幾款不錯的電路圖

場效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出，500W。

場管跟普功率最大不同就是場管是用電壓驅(qū)動，在驅(qū)動級上有些不一樣，沒弄過場管功放，音質(zhì)怎要看你設(shè)計和工藝!

IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管，其導(dǎo)通內(nèi)阻低達(dá)56mΩ，最大電流為33A，耐壓卻有150V，常用于DC/DC的變換器中，當(dāng)然，在數(shù)字功放中，也經(jīng)常應(yīng)用。

其也有不足的地方，其輸入電容為2020pF，和常見的MOS管一樣，在驅(qū)動它時，就要采用特殊電路來驅(qū)動，如同你的電路中的R29和D3并聯(lián)電路，也是業(yè)界慣用手法，其作用是：

當(dāng)沒有R29時，Q7的柵極直接接前面的IC引腳，其內(nèi)部都是圖騰柱電路，由于是容性負(fù)載，都會有振蕩產(chǎn)生，從而使驅(qū)動波形出現(xiàn)振鈴現(xiàn)象，產(chǎn)生的后時是，MOS管開啟不夠，內(nèi)阻大，效率低。 串入R29可以消除這種振蕩，其和后續(xù)的MOS管輸入電容(Ciss)的時間常數(shù)要遠(yuǎn)小于MOS管的開啟時間13ns，而4.7Ω的2020pF的時間常數(shù)為9.5nS，滿足要求。

IRFB33N15D用標(biāo)準(zhǔn)電路(相當(dāng)于R29為3.6Ω)驅(qū)動時，其恢復(fù)時間長達(dá)130nS，這也是MOS管的通病，為了加快關(guān)斷(爭取這9.5nS的時間)，在關(guān)斷時，希望柵級電阻為0，所以會在R29上反向并聯(lián)肖特基二極管D3(其工作頻率可以近GHz)，來加速放電。

IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間，實(shí)際驅(qū)動時，取決于IRS2902S的工作電壓，實(shí)際都在10V左右，肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右(電流1A，但其ΔV/ΔI約為0，動態(tài)內(nèi)阻極低)，已經(jīng)可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下，對關(guān)斷沒有影響。 另外，你要學(xué)習(xí)動態(tài)內(nèi)阻的含義，如同電源，其壓降可能是5V，但其內(nèi)阻可以低達(dá)十幾毫歐。

這個電路里的2顆場效應(yīng)管不能同時導(dǎo)通，所以，在它們工作的時候，要關(guān)斷優(yōu)先，導(dǎo)通稍緩。D3，D4二極管就能夠在驅(qū)動電壓下降的時候，迅速釋放場效應(yīng)管的柵極結(jié)電壓，從而使管子從導(dǎo)通狀態(tài)恢復(fù)到關(guān)斷狀態(tài)的時間大大縮短。而驅(qū)動電壓上升的時候，要通過R29，R27給管子的柵極結(jié)電容充電，從而延緩了管子的導(dǎo)通時間。 就這樣實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷優(yōu)先，導(dǎo)通稍緩的功能，大大的避免了一個管子還沒退出導(dǎo)通，另一個管子已經(jīng)進(jìn)入導(dǎo)通的狀態(tài)。