日前，英特爾公司宣布，從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產品系列開始，英特爾下一代的處理器將實現(xiàn)百分之百的無鉛化。英特爾45納米高-k產品系列包括下一代英特爾reg;酷睿™2雙核、英特爾reg;酷睿™2四核以及英特爾reg;至強reg;處理器。采用最新45納米高-k技術的處理器將于2007年下半年開始投產。 

　　英特爾公司技術與制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試技術發(fā)展總監(jiān)Nasser Grayeli指出：“從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產品的能效，到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環(huán)利用，英特爾正積極地朝著環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的目標邁進。” 

　　鉛被廣泛的使用在多種微電子產品的封裝（package）中，包括象連接英特爾芯片到封裝的凸焊點（bump）中都在使用鉛。封裝的作用是將硅芯片包裝起來，使封裝好的硅芯片可以最終連接到主板上。面向移動計算、臺式機和服務器等特定細分市場的處理器會采用不同類型的封裝。封裝設計類型包括針腳矩陣（pin grid array）、球狀矩陣（ball grid array）和板狀矩陣（land grid array）等，而在英特爾下一代45納米高-k技術中，這些封裝都會實現(xiàn)百分之百無鉛化。2008年，英特爾還將實現(xiàn)65納米芯片組產品的百分之百無鉛化。 

　　英特爾的45納米處理器不僅無鉛，而且還會利用英特爾的高-k硅技術降低晶體管的漏電，使處理器的能效和性能都得到極大提升。英特爾公司的45納米高-k硅技術還包括了第三代應變硅技術以改進驅動電流，同時利用低-k電介質降低互連電容，從而在提高性能的同時降低功率。最終，英特爾45納米高-k處理器系列將能使臺式機、筆記本電腦、移動互聯(lián)網設備以及服務器設計變得更輕巧時尚，體積更小，能效更高。 

　　因其特別的電子特性和機械特性，鉛在電子產品中已經使用了數(shù)十年之久。尋找能夠滿足性能和可靠性要求的替代材料，是一項巨大的科學和技術挑戰(zhàn)。 

　　由于鉛對環(huán)境和公共健康存在著潛在的影響，作為其支持可持續(xù)發(fā)展的長期承諾的一部分，英特爾與其供應商以及半導體和電子行業(yè)的其他公司一起，多年來一直致力于開發(fā)無鉛產品的方案。2002年，英特爾生產出了第一個無鉛閃存產品。從2004年開始，英特爾向市場提供的微處理器和芯片組封裝產品的鉛含量較以往產品低95%。 

　　剩余的5%的鉛（大約0.2克）當時存在于第一層連接的鉛焊料之中，這些焊料起著連接硅芯片（silicon die）到封裝底層的作用。為了替換掉最后的這些鉛，英特爾將使用一種錫/銀/銅的合金來替換掉原來的錫/鉛焊料，這種新材料就是英特爾的“秘密配方”。由于英特爾先進硅技術的復雜連接構造，要剔除掉英特爾處理器封裝中殘余的這點鉛，引入全新的焊料合金系統(tǒng)，需要做大量的工程性工作。 

　　英特爾的工程師們開發(fā)了一種使用新合金的封裝生產工藝，能夠保證在使用新的合金的情況下，英特爾組件仍發(fā)揮應有的高性能、高質量和高可靠性。