日前,本報(bào)記者獲悉,三星電子近期加快了產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)步伐,先是在行業(yè)首次研發(fā)出了30納米級(jí)(1納米為10億分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移動(dòng)DRAM技術(shù),接著是開(kāi)發(fā)出基于20納米級(jí)(一納米為10億分之一米)64GbNAND Flash平臺(tái)的64GB(gigabyte)高性能內(nèi)存存儲(chǔ)卡(eMMC:embedded Multi Media Card),產(chǎn)品更新?lián)Q代速度在行業(yè)中首屈一指, 這意味著三星電子在搶占移動(dòng)終端市場(chǎng)方面將進(jìn)一步有所突破。

　　開(kāi)發(fā)新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)

　　關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開(kāi)發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后，不到九個(gè)月又成功開(kāi)發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)品。據(jù)悉,三星電子計(jì)劃將從今年第四季度開(kāi)始，為移動(dòng)終端生產(chǎn)企業(yè)提供新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM樣品，并從明年開(kāi)始,將新產(chǎn)品用于智能手機(jī)和平板電腦等各種高性能移動(dòng)終端器上。

　　根據(jù)記者的了解, 4Gb LPDDR3的啟動(dòng)速度比現(xiàn)有的4Gb LPDDR2(800Mbps)快1.5倍, 數(shù)據(jù)傳輸量最高能夠提高到12.8GB/每秒。業(yè)內(nèi)人士分析,隨著數(shù)據(jù)傳送速度的加快, 高性能移動(dòng)終端器的最高存儲(chǔ)容量也從2段積層4Gb LPDDR2的1GB(8Gb)擴(kuò)大到4段積層4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，市場(chǎng)上大容量存儲(chǔ)器產(chǎn)品比重隨之有望快速增加。

　　三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)部洪完勛副社長(zhǎng)表示，“繼今年3月在電子行業(yè)首次對(duì)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM投入量產(chǎn)之后，這次新開(kāi)發(fā)出的新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM給客戶(hù)提供了行業(yè)最高水平的綠色存儲(chǔ)器”，洪完勛副社長(zhǎng)同時(shí)表示, “為了能夠讓我們的企業(yè)客戶(hù)及時(shí)推出高性能新產(chǎn)品，今后，三星電子將切實(shí)加強(qiáng)技術(shù)合作，持續(xù)擴(kuò)大新一代移動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)”。

　　根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)的報(bào)告資料，預(yù)計(jì)從2013年開(kāi)始,LPDDR3移動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于白熱化。出乎意料的是,三星電子從2012年開(kāi)始提前一年就對(duì)4Gb LPDDR3產(chǎn)品投入量產(chǎn)，從而將促使 Premium Mobile DRAM市場(chǎng)以更快的速度成長(zhǎng)發(fā)展。

　　(三星綠色存儲(chǔ)網(wǎng)站： www.samsung.com/GreenMemory )

　　開(kāi)發(fā)全球最快速度的內(nèi)存存儲(chǔ)卡

　　此外,三星推出的64GB 內(nèi)存存儲(chǔ)卡(eMMC)是目前速度最快的常用內(nèi)存存儲(chǔ)卡,此產(chǎn)品也是針對(duì)移動(dòng)終端市場(chǎng)而研發(fā)。記者了解到,該產(chǎn)品厚度僅為1.4mm、重量0.6g，卻能存16000多首MP3歌曲。因此有業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示,基于此優(yōu)勢(shì),該產(chǎn)品在智能手機(jī)、平板電腦等高性能移動(dòng)終端器上的使用頻率將會(huì)日趨增多。

　　據(jù)了解,三星電子此次開(kāi)發(fā)的20納米級(jí)64GB eMMC產(chǎn)品，是一個(gè)符合最高性能高端移動(dòng)終端器的“超高速”解決方案,在隨機(jī)讀取速度上實(shí)現(xiàn)了400 IOPS(Input/Output per Second) 的最快速度，比起原有的30納米級(jí)64GB eMMC產(chǎn)品的100IOPS速度快四倍。同時(shí)，在連續(xù)讀取速度和寫(xiě)入速度上實(shí)現(xiàn)了80MB/s、40MB/s,比原有的高性能外存存儲(chǔ)器卡(24MB /s、12MB/s)快三倍,從而提高了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

　　資料顯示,自從2010年1月開(kāi)始，三星電子在行業(yè)首次量產(chǎn)的30納米級(jí)64GB eMMC在開(kāi)拓高容量?jī)?nèi)存存儲(chǔ)卡市場(chǎng)之后，又在去年下半年量產(chǎn)了20納米級(jí)64GB eMMC,三星電子計(jì)劃在今年內(nèi)將高性能20納米級(jí)64GB eMMC量產(chǎn)生產(chǎn)率提高到60%左右，采取進(jìn)一步強(qiáng)化高端產(chǎn)品陣容的戰(zhàn)略。

　　三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)部金明鎬常務(wù)稱(chēng)：“今年在業(yè)界量產(chǎn)的高性能20納米級(jí)64GB eMMC，進(jìn)一步擴(kuò)大了高端內(nèi)存存儲(chǔ)卡市場(chǎng)，三星電子今后也將適時(shí)量產(chǎn)出符合移動(dòng)終端器企業(yè)要求的新一代高端eMMC產(chǎn)品，在移動(dòng)存儲(chǔ)(storage) 市場(chǎng)上繼續(xù)加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”

　　三星電子計(jì)劃在2012年使用JEDEC eMMC 4.5標(biāo)準(zhǔn)，量產(chǎn)比20納米級(jí)64GB eMMC產(chǎn)品性能提高兩倍的大容量存儲(chǔ)器，創(chuàng)建一個(gè)最高性能的高端內(nèi)存存儲(chǔ)卡市場(chǎng)，擴(kuò)展NAND Flash市場(chǎng)范圍。