在當(dāng)今電子設(shè)備快速發(fā)展的時(shí)代，充電技術(shù)成為了人們關(guān)注的焦點(diǎn)。高壓大電流直充和快充協(xié)議充電是兩種常見的充電方式，它們?cè)诔潆娫怼⒃O(shè)備要求、充電速度、安全性以及對(duì)電池壽命的影響等方面存在著顯著的區(qū)別。
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，鋰電池作為一種高效、便攜的能源存儲(chǔ)解決方案得到了廣泛應(yīng)用。然而，鋰電池在使用過程中面臨著諸多潛在風(fēng)險(xiǎn)，如過流和短路情況，這可能導(dǎo)致電池過熱、損壞甚至引發(fā)安全事故。鋰電池保護(hù)芯片應(yīng)運(yùn)而生，其對(duì)于過流電流和短路電流的監(jiān)測(cè)與控制能力成為保障鋰電池安全穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵因素。
本文深入探討了反激式開關(guān)電源中次級(jí)整流二極管過熱的問題。首先介紹了反激式開關(guān)電源的工作原理以及次級(jí)整流二極管在其中的作用，詳細(xì)分析了導(dǎo)致二極管過熱的多種因素，包括二極管選型不當(dāng)、電流過大、散熱不良、反向恢復(fù)特性不佳以及電路設(shè)計(jì)不合理等。針對(duì)這些問題，提出了相應(yīng)的解決措施，如合理選型、優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、加強(qiáng)散熱管理等，并結(jié)合實(shí)際案例進(jìn)行了說明，旨在為電子工程師解決這一常見問題提供全面的理論與實(shí)踐指導(dǎo)。
本文深入探討了開關(guān)電源并聯(lián)輸出電感嘯叫問題。首先介紹了開關(guān)電源的基本工作原理以及電感在其中的作用，詳細(xì)分析了導(dǎo)致電感嘯叫的多種因素，包括電感飽和、電流紋波、開關(guān)頻率及其諧波、機(jī)械共振等，并結(jié)合理論與實(shí)際應(yīng)用，提出了一系列有效的解決措施，旨在為電子工程師解決這一常見問題提供全面的指導(dǎo)和參考。
在電力電子領(lǐng)域，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇對(duì)于電源系統(tǒng)的性能和效率至關(guān)重要。LCC(電感電容耦合諧振變換器)和 LLC(電感電容電感諧振變換器)是兩種常見的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它們?cè)谠S多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。隨著高壓應(yīng)用需求的不斷增長(zhǎng)，深入了解這兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和區(qū)別，對(duì)于選擇合適的拓?fù)湟詫?shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的高壓電源系統(tǒng)具有重要意義。
隨著可再生能源和電力電子技術(shù)的發(fā)展，單相逆變器在光伏發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用中發(fā)揮著不可或缺的作用。逆變器的主要功能是將直流電源(如光伏電池板)轉(zhuǎn)換為交流電源，以便供給家庭或電網(wǎng)使用。在這個(gè)過程中，調(diào)制方法的選擇對(duì)逆變器的效率具有顯著影響。本文將深入探討單相逆變器的調(diào)制方法，并重點(diǎn)分析何種調(diào)制方法可以達(dá)到最高效率。
隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和快速發(fā)展，對(duì)充電速度的要求越來越高?？斐浼夹g(shù)不斷演進(jìn)，其中 PD(功率傳輸協(xié)議)快充成為主流。在 PD 快充系統(tǒng)中，VBUS(電壓總線) MOS 管起著關(guān)鍵作用。它不僅影響著充電的效率和安全性，還對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能有著重要影響。
在電子電路中，變壓器降壓后整流是常見的電源處理方式。電解電容在其中起著關(guān)鍵作用，其值的選擇直接影響到電源的穩(wěn)定性、紋波大小以及電路的性能。合理選擇電解電容值對(duì)于確保電路正常運(yùn)行至關(guān)重要。
推挽升壓電路在各種電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用，它能夠?qū)⑤斎氲闹绷麟妷恨D(zhuǎn)換為較高的直流電壓。然而，在實(shí)際運(yùn)行過程中，MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的問題常常困擾著工程師們。這不僅影響電路的性能和穩(wěn)定性，還可能導(dǎo)致設(shè)備故障。因此，深入分析 MOS 管發(fā)熱的原因具有重要意義。
傳導(dǎo)輻射干擾(Conducted Emission Interference)是現(xiàn)代電子設(shè)備在工作過程中普遍面臨的一種干擾現(xiàn)象。它是指電磁噪聲通過電源線或信號(hào)線等導(dǎo)體傳播，從而影響其他設(shè)備的性能和穩(wěn)定性。隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，尤其是無線通信、自動(dòng)化控制和智能家居等領(lǐng)域，如何有效降低傳導(dǎo)輻射干擾，成為了設(shè)計(jì)工程師和技術(shù)人員需要面對(duì)的重要挑戰(zhàn)。本文將介紹一些實(shí)用的小技巧，以幫助有效降低傳導(dǎo)輻射干擾。
在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運(yùn)行。事實(shí)上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進(jìn)將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。
反激式轉(zhuǎn)換器具有眾多優(yōu)點(diǎn)，包括成本最低的隔離式電源轉(zhuǎn)換器、輕松提供多個(gè)輸出電壓、簡(jiǎn)單的初級(jí)側(cè)控制器以及高達(dá) 300W 的功率傳輸。反激式轉(zhuǎn)換器用于許多離線應(yīng)用，從電視到手機(jī)充電器以及電信和工業(yè)應(yīng)用。它們的基本操作可能看起來令人生畏，而且設(shè)計(jì)選擇很多，特別是對(duì)于那些以前沒有設(shè)計(jì)過的人來說。讓我們看看 53 VDC 至 12V、5A 連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 反激式的一些關(guān)鍵設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)非凡創(chuàng)新，特別是在實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級(jí)方法相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。
氮化鎵(GaN)基功率半導(dǎo)體在功率轉(zhuǎn)換方面具有許多優(yōu)勢(shì)。它們?cè)谠S多應(yīng)用中的使用不斷增加，例如移動(dòng)設(shè)備的電源適配器和數(shù)據(jù)中心的電源。橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是應(yīng)用最廣泛的 GaN 器件。該器件的退化機(jī)制已被廣泛研究并被納入可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術(shù)固有的特性(例如高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、耐高溫操作以及相對(duì)于硅更高的功率密度)而越來越受到電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的歡迎。因此，基于 SiC 的轉(zhuǎn)換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應(yīng)用的最佳選擇。
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