ZDNet China3月11日?qǐng)?bào)道：高通今日宣布，2004年將采用臺(tái)積電90納米低介電系數(shù)系統(tǒng)單芯片技術(shù)，生產(chǎn)其低功率第三代CDMA手機(jī)芯片組，之前高通公司幾乎都集中委托IBM代工。

　　除高通外，NVIDIA與ATi均已采用臺(tái)積電0.11微米工藝量產(chǎn)繪圖處理器，估計(jì)2004年下半年都將轉(zhuǎn)進(jìn)90納米。另外，威盛電子下半年也會(huì)啟用臺(tái)積電90納米工藝。臺(tái)積電表示，該公司提供客戶多樣的Nexsys90納米邏輯工藝技術(shù)，包括泛用型(G)、低功耗(LP)及高速(HS)工藝技術(shù)。目前臺(tái)積電的晶圓12廠已使用90納米工藝技術(shù)為客戶進(jìn)行生產(chǎn)。未來(lái)晶圓14廠（12寸廠）量產(chǎn)時(shí)，也將導(dǎo)入90納米。（熙平）