ARM公司今天宣布，通用平臺技術(shù)業(yè)務(wù)合作伙伴IBM、特許半導(dǎo)體和三星電子獲得ARM® Artisan®物理IP系列中的Metro ™低功耗與Advantage™高性能產(chǎn)品的授權(quán)，用于該技術(shù)聯(lián)盟在45納米低功耗工藝技術(shù)領(lǐng)域的合作。這一ARM庫授權(quán)協(xié)議擴(kuò)展了四家公司的合作關(guān)系，共同保障代工廠客戶片上系統(tǒng)（SoC）的設(shè)計兼容性及制造靈活性。ARM此前曾宣布與IBM、特許半導(dǎo)體及三星簽訂65納米及以下工藝的授權(quán)協(xié)議，并與IBM和特許半導(dǎo)體簽訂了90納米授權(quán)協(xié)議，迄今都已交付了相關(guān)產(chǎn)品。此外，IBM、特許半導(dǎo)體和三星還是ARM Connected Community的成員。   

    ARM Advantage和Metro產(chǎn)品包括ARM標(biāo)準(zhǔn)單元以及輸入/輸入口（I/O）和存儲器，均支持IBM、特許半導(dǎo)體和三星的45nm低功耗通用平臺工藝，并針對消費、通信和網(wǎng)絡(luò)市場眾多應(yīng)用的低功耗、高性能設(shè)計進(jìn)行了優(yōu)化。此外，通過45納米工藝對產(chǎn)品進(jìn)行了完善，以滿足客戶不斷變幻的需求，應(yīng)對不斷涌現(xiàn)的制造挑戰(zhàn)。對產(chǎn)品所作的改進(jìn)包括： 功率門控和電路部署，可在運行時在所有的存儲器內(nèi)實現(xiàn)對性能和泄漏功率的控制；對ARM標(biāo)準(zhǔn)單元功耗管理套件的設(shè)計技術(shù)所作的完善，可簡化在SoC中運用先進(jìn)的減耗技術(shù)；可編程I/O架構(gòu)和設(shè)計技術(shù)，可迅速對I/O環(huán)進(jìn)行動態(tài)重置，以滿足不斷變化的系統(tǒng)要求，實現(xiàn)在多個系統(tǒng)中重復(fù)使用相同的SoC。   

    IBM科技協(xié)作解決方案部半導(dǎo)體技術(shù)平臺副總裁Steve Longoria表示：“隨著業(yè)界朝著更先進(jìn)的技術(shù)演進(jìn)，優(yōu)化的庫成為半導(dǎo)體開發(fā)和制造工藝所要求的構(gòu)建模塊之一?；谖覀兣cARM在65納米領(lǐng)域的成功合作，我們再次為我們的45納米通用平臺技術(shù)選擇業(yè)界領(lǐng)先的物理IP供應(yīng)商ARM。有了ARM優(yōu)化并業(yè)已驗證的庫這樣一個基礎(chǔ)，我們的客戶及其客戶就能夠獲通過在芯片中加入其自身的IP而獲益于下一代的技術(shù)，并有充分的信心相信通用平臺合作伙伴和ARM已經(jīng)為他們的設(shè)計構(gòu)建了堅實的基礎(chǔ)。”

    特許半導(dǎo)體全球市場及平臺聯(lián)盟副總裁Kevin Meyer表示：“通用平臺模式是以客戶的需求以及滿足他們在整個供應(yīng)基地靈活利用IP投資的需求為中心的。通過與ARM合作以支持多工廠的物理 IP，我們可以加快提供基于業(yè)界最先進(jìn)的45納米低功耗技術(shù)工藝的完全優(yōu)化的、低功耗、高性能的解決方案。通用平臺合作伙伴與ARM之間的這種以客戶為中心的合作，為客戶可以從開放的生態(tài)系統(tǒng)合作所能獲得的價值樹立了典型?！?

    三星半導(dǎo)體技術(shù)副總裁Ana Hunter表示：“成功的庫供應(yīng)商對通用平臺的成功而言至關(guān)重要。與ARM的合作整合了我們四家公司的專長，為客戶提供最具競爭優(yōu)勢的標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲編譯器和I/O，并可整合DFM、功耗管理和設(shè)計流程集成領(lǐng)域的最新成果。我們期待著與ARM建立強(qiáng)有力的長期合作關(guān)系?！?

    ARM首席執(zhí)行官Warren East表示：“將 ARM與通用平臺的關(guān)系擴(kuò)展至45納米技術(shù)，幫助SoC設(shè)計師實現(xiàn)了工藝性能與功耗優(yōu)化方面跨時代的跳躍，同時門控密度可達(dá)65納米工藝的兩倍。我們與通用平臺伙伴的合作模式可實現(xiàn)物理IP與工藝技術(shù)和設(shè)計方法的同步優(yōu)化，從而為客戶帶來卓越的解決方案。”

    所有的ARM物理IP均支持多種電壓下的計時和功率，可幫助客戶對多電壓設(shè)計進(jìn)行精確的流片前（pre-tapeout）仿真。此外，ARM Advantage和Metro套件產(chǎn)品提供可與存儲器和標(biāo)準(zhǔn)單元模塊共同使用的電壓級相移和功率門控單元等庫組件，以支持先進(jìn)的功耗管理方式。

    ARM Advantage和Metro產(chǎn)品符合ARM設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，包括ARM廣泛的view和模型，它們可實現(xiàn)與業(yè)界許多領(lǐng)先的EDA工具的集成。這些view可在多種操作條件下為Advantage和Metro產(chǎn)品提供功能、計時和功耗信息，幫助設(shè)計師在他們的SoC中實現(xiàn)復(fù)雜的功耗管理系統(tǒng)，從而主動控制其SoC中的動態(tài)和泄漏功耗。

    用于IBM、特許半導(dǎo)體和三星45納米低功耗通用平臺技術(shù)的ARM Advantage和Metro標(biāo)準(zhǔn)單元和I/O庫及存儲編譯器的初級版本預(yù)計將于今年第四季度上市，屆時授權(quán)客戶可從ARM網(wǎng)站http://www.arm.com免費下載。最終版本將于明年第二季度問世。