11月23日消息 以色列存儲芯片開發(fā)商賽凡半導(dǎo)體（Saifun Semiconductors）與中國領(lǐng)先半導(dǎo)體制造廠商中芯國際周三聯(lián)合宣布，雙方將合作生產(chǎn)一種性價比更高的8Gb閃存芯片。

　　據(jù)路透財經(jīng)報道，兩家公司稱，這款獨特的新產(chǎn)品將于2008年推出，它將采用中芯國際先進(jìn)的制造工藝和賽凡的Quad NROM技術(shù)。

　　賽凡董事長見首席執(zhí)行官波阿斯·埃特恩（Boaz Eitan）說：“我們相信中芯國際的創(chuàng)新技術(shù)及專業(yè)特長與賽凡獨特的NROM技術(shù)相結(jié)合，將推動我們兩家公司均成為利潤豐厚的數(shù)據(jù)市場的重要廠商?！辟惙驳腝uad NROM技術(shù)可以在一個存儲單元里存放4比特信息，與當(dāng)前的閃存技術(shù)相比，信息量提高了一倍。而且Quad NROM較簡單的架構(gòu)可以減少制造環(huán)節(jié)，因而可以降低生產(chǎn)成本。

　　中芯國際現(xiàn)在已使用賽凡的每單元兩比特技術(shù)制造出了它的2Gb NAND芯片的首個工程樣品，預(yù)計該產(chǎn)品將在今年年底前將投入批量生產(chǎn)。