很多同學(xué)便把這個(gè)結(jié)論應(yīng)用于所有場景，這是不對(duì)的，今日特撰新文，補(bǔ)充、拓寬下電阻噪聲的問題，以及使用采樣電阻的注意事項(xiàng)（ir drop+0 Ωpdn），環(huán)環(huán)相扣，歡迎點(diǎn)贊、收藏、轉(zhuǎn)發(fā)。正所謂陰在陽之內(nèi)，不在陽之對(duì)。凡事有壞...

電線在攜帶電力四處移動(dòng)方面有很多優(yōu)點(diǎn)，但它也有缺點(diǎn)。畢竟，對(duì)于反復(fù)插拔手機(jī)和其他可充電小型設(shè)備，誰沒有過心生厭倦呢？這確實(shí)很麻煩。

眾所周知，當(dāng) V GS 在增強(qiáng)模式下為正時(shí)，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強(qiáng)型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時(shí)的漏電流 I DSS量。增強(qiáng)型 MOSFET 在柵極未通電時(shí)不應(yīng)...

為增進(jìn)大家對(duì)電池的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)電池的幾個(gè)性能參數(shù)予以介紹。

在日常的電氣柜裝配過程中，常常會(huì)面臨費(fèi)時(shí)費(fèi)力的巨大煩惱。根據(jù)德國“裝配機(jī)柜4.0”研究結(jié)果，傳統(tǒng)裝配機(jī)柜過程最耗時(shí)的是規(guī)劃和安裝階段。而其中，項(xiàng)目規(guī)劃和電路圖構(gòu)建占據(jù)了50%以上的規(guī)劃時(shí)間;機(jī)械裝配和線束加工，更是占據(jù)了...

摘 要 : 目前 , 10 kV母線三相電壓不平衡時(shí)有發(fā)生 ,表現(xiàn)為一相或兩相對(duì)地電壓升高 ,其余相降低。不平衡的電壓影響調(diào)度員對(duì)于 線路是否接地的判斷 ,亦有可能造成線路、主變保護(hù)電壓閉鎖功能的失效 ,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?..

（全球TMT2022年6月28日訊）浪潮存儲(chǔ)基于大量的NAND測試數(shù)據(jù)，在反復(fù)探索和實(shí)踐推理過程中發(fā)現(xiàn)了企業(yè)級(jí)固體硬盤普遍面臨三個(gè)挑戰(zhàn)： 首先，NAND特性會(huì)影響數(shù)據(jù)的可靠性。例如NAND中未寫滿數(shù)據(jù)的塊因數(shù)據(jù)保...

為增進(jìn)大家對(duì)MEMS的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)MEMS和CMOS的區(qū)別予以介紹。

為增進(jìn)大家對(duì)電力系統(tǒng)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)電力系統(tǒng)中性點(diǎn)接地方式，以及電力系統(tǒng)調(diào)壓手段予以介紹。

關(guān)于研究大腦的故事也是一個(gè)關(guān)于為此設(shè)計(jì)技術(shù)的故事。過去幾十年最成功的神經(jīng)科學(xué)設(shè)備之一是神經(jīng)探針或微小的針狀大腦植入物，它們可以從單個(gè)神經(jīng)元接收信號(hào)。記錄大腦活動(dòng)提供了一個(gè)獨(dú)特的視角，以了解神經(jīng)元如何在復(fù)雜的電路中進(jìn)行交流...