日前,本報記者獲悉,三星電子近期加快了產品技術研發(fā)步伐,先是在行業(yè)首次研發(fā)出了30納米級(1納米為10億分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移動DRAM技術,接著是開發(fā)出基于20納米級(一納米為10億分之一米)64GbNAND Flash平臺的64GB(gigabyte)高性能內存存儲卡(eMMC:embedded Multi Media Card),產品更新?lián)Q代速度在行業(yè)中首屈一指, 這意味著三星電子在搶占移動終端市場方面將進一步有所突破。

　　開發(fā)新一代LPDDR3移動DRAM技術

　　關于新一代LPDDR3移動DRAM技術,三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM之后，不到九個月又成功開發(fā)出使用30納米級工藝的4Gb LPDDR3移動DRAM技術的新一代產品。據(jù)悉,三星電子計劃將從今年第四季度開始，為移動終端生產企業(yè)提供新一代LPDDR3移動DRAM樣品，并從明年開始,將新產品用于智能手機和平板電腦等各種高性能移動終端器上。

　　根據(jù)記者的了解, 4Gb LPDDR3的啟動速度比現(xiàn)有的4Gb LPDDR2(800Mbps)快1.5倍, 數(shù)據(jù)傳輸量最高能夠提高到12.8GB/每秒。業(yè)內人士分析,隨著數(shù)據(jù)傳送速度的加快, 高性能移動終端器的最高存儲容量也從2段積層4Gb LPDDR2的1GB(8Gb)擴大到4段積層4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，市場上大容量存儲器產品比重隨之有望快速增加。

　　三星電子存儲事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部洪完勛副社長表示，“繼今年3月在電子行業(yè)首次對30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM投入量產之后，這次新開發(fā)出的新一代LPDDR3移動DRAM給客戶提供了行業(yè)最高水平的綠色存儲器”，洪完勛副社長同時表示, “為了能夠讓我們的企業(yè)客戶及時推出高性能新產品，今后，三星電子將切實加強技術合作，持續(xù)擴大新一代移動存儲器市場”。

　　根據(jù)市場調查機構的報告資料，預計從2013年開始,LPDDR3移動DRAM市場趨于白熱化。出乎意料的是,三星電子從2012年開始提前一年就對4Gb LPDDR3產品投入量產，從而將促使 Premium Mobile DRAM市場以更快的速度成長發(fā)展。

　　(三星綠色存儲網站： www.samsung.com/GreenMemory )

　　開發(fā)全球最快速度的內存存儲卡

　　此外,三星推出的64GB 內存存儲卡(eMMC)是目前速度最快的常用內存存儲卡,此產品也是針對移動終端市場而研發(fā)。記者了解到,該產品厚度僅為1.4mm、重量0.6g，卻能存16000多首MP3歌曲。因此有業(yè)內專家表示,基于此優(yōu)勢,該產品在智能手機、平板電腦等高性能移動終端器上的使用頻率將會日趨增多。

　　據(jù)了解,三星電子此次開發(fā)的20納米級64GB eMMC產品，是一個符合最高性能高端移動終端器的“超高速”解決方案,在隨機讀取速度上實現(xiàn)了400 IOPS(Input/Output per Second) 的最快速度，比起原有的30納米級64GB eMMC產品的100IOPS速度快四倍。同時，在連續(xù)讀取速度和寫入速度上實現(xiàn)了80MB/s、40MB/s,比原有的高性能外存存儲器卡(24MB /s、12MB/s)快三倍,從而提高了產品的競爭力。

　　資料顯示,自從2010年1月開始，三星電子在行業(yè)首次量產的30納米級64GB eMMC在開拓高容量內存存儲卡市場之后，又在去年下半年量產了20納米級64GB eMMC,三星電子計劃在今年內將高性能20納米級64GB eMMC量產生產率提高到60%左右，采取進一步強化高端產品陣容的戰(zhàn)略。

　　三星電子存儲事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部金明鎬常務稱：“今年在業(yè)界量產的高性能20納米級64GB eMMC，進一步擴大了高端內存存儲卡市場，三星電子今后也將適時量產出符合移動終端器企業(yè)要求的新一代高端eMMC產品，在移動存儲(storage) 市場上繼續(xù)加強競爭優(yōu)勢。”

　　三星電子計劃在2012年使用JEDEC eMMC 4.5標準，量產比20納米級64GB eMMC產品性能提高兩倍的大容量存儲器，創(chuàng)建一個最高性能的高端內存存儲卡市場，擴展NAND Flash市場范圍。