多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數(shù)字還將不斷上升。

目前，每輛豪華車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內(nèi)部半導(dǎo)體元件的總價值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復(fù)雜而詳盡的指令代碼。

盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式閃存技術(shù)仍有一些錯誤的觀念，這正是我想要努力澄清的。

嵌入式閃存解決方案可以節(jié)省時間和金錢

大多數(shù)時候都是一分價錢一分貨。從表面上來看，與基于電荷陷阱的解決方案(如SONOS)相比，多晶硅浮柵嵌入式閃存解決方案似乎更為昂貴，這是因為與基于電荷陷阱的嵌入式非易失性存儲器解決方案相比，多晶硅浮柵嵌入式閃存通常需要更多的屏蔽步驟。

然而，芯片設(shè)計人員應(yīng)該仔細(xì)考慮非易失性解決方案的總成本，包括潛在的產(chǎn)量損失、由于現(xiàn)場返貨造成的損耗、長期數(shù)據(jù)保留、包括ECC和所需冗余電路在內(nèi)的總芯片尺寸以及生產(chǎn)時間。

此外，基于電荷陷阱的解決方案不適用于高溫和高耐用性應(yīng)用，因此如果非易失性存儲器平臺需要滿足一系列低端和高端應(yīng)用的需求，則更需要可滿足所有應(yīng)用需求的非易失性存儲器解決方案，這些應(yīng)用對電壓、工作溫度，數(shù)據(jù)保留和耐用性的要求有所不同。為一個技術(shù)節(jié)點應(yīng)用多個非易失性平臺比應(yīng)用可靠的基于多晶硅浮柵的非易失性存儲器解決方案要貴得多。

差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存

多年來，大多數(shù)IDM都在為需要嵌入式閃存的應(yīng)用使用類似的1T多晶硅浮柵堆疊解決方案。在過去二十年間，創(chuàng)新型分離柵極SuperFlash®技術(shù)憑借其差異化且高效的多晶硅間擦除和源極注入編程存儲單元，不斷推動行業(yè)向前發(fā)展。

圖1第1代嵌入式SuperFlash(ESF1)

這里來插播一下閃存最最基本的位單元存儲結(jié)構(gòu)和工作原理，請看下面三圖。

嵌入式閃存的低工作電壓特性使其非常適用于IoT應(yīng)用

IoT應(yīng)用需要低電壓讀/寫操作。即使編程/擦除操作需要高電壓，該過程對用戶來說也是透明的，這是因為閃存宏從用戶接收內(nèi)核/IO電壓并使用內(nèi)部電荷泵將其升高到編程和擦除操作所需的高電壓。因此，可以立即將嵌入式閃存用于低功耗IoT應(yīng)用。

嵌入式閃存支持EEPROM功能

圖2 第3代嵌入式SuperFlash(ESF3)

嵌入式閃存是可以擴展的

十年以前，紛紛流傳嵌入式閃存無法突破90nm以下節(jié)點，理由是存儲單元擴展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)?？扇缃袂度胧介W存已發(fā)展到28nm級，因此證明上述看法是錯誤的。

現(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入FinFet工藝時代。不過，諸如Samsung和GLOBALFOUNDRIES等代工廠正專注于平面22 nm技術(shù)節(jié)點(甚至更小)的FDSOI技術(shù)，可能會使嵌入式閃存的使用壽命比28nm節(jié)點更長。

對于指令代碼應(yīng)用，不可以用OTP代替嵌入式閃存

一些集成電路需要使用片上指令代碼進行一次性編程，該編程可以在使用現(xiàn)場進行，也可以在交付客戶之前在晶圓級測試或封裝完成后在最終測試時完成。雖然OTP解決方案似乎足以符合非易失性存儲器的一次性編程要求，但實際操作時它存在一些嚴(yán)重的用戶體驗和可靠性問題。

嵌入式閃存是可擴展的，并且可用于眾代工廠的先進技術(shù)節(jié)點

圖3 技術(shù)節(jié)點和相關(guān)代工廠

所有無晶圓廠的IDM和許多只有小規(guī)模晶圓廠的IDM都在與純代工廠進行合作。不過，IDM都有自己的制造設(shè)備，可以根據(jù)產(chǎn)品集和可用技術(shù)，選擇自己生產(chǎn)或外包給純代工廠。許多一流IDM選擇了在其自己的代工廠部署SST的嵌入式閃存技術(shù)，目的是為了能夠定制一系列技術(shù)節(jié)點的差異化產(chǎn)品。