日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

當(dāng)前位置:首頁(yè) > 電源 > 數(shù)字電源
[導(dǎo)讀]復(fù)雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用越來(lái)越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲(chǔ)陣列等特點(diǎn)使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復(fù)雜控制邏輯、精確時(shí)序邏輯等場(chǎng)合的應(yīng)用。而應(yīng)

復(fù)雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用越來(lái)越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲(chǔ)陣列等特點(diǎn)使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復(fù)雜控制邏輯、精確時(shí)序邏輯等場(chǎng)合的應(yīng)用。而應(yīng)用FPGA中的存儲(chǔ)功能目前還是一個(gè)較新的技術(shù)。本文將介紹在FPGA中構(gòu)造存儲(chǔ)器的方法,特別是結(jié)合高速數(shù)據(jù)采集的特點(diǎn)重點(diǎn)描述雙端口RAM的構(gòu)造方法及其應(yīng)用。

  在FPGA中構(gòu)造存儲(chǔ)器

  許多系列的FPGA芯片內(nèi)嵌了存儲(chǔ)陣列,如ALTERA EPlK50芯片內(nèi)嵌了5K字節(jié)的存儲(chǔ)陣列。因此,在FPGA中實(shí)現(xiàn)各種存儲(chǔ)器,如單/雙端口RAM、單/雙端口ROM、先進(jìn)先出存儲(chǔ)器FIFO等非常方便,而且具有諸多優(yōu)點(diǎn)。其硬件可編程的特點(diǎn)允許開(kāi)發(fā)人員靈活設(shè)定存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)的寬度、存儲(chǔ)器的大小、讀寫控制邏輯等,尤其適用于各種特殊存儲(chǔ)要求的場(chǎng)合。FPGA/FPGA器件可工作于百兆頻率以上,其構(gòu)造的存儲(chǔ)器存取速度也可達(dá)百兆次/秒以上,這樣構(gòu)成的高速存儲(chǔ)器能夠勝任存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量不太大,但速度要求很高的工作場(chǎng)合。

  FPGA中構(gòu)造存儲(chǔ)器主要有兩種方法實(shí)現(xiàn)。一是通過(guò)硬件描述語(yǔ)言如VHDL、AHDL、Verilog HDL等編程實(shí)現(xiàn)。二是調(diào)用MAX+PLUSⅡ自帶的庫(kù)函數(shù)實(shí)現(xiàn)。調(diào)用庫(kù)函數(shù)方法構(gòu)造存儲(chǔ)器較硬件描述語(yǔ)言輸入方式更為方便、靈活、快捷和可靠,故也更常用之。

  利用庫(kù)函數(shù)構(gòu)造雙端口RAM

  在MAX+PLUSⅡ中有幾個(gè)功能單元描述庫(kù)。prim邏輯元庫(kù),包括基本邏輯單元電路,如與、或、非門,觸發(fā)器、輸入、輸出引腳等;mf宏功能庫(kù),包括TTL數(shù)字邏輯單元如74系列芯片;而下文將要詳細(xì)介紹的參數(shù)化雙端口RAM模塊所在的參數(shù)化模塊庫(kù)(mega-lpm)中,包括各種參數(shù)化運(yùn)算模塊(加、減、乘、除)、參數(shù)化存儲(chǔ)模塊(單、雙端口RAM、ROM、FIFO等)以及參數(shù)化計(jì)數(shù)器、比較器模塊等等。庫(kù)中的這些元件功能邏輯描述經(jīng)過(guò)了優(yōu)化驗(yàn)證,是數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的極好選擇。

  mega-lpm庫(kù)中共有五種參數(shù)化雙端口RAM模塊:ALTDPRAM、LPM_RAM_DP、CSDPRAM、LPM_RAM_DQ和LPM_RAM_IO。其中ALTDPRAM和LPM_RAM_DP模塊讀寫有兩套總線,讀和寫有各自的時(shí)鐘線、地址總線、數(shù)據(jù)總線和使能端,可同時(shí)進(jìn)行讀寫操作。除此之外,ALTDPRAM模塊還有一個(gè)全局清零端口。CSDPRAM模塊則有a、b兩組寫端時(shí)鐘線、地址總線、數(shù)據(jù)總線和使能端,可同時(shí)對(duì)RAM進(jìn)行寫操作,但對(duì)RAM讀、寫只能分時(shí)進(jìn)行。LPM_RAM_DQ模塊相對(duì)簡(jiǎn)單,讀與寫共用一組地址總線,有各自的數(shù)據(jù)線和時(shí)鐘線。LPM_RAM_IO模塊只有一組地址總線和數(shù)據(jù)總線。

  mega-1pm函數(shù)庫(kù)中的雙端口RAM模塊全是參數(shù)化調(diào)用,這為設(shè)計(jì)帶來(lái)極大的方便。通過(guò)對(duì)各種參數(shù)的取舍、參數(shù)設(shè)置和組合,再結(jié)合讀寫控制邏輯就可以構(gòu)造出設(shè)計(jì)需要的存儲(chǔ)器模塊。雙端口RAM常見(jiàn)的應(yīng)用模式主要有以下兩種:

  1.存儲(chǔ)器映像方式。該方式可以隨意對(duì)存儲(chǔ)器的任何單元進(jìn)行讀寫操作。其主要應(yīng)用于多CPU的共享數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)傳送等。該方式中,讀、寫控制線、地址總線和數(shù)據(jù)總線有兩套。根據(jù)兩端口之間數(shù)據(jù)的傳送方向?yàn)閱蜗蚧螂p向,又有單向數(shù)據(jù)總線和雙向數(shù)據(jù)總線之分。

  2.順序?qū)懛绞?。該方式?duì)RAM的寫操作只能順序?qū)懭?。這種情況適用于對(duì)象特性與時(shí)間緊密相關(guān)或傳送數(shù)據(jù)與順序密切相關(guān)的場(chǎng)合,如文件傳送、時(shí)序過(guò)程、波形分析等。根據(jù)寫控制邏輯的不同,可對(duì)RAM進(jìn)行循環(huán)寫入或一次寫入方式。該方式下的讀操作可以是存儲(chǔ)器映像讀或順序讀,前一種有較大的靈活性,而后一種則類似于FIFO形式。

  在讀、寫使用獨(dú)立的地址總線和數(shù)據(jù)總線時(shí),可以同時(shí)對(duì)RAM不同單元進(jìn)行讀寫操作。根據(jù)不同控制邏輯的要求,對(duì)讀寫時(shí)鐘、時(shí)鐘使能端口可以適時(shí)設(shè)置,以滿足控制需要。

  下面以LPM_RAM_DP模塊為例介紹庫(kù)函數(shù)法構(gòu)造雙端口RAM的步驟。

  首先在MAX+PLUSⅡ中建立一個(gè)圖形編輯文件。雙擊文件任意空白處彈出庫(kù)函數(shù)選擇窗口。然后從mega-lpm庫(kù)中選擇LPM_RAM_DP模塊。

  在LPM_RAM_DP模塊中共有9個(gè)可配置參數(shù):

  LPM_FILE——指定存儲(chǔ)器的初始化數(shù)據(jù)文件;

  LPM_INDATA——選擇輸入數(shù)據(jù)采用寄存方式還是非寄存方式;

  LPM_NUMWORDS——設(shè)置存儲(chǔ)器的深度(大小);

  LPM_OUTDATA——選擇輸出數(shù)據(jù)采用寄存方式還是非寄存方式;

  LPM_RDADDRESS_CONTROL——決定讀地址控制信號(hào)是寄存方式還是非寄存方式;

  LPM_WIDTH——設(shè)置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)寬度;

  LPM_WIDTHAD——設(shè)置地址總線寬度;

  LPM_WRADDRESS_CONTROL——選擇寫地址控制信號(hào)是寄存方式還是非寄存方式;

  USE_EAB——決定是否使用嵌入式陣列塊。

  雙擊雙端口RAM參數(shù)列表可彈出引腳/參數(shù)設(shè)置窗口。在引腳/參數(shù)設(shè)置窗口可以具體對(duì)雙端口RAM進(jìn)行引腳、參數(shù)設(shè)置??梢愿鶕?jù)具體的對(duì)存儲(chǔ)器的功能要求,決定各種口線的使用與否。例如不想使用rdclken(讀時(shí)鐘使能)信號(hào),則可以將其Status設(shè)置為Unused即可。同時(shí)還可以通過(guò)Inversion項(xiàng)設(shè)定該信號(hào)的初始狀態(tài)(初始值)。在窗口的Parameters參數(shù)設(shè)置處,選擇不同的參數(shù)項(xiàng)后,通過(guò)ParameterValue項(xiàng)可以改變或設(shè)置其相應(yīng)的狀態(tài)或數(shù)值。如想設(shè)置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為8位寬度,則選擇LPM_WIDTH項(xiàng),然后將Parameter Value設(shè)置為8。

  例如要設(shè)計(jì)一個(gè)11位寬數(shù)據(jù),512個(gè)存儲(chǔ)單元,使用讀寫同步時(shí)鐘、不需要讀寫使能端及時(shí)鐘使能端的雙端口RAM。則可以打開(kāi)引腳/參數(shù)設(shè)置窗口,設(shè)置LPM_NUMWORDS為512,LPM_WIDTH為11,LPM_WIDTHAD為9,LPM_INDATA、LPM_OUTDATA、LPM_RDADDRESS_CONTROL和LPM_WRADDRESS_CONTROL為寄存方式,使用嵌入式陣列;rdaddress、rdclock、data、wraddress、wrclock、q為Used,rden、rdclken、wren、wrclken為Unused。
[!--empirenews.page--]其它存儲(chǔ)器的構(gòu)造方法

  不同的存儲(chǔ)器根據(jù)各自特點(diǎn),應(yīng)用場(chǎng)合也不盡相同。ROM存儲(chǔ)器主要用來(lái)存儲(chǔ)“常量”,如系統(tǒng)參數(shù)、波形發(fā)生器的信源等。先進(jìn)先出FIFO存儲(chǔ)器可用于信號(hào)的實(shí)時(shí)不間斷采集,存儲(chǔ)、緩沖兩個(gè)異步時(shí)鐘之間的數(shù)據(jù)傳輸?shù)取?/p>

  ROM、FIFO等存儲(chǔ)器的調(diào)用庫(kù)函數(shù)構(gòu)造方法與雙端口RAM的構(gòu)造方法類似,在mega-lpm庫(kù)中調(diào)用相應(yīng)的模塊單元即可。其中ROM存儲(chǔ)器在庫(kù)中是LPM_ROM模塊,F(xiàn)IFO存儲(chǔ)器在庫(kù)中有CSFIFO、DCFIFO、LPM_FIFO、LPM__FIFO_DC、SCFIFO、SFIFO共六種。需要說(shuō)明的是由于ROM在實(shí)際系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的不可寫入性,在ROM構(gòu)造過(guò)程中要對(duì)ROM存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)初始化。這一操作是通過(guò)設(shè)置PLM_FILE項(xiàng)完成的。在引腳/參數(shù)設(shè)置窗口的Parameters參數(shù)設(shè)置處選擇該項(xiàng),再通過(guò)ParameterValue項(xiàng)確定相應(yīng)的數(shù)據(jù)初始化文件(*.mif)即可。下面是VHDL格式的ROM數(shù)據(jù)初始化文件(文件可用任何文本編輯器實(shí)現(xiàn)):

  

  

  雙端口RAM在高速數(shù)據(jù)采集中的應(yīng)用

  利用傳統(tǒng)方法設(shè)計(jì)的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)由于集成度低、電路復(fù)雜,高速運(yùn)行電路干擾大,電路可靠性低,難以滿足高速數(shù)據(jù)采集工作的要求。應(yīng)用FPGA可以把數(shù)據(jù)采集電路中的數(shù)據(jù)緩存、控制時(shí)序邏輯、地址譯碼、總線接口等電路全部集成進(jìn)一片芯片中,高集成性增強(qiáng)了系統(tǒng)的穩(wěn)定性,為高速數(shù)據(jù)采集提供了理想的解決方案。下面以一個(gè)高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)為例介紹雙端口RAM的應(yīng)用。

  該系統(tǒng)要求實(shí)現(xiàn)對(duì)頻率為5MHz的信號(hào)進(jìn)行采樣,系統(tǒng)的計(jì)算處理需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行波形分析,信號(hào)采樣時(shí)間為25μs。根據(jù)設(shè)計(jì)要求,為保證采樣波形不失真,A/D采樣頻率用80MHz,采樣精度為8位數(shù)據(jù)寬度。計(jì)算得出存儲(chǔ)容量需要2K字節(jié)。

  根據(jù)設(shè)計(jì)要求,雙端口RAM的LPM_WIDTH參數(shù)設(shè)置為8,LPM_WIDTHAD參數(shù)設(shè)置為11(211=2048),使用讀寫使能端及讀寫時(shí)鐘。ADCLK、WRCLK和地址發(fā)生器的計(jì)數(shù)頻率為80MHz。

  A/D轉(zhuǎn)換值對(duì)雙端口RAM的寫時(shí)序?yàn)轫樞驅(qū)懛绞?,每完成一次A/D轉(zhuǎn)換,存儲(chǔ)一次數(shù)據(jù),地址加1指向下一單元,因此寫地址發(fā)生器(RAM_CONTROL)采用遞增計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn),計(jì)數(shù)頻率與ADCLK、WRCLK一致以保證數(shù)據(jù)寫入時(shí)序的正確性。寫操作時(shí)序由地址和時(shí)鐘發(fā)生器、A/D轉(zhuǎn)換時(shí)鐘和雙端口RAM的寫時(shí)鐘產(chǎn)生。停止采樣時(shí)AD_STOP有效,寫地址發(fā)生器停止計(jì)數(shù),同時(shí)停止對(duì)RAM的寫操作。將地址發(fā)生器的計(jì)數(shù)值接至DSP總線可以獲取采樣的首尾指針。地址發(fā)生器單元一般用(VHDL)語(yǔ)言編程實(shí)現(xiàn),然后生成符號(hào)文件RAM_CONTROL在上層文件調(diào)用。其部分VHDL語(yǔ)言程序如下:

  

  對(duì)雙端口RAM的讀操作采用存儲(chǔ)器映像方式,其讀出端口接DSP的外擴(kuò)RAM總線,DSP可隨機(jī)讀取雙端口RAM的任一單元數(shù)據(jù),以方便波形分析。 由于LPM_RAM_DP模塊的讀端數(shù)據(jù)總線q不具有三態(tài)特性,因此調(diào)用三態(tài)緩沖器74244,通過(guò)其將輸出數(shù)據(jù)連接到DSP數(shù)據(jù)總線上。

  在高速數(shù)據(jù)采集電路中,數(shù)據(jù)緩存也可以用FIFO或單端口RAM實(shí)現(xiàn)。用FIFO進(jìn)行數(shù)據(jù)緩存,由于其已經(jīng)把地址發(fā)生部分集成在模塊單元內(nèi),因此省去了一部分程序編寫,但是DSP卻不能任意地訪問(wèn)FIFO的存儲(chǔ)單元,只能是順序?qū)懭耄x出數(shù)據(jù),這樣設(shè)計(jì),系統(tǒng)的靈活性就大大降低。如果DSP的分析計(jì)算需要特定單元的數(shù)據(jù),則系統(tǒng)的效率和速度會(huì)因?yàn)闊o(wú)效數(shù)據(jù)的讀取而降低。使用單端口RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)緩存同樣存在一些問(wèn)題。由RAM側(cè)看,DSP和A/D轉(zhuǎn)換器是掛在一條總線上的,當(dāng)從RAM向DSP傳輸數(shù)據(jù)的時(shí)候,A/D轉(zhuǎn)換器就不能有數(shù)據(jù)傳到該總線上,否則會(huì)產(chǎn)生總線沖突,引起芯片損壞。解決這個(gè)問(wèn)題就需要增加電路。應(yīng)用雙端口RAM就不存在這個(gè)問(wèn)題,而且使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)劃分更明確,符合模塊化設(shè)計(jì)思想。

  結(jié)語(yǔ)

  綜上所述,利用FPGA芯片的高速工作特性,以及其內(nèi)部集成嵌入式陣列和大規(guī)模邏輯陣列的特點(diǎn),設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器,三態(tài)緩存器、地址發(fā)生器、以及復(fù)雜的時(shí)序邏輯電路等,應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)采集電路中可以使電路大大簡(jiǎn)化,性能提高。同時(shí)由于FPGA可實(shí)現(xiàn)在系統(tǒng)編程(ISP),使系統(tǒng)具有可在線更新、升級(jí)容易等特點(diǎn),是一種較為理想的系統(tǒng)及電路實(shí)現(xiàn)方法。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

June 24, 2025 ---- 近期市場(chǎng)對(duì)于NVIDIA RTX PRO 6000系列產(chǎn)品的討論聲量高,預(yù)期在需求支撐下,整體出貨將有不俗表現(xiàn)。然而,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷認(rèn)為,該系列產(chǎn)品受...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 供應(yīng)鏈 邊緣AI

在人工智能訓(xùn)練、實(shí)時(shí)圖形渲染與科學(xué)計(jì)算領(lǐng)域,存儲(chǔ)器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作,分別通過(guò)三維堆疊與信號(hào)調(diào)制技術(shù)的突破,為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 HBM3

傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)逼近物理極限,鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性,成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過(guò)將鐵電材料集成至晶體管柵極,實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)與邏輯功能的深度融合,其物理...

關(guān)鍵字: FeFET 存儲(chǔ)器

數(shù)字化轉(zhuǎn)型與人工智能技術(shù)驅(qū)動(dòng),數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)磁盤陣列向全閃存與新型內(nèi)存技術(shù)的深度變革。全閃存陣列(AFA)憑借亞毫秒級(jí)延遲與高IOPS性能重塑存儲(chǔ)性能基準(zhǔn),而持久化內(nèi)存(PMEM)則通過(guò)填補(bǔ)DRAM與SSD...

關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)中心 存儲(chǔ)器

AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張,存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化,ECC技術(shù)正通過(guò)多維度創(chuàng)新,將內(nèi)存錯(cuò)誤率降低至每萬(wàn)億小時(shí)1次以下,為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 ECC

存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈安全已成為國(guó)家戰(zhàn)略的核心命題,從晶圓代工到封裝測(cè)試,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正通過(guò)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)突破與生態(tài)重構(gòu),走出一條從“受制于人”到“自主可控”的替代之路。這條路徑不僅關(guān)乎產(chǎn)業(yè)安全,更承載著數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的技術(shù)主權(quán)。

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 國(guó)產(chǎn)化替

AI算力需求爆炸式增長(zhǎng),存儲(chǔ)器封裝技術(shù)正經(jīng)歷從2.5D到3D異構(gòu)集成的范式變革。這種變革不僅重構(gòu)了芯片間的物理連接方式,更對(duì)散熱設(shè)計(jì)與信號(hào)完整性提出了全新挑戰(zhàn)。本文從封裝架構(gòu)演進(jìn)、散熱機(jī)制創(chuàng)新與信號(hào)完整性保障三個(gè)維度,解...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 散熱

數(shù)據(jù)成為核心生產(chǎn)要素的時(shí)代,存儲(chǔ)器安全技術(shù)已成為保障數(shù)字資產(chǎn)隱私與完整性的關(guān)鍵防線。從早期基于硬件的加密引擎到現(xiàn)代可信執(zhí)行環(huán)境(TEE)的生態(tài)構(gòu)建,存儲(chǔ)器安全技術(shù)經(jīng)歷了從單一防護(hù)到體系化協(xié)同的演進(jìn)。本文從硬件加密引擎、存...

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 TEE

May 13, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新半導(dǎo)體封測(cè)研究報(bào)告,2024年全球封測(cè)(OSAT)市場(chǎng)面臨技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)重組的雙重挑戰(zhàn)。從營(yíng)收分析,日月光控股、Amkor(安靠)維持領(lǐng)先地位,值得...

關(guān)鍵字: 自制化 AI 汽車電子 存儲(chǔ)器

像任何行業(yè)幫助開(kāi)發(fā)可編程邏輯應(yīng)用程序一樣,我們使用標(biāo)準(zhǔn)接口來(lái)實(shí)現(xiàn)重用和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在FPGA開(kāi)發(fā)中最流行的接口是Arm可擴(kuò)展接口(AXI),它為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)完整的高性能,如果需要的話,還可以緩存相干存儲(chǔ)器映射總線。

關(guān)鍵字: FPGA ARM 存儲(chǔ)器
關(guān)閉