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[導(dǎo)讀]繼紫光集團董事長趙偉國因工作繁忙將辭去公司董事長職位后,紫光集團又添新動作。4月11日,紫光集團旗下武漢長江存儲基地裝機move in正式啟動。據(jù)悉,完成裝機后,長江存儲將實現(xiàn)32層存儲器小規(guī)模量產(chǎn)。

繼紫光集團董事長趙偉國因工作繁忙將辭去公司董事長職位后,紫光集團又添新動作。

4月11日,紫光集團旗下武漢長江存儲基地裝機move in正式啟動。據(jù)悉,完成裝機后,長江存儲將實現(xiàn)32層存儲器小規(guī)模量產(chǎn)。

據(jù)悉,長江存儲首批400萬美元的精密儀器已于4月5日抵達武漢。根據(jù)此前的資料顯示,作為國家級存儲項目基地,長江存儲總投資金額達240億美元,目前四大股東分別為湖北紫光國器(51.0363%)、國家大基金(24.0933%)、湖北省科投(12.9861%)、以及湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金(11.8843%)。

2016年12月,以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè),其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,核心廠區(qū)占地面積約1717畝,預(yù)計項目建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

經(jīng)過一年多的布局,目前,長江存儲已經(jīng)在武漢、北京、上海、臺北、東京、硅谷均設(shè)有研發(fā)基地。

長江存儲以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式,已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片,填補了國內(nèi)空白,長江存儲的目標(biāo)是成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。

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