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  • 汽車電機驅動功率模塊的冷卻解決方案

    隨著汽車電動化程度的不斷提高，電機驅動功率模塊的性能和可靠性愈發(fā)重要。然而，這些模塊在工作過程中會產(chǎn)生大量熱量，若不能及時有效地散發(fā)出去，將導致模塊溫度過高，進而影響其性能和壽命。例如，IGBT 模塊在導通和關斷過程中會產(chǎn)生功率損耗，這些損耗以熱量的形式釋放出來。而且，汽車運行工況復雜多變，功率模塊的發(fā)熱情況也隨之動態(tài)變化，這對冷卻系統(tǒng)的適應性提出了很高要求。

  • 內置增益設置電阻的放大器和分立差動放大器的區(qū)別

    在電子電路設計領域，放大器是極為關鍵的元件，用于增強電信號的幅度，以滿足各類電子設備的需求。內置增益設置電阻的放大器和分立差動放大器是兩種常見類型，它們在電路結構、性能表現(xiàn)、成本以及設計靈活性等方面存在諸多不同。深入了解這些差異，有助于工程師在設計電路時做出更合適的選擇，確保電路性能最優(yōu)化。

  • 如何輕松解決 ESD 靜電問題

    在現(xiàn)代科技高速發(fā)展的今天，靜電問題如影隨形，尤其是靜電放電(ESD)帶來的危害不容小覷。ESD 可能會導致電子元件損壞、設備故障，甚至引發(fā)火災等嚴重后果，影響生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質量。但別擔心，只要掌握科學的方法，ESD 靜電問題是可以輕松解決的。接下來，我們就深入探討如何有效應對 ESD 靜電問題。

  • 可控硅在交流通路中的關閉原理與實現(xiàn)方法

    可控硅，即晶閘管，作為一種功率半導體器件，憑借其能夠在高電壓、大電流條件下實現(xiàn)電能控制的特性，被廣泛應用于工業(yè)控制、電力電子等眾多領域。在交流電路中，可控硅可用于調壓、整流、變頻等多種功能。然而，要實現(xiàn)精確的電能控制，不僅需要掌握可控硅的導通方法，更要深入理解其在交流通路下的關閉機制。本文將詳細探討可控硅在交流通路情況下的關閉原理與具體實現(xiàn)方法。

  • 基于Kubernetes的EDA容器化部署：高并發(fā)物理驗證的資源隔離方案

    隨著芯片設計復雜度突破千億晶體管，傳統(tǒng)物理驗證（Physical Verification, PV）工具面臨資源爭用、任務調度混亂等問題。本文提出一種基于Kubernetes的EDA容器化部署方案，通過資源隔離、動態(tài)調度與彈性伸縮技術，在AWS云平臺上實現(xiàn)高并發(fā)物理驗證。實驗表明，該方案可使DRC/LVS驗證任務并發(fā)量提升5倍，關鍵任務響應時間縮短70%，資源利用率從45%提升至88%。通過結合cgroups、NetworkPolicy和自定義資源定義（CRD），本文為超大規(guī)模芯片設計提供了安全、高效的云端物理驗證環(huán)境。

  • 先進工藝節(jié)點BTI/HCI效應建模：老化感知的時序收斂方法

    隨著7nm及以下工藝節(jié)點的普及，負偏置溫度不穩(wěn)定性（NBTI/PBTI）和熱載流子注入（HCI）效應已成為影響芯片長期可靠性的關鍵因素。本文提出一種基于物理機理的老化感知時序收斂方法，通過建立BTI/HCI聯(lián)合老化模型，結合靜態(tài)時序分析（STA）與動態(tài)老化追蹤技術，實現(xiàn)從設計階段到簽核階段的全流程老化防護。實驗表明，該方法可使芯片在10年壽命周期內的時序違規(guī)率降低92%，同時保持小于5%的面積開銷。

  • 開源時序分析工具OpenTimer優(yōu)化：O(n)復雜度路徑提取算法實現(xiàn)

    隨著先進制程下芯片規(guī)模突破百億門級，傳統(tǒng)時序分析工具在路徑提取階段面臨計算復雜度指數(shù)級增長的問題。本文針對開源時序分析工具OpenTimer提出一種基于拓撲剪枝與動態(tài)規(guī)劃的O(n)復雜度路徑提取算法，通過消除冗余計算、優(yōu)化數(shù)據(jù)結構及并行化處理，使大規(guī)模電路的時序路徑提取效率提升兩個數(shù)量級。實驗表明，在3nm工藝28億晶體管GPU設計中，該算法將關鍵路徑分析時間從12小時縮短至42分鐘，內存占用降低65%，為開源EDA工具的產(chǎn)業(yè)化應用提供了關鍵支撐。

  • 把兩個輸出電壓不同的穩(wěn)壓芯片的輸出腳接在一起會發(fā)生什么?

    在電子電路設計與實踐中，穩(wěn)壓芯片是維持穩(wěn)定輸出電壓的關鍵組件。然而，當我們將兩個輸出電壓不同的穩(wěn)壓芯片的輸出腳連接在一起時，會引發(fā)一系列復雜的物理現(xiàn)象和潛在風險。這一操作不僅違反了常規(guī)的電路設計原則，還可能對電路系統(tǒng)造成不可逆的損害。接下來，我們將從電路原理、實際影響等多個角度深入探討這一問題。

  • 開關電源地彈抑制：分割地層與磁珠選型的量化評估準則

    在開關電源設計中，地彈噪聲（Ground Bounce）引發(fā)的邏輯誤觸發(fā)、信號完整性劣化及電磁輻射問題已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心瓶頸。某DC-DC轉換器在12V轉3.3V電路中，因布局不合理導致1%產(chǎn)品無法啟動，經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)地彈噪聲使COMP引腳電壓跌破-0.5V閾值，觸發(fā)芯片保護模式。本文提出基于分割地層與磁珠選型的量化評估準則，結合物理公式與仿真驗證，實現(xiàn)地彈噪聲抑制30dB以上的效果。

  • 電力電子設備在轉換電能過程中的效率如何計算

    電力電子效率?是指電力電子設備在轉換電能過程中的效率，通常定義為輸出功率與輸入功率的比值。

  • 航空航天PCB抗輻照設計：三防漆選型與單粒子效應防護布局

    航空航天領域對電子設備的可靠性要求極高，尤其是在復雜的太空環(huán)境中，PCB（印制電路板）面臨著輻射、極端溫度、濕度等多種惡劣因素的挑戰(zhàn)。輻射是其中最為關鍵的影響因素之一，它可能導致PCB上的電子元件性能下降甚至失效，嚴重影響航天器的正常運行。抗輻照設計成為航空航天PCB設計的核心任務，其中三防漆選型與單粒子效應防護布局是兩個至關重要的方面。

  • 超薄芯板（≤50μm）量產(chǎn)工藝：機械鉆孔微孔偏斜控制與無膠填孔技術

    隨著電子設備向小型化、輕量化和高性能化方向發(fā)展，對印制電路板（PCB）的集成度和性能要求日益提高。超薄芯板（芯板厚度≤50μm）因其能夠顯著減小PCB的厚度、提高布線密度和信號傳輸速度，成為高端電子產(chǎn)品的關鍵材料。然而，超薄芯板的量產(chǎn)工藝面臨諸多挑戰(zhàn)，其中機械鉆孔微孔偏斜控制和無膠填孔技術是亟待解決的關鍵問題。

  • 什么是系統(tǒng)級的片上系統(tǒng)

    系統(tǒng)級芯片(System on Chip，簡稱SoC)，也稱片上系統(tǒng)，意指它是一個產(chǎn)品，是一個有專用目標的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部內容。

  • BMS AFE芯片技術的門檻有多高？

    新能源技術在快速發(fā)展，而電池作為能量存儲和轉換的關鍵組件，在電動汽車(EV)、移動設備、儲能系統(tǒng)等多個領域發(fā)揮著至關重要的作用。

  • 量子計算控制板設計：超導芯片互連的低溫變形補償與微波串擾抑制

    量子計算作為未來計算技術的關鍵發(fā)展方向，具有巨大的潛力。超導量子芯片是量子計算的核心硬件之一，而量子計算控制板則是實現(xiàn)超導量子芯片精準操控的關鍵。在超低溫環(huán)境下，超導芯片與控制板之間的互連面臨著低溫變形和微波串擾兩大挑戰(zhàn)。低溫變形可能導致互連結構的物理特性發(fā)生變化，影響信號傳輸質量；微波串擾則會干擾量子比特的精確控制，降低量子計算的準確性。因此，研究超導芯片互連的低溫變形補償與微波串擾抑制技術對于量子計算控制板的設計至關重要。

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