用。

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2009-04-02

相位線性調(diào)頻信號 DDS ROM
脈沖電路設計及其分析

脈沖電路是專門用來產(chǎn)生電脈沖和對電脈沖進行放大、變換和整形的電路。家用電器中的定時器、報警器、電子開關(guān)、電子鐘表、電子玩具以及電子醫(yī)療器具等，都要用到脈沖電路。在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路

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2012-05-23

晶體管電路設計電平脈沖電路
上拉電阻下拉電阻以及開漏、推挽方式的總結(jié)

上拉電阻：1、當TTL電路驅(qū)動COMS電路時，如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V)，這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門電路必須加上拉電阻，才能使用。3、為加

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2013-05-02

端口上拉電阻下拉電阻 TTL
Allegro,PADS和Protel三者鋪銅的比較

在PCB LAYOUT的常用設計工具中，Allegro中鋪銅不像PADS中命令中帶有銅copper這個單詞，它是以英文shape來表示的，有多邊形，長方形，圓形等，這有點像Protel的圖標，PADS中則用了四個命令分別是copper, copper cut o

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2012-07-30

Protel ALLEGRO PADS COPPER
一種改善雜散的DDS頻率合成器

摘要：相位舍位及量化噪聲引起的雜散問題一直是數(shù)字頻率合成器研究的重點。針對雜散問題，使用了修正頻率控制字和相位抖動兩種技術(shù)，再結(jié)合延遲疊加方法，很好地降低了幅度量化雜散和相位舍位雜散，提高了系統(tǒng)的信噪

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2009-04-14

時鐘頻率合成器 DDS BSP
如何區(qū)別放大器及比較器？

運放和比較器的區(qū)別:比較器和運放雖然在電路圖上符號相同，但這兩種器件確有非常大的區(qū)別，一般不可以互換，區(qū)別如下:1、比較器的翻轉(zhuǎn)速度快，大約在ns 數(shù)量級，而運放翻轉(zhuǎn)速度一般為us 數(shù)量級(特殊的高速運放除外)。

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2013-05-13

相位放大器比較器補償電路
LED光源在礦井工作面照明燈中的應用

對目前我國煤礦用燈作了簡單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機理。通過光譜分析，得出了LED在實際照明應用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對LED燈隔爆兼本安驅(qū)動電路作了設計并對小功率LED燈進行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應用并具備廣泛發(fā)展前景的。

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2009-04-17

熱阻照明燈 LED光源 BSP
IO開漏、推挽詳解（講的很好）

開漏(open drain)(OC開集，OD開漏)開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。同理，開集電路中的“集”就是指三極管的集電極。開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。一般的用法

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2017-06-29

io開漏推挽
高手經(jīng)驗！電子電路學習筆記58條

下面是在自己重新復習模擬電路和數(shù)字電路時的一些學習經(jīng)驗和想法、知識，分享出來一起學習!1、 HC為COMS電平，HCT為TTL電平2、 LS輸入開路為高電平，HC輸入不允許開路， HC一般都要求有上下拉電阻來確定輸入端無效時

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2017-06-09

電子電路模擬電路
PN結(jié)原理

PN結(jié)（PN junction）。采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。P是positive的縮寫，N是n

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2012-11-06

電容電壓電流電場
DC/DC功率變換器軟開關(guān)技術(shù)及Pspice仿真

本文介紹了軟開關(guān)變換相對于傳統(tǒng)電路中的硬開關(guān)變換的優(yōu)點，對幾種典型的軟開關(guān)進行了敘述和比較，并給出了其中兩個有代表性變換電路的Pspice仿真結(jié)果，最后提出了軟開關(guān)技術(shù)可能的發(fā)展趨勢。

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2009-07-29

軟開關(guān) 功率變換器開關(guān)技術(shù) PSPICE仿真
使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

1 前言用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(

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2009-05-08

開關(guān) 控制柵極電阻 IGBT