參量換能器原理和收發(fā)電路設計

1 引 言聲參量陣(Parametric Array)是利用媒質(zhì)的非線性效應，使用換能器(陣)沿同一方向傳播兩個高頻初始波，獲得差頻、和頻等聲波的聲發(fā)射裝置。由于聲吸收系數(shù)與頻率的平方成正比，在聲波的傳播過程中，頻率較高的超

基于TOPSwitch及PI Expert的單端反激式開關電源設計

利用TOPSwilch及PI Expert設計了一種單端反激式多路輸出開關電源。實驗結(jié)果表明，該電源結(jié)構簡單，運行可靠，輸出穩(wěn)定。

一種基于TOP227Y的脈沖開關電源設計

脈沖電源是各種電源設備中比較特殊的一種，它的電壓或電流波形為脈沖狀。其實質(zhì)上是一種通斷的直流電源，其基本工作原理是首先經(jīng)過慢儲能，使初級能源具有足夠的能量，然后向中間儲能和脈沖成形系統(tǒng)放電(或流入能量)

基于C8051F040的程控電源的設計

1 引言　　在各種電子電路實驗中，穩(wěn)壓電源是一種必不可少的儀器，目前實驗所用的電源大多是只有固定電壓輸出(例如常用的有：±5V、±12V或±15V)，其缺點是輸出電壓不可人為的改變，輸出精度和穩(wěn)定性都不高?！　‰S

基于IR21844的電機驅(qū)動控制系統(tǒng)

IR21844是IR公司的橋式驅(qū)動集成電路芯片，它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術，大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求，同時提高了驅(qū)動電路的可靠性。本文介紹了該芯片的主要特點及技術參數(shù)，就芯片典型應用電路進行了分析，并以驅(qū)動N溝通MOSFET管為例介紹了具體應用的改進。

MOSFET開關損耗分析

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優(yōu)化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據(jù)。

國內(nèi)如何選擇“常用開關電源芯片”

選擇電源IC不僅僅要考慮滿足電路性能的要求及可靠性，還要考慮它的體積、重量、延長電池壽命及成本等問題。這里給出一些選擇基本原則以及推薦①采用LDO的最佳條件當要求輸出

一種電阻并聯(lián)在光耦輸入端時的效果分析

光耦的主要作用是在電路中對光電進行隔離，因此光耦的反應速度就變得至關重要。在電路的設計里有很多方法能夠提高光耦的反應速度，在光耦端輸入并聯(lián)電阻就是其中一種方式。

燃料電池車用大功率DC/DC變換器電磁兼容

引言　　目前，燃料電池電動汽車(FCEV)成為我國汽車科技創(chuàng)新主攻方向。燃料電池電動汽車動力系統(tǒng)主要由燃料電池發(fā)動機，DC/DC變換器，蓄電池，電機控制器(變頻器)及電機，整車控制器，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)及CAN總線組成，如

永磁同步電動機矢量控制

0 引言 隨著高性能永磁材料、電力電子技術、大規(guī)模集成電路和計算機技術的發(fā)展，永磁同步電機(PMSM)的應用領域不斷擴大，在數(shù)控機床，機器人等高精度控制領域得到廣泛應用。由于對電機控制性能的要求越來越高，

新型同步整流電路的設計

三相超快恢復二極管整流橋開關模塊

采用混合集成技術，把由六個超快恢復二極管(FBED)芯片組成的三相整流橋和一個作為開關的晶閘管芯片混合集成在一個PPS外殼內(nèi)，制成了“三相FRED整流橋開關模塊”，它主要用于VVVF、SMPS、UPS、逆變焊機、伺服電機傳動放大器等具有直流環(huán)節(jié)的變頻器內(nèi)。簡要地介紹了這種模塊的設計和制作特點、內(nèi)部結(jié)構、應用領域及其主要技術參數(shù)。

基于ARM的太陽能發(fā)電控制系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

引言　　目前，我國國內(nèi)太陽能自動跟蹤器主要有：壓差式太陽能跟蹤器，控放式太陽跟蹤，時鐘式太陽跟蹤器，比較控制式太陽跟蹤器。純機械式的跟蹤器和時鐘式的機電跟蹤器精度偏低，本系統(tǒng)采用了精度相對較高的光敏電

D類音頻功率放大器的評估及應用

下面將簡單介紹D類功放的工作原理，以及基本的測試方法。

利用LM3478設計50W DC-DC升降壓變換器

現(xiàn)代電子技術發(fā)展很快，半導體供應商不斷推出新器件，從而推動電子應用工程師的不斷創(chuàng)新設計，以滿足市場的日益需求。本文介紹的即是基于客戶的需求，應用美國國家半導體公司的新型電流型PWM芯片LM3478及基于SEPIC升降壓原理實現(xiàn)的50W DC-DC 適配器。