近日，全球第二大晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布，采用12nm FinFET工藝，成功流片了基于ARM架構(gòu)的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領(lǐng)域，將與英特爾、臺積電等公司一道競爭異構(gòu)計算時代的技術(shù)主動權(quán)。

放棄7nm 格芯轉(zhuǎn)攻3D封裝

據(jù)報道，格芯攜手ARM公司驗證了3D設(shè)計測試(DFT)方法，可以在芯片上集成多種節(jié)點技術(shù)，優(yōu)化邏輯電路、內(nèi)存帶寬和射頻性能，可向用戶提供更多差異化的解決方案。格芯平臺首席技術(shù)專家John Pellerin表示：“在大數(shù)據(jù)與認(rèn)知計算時代，先進封裝的作用遠甚以往。AI的使用與高吞吐量節(jié)能互連的需求，正通過先進封裝技術(shù)推動加速器的增長。”

隨著運算的復(fù)雜化，異構(gòu)計算大行其道，更多不同類型的芯片需要被集成在一起，而依靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時滿足性能、功耗、面積以及信號傳輸速度等多方面的要求。在此情況下，越來越多的半導(dǎo)體廠商開始把注意力放在系統(tǒng)集成層面，通過封裝技術(shù)尋求解決方案。這使得3D封裝成為當(dāng)前國際上幾大主流半導(dǎo)體晶圓制造廠商重點發(fā)展的技術(shù)。

雖然格芯在去年宣布放棄繼續(xù)在7nm以及更加先進的制造工藝方向的研發(fā)，但這并不意味著其在新技術(shù)上再也無所作為。此次在3D封裝技術(shù)上的發(fā)力，正是格芯在大趨勢下所做出的努力，其新開發(fā)的3D封裝解決方案不僅可為IC設(shè)計公司提供異構(gòu)邏輯和邏輯/內(nèi)存集成途徑，還可以優(yōu)化生產(chǎn)節(jié)點制造，從而實現(xiàn)更低延遲、更高帶寬和更小特征尺寸。

3D封裝成半導(dǎo)體巨頭發(fā)展重點

同為半導(dǎo)體巨頭的英特爾、臺積電在3D封裝上投入更早，投入的精力也更大。去年年底，英特爾在其“架構(gòu)日”上首次推出全球第一款3D封裝技術(shù)Foveros，在此后不久召開的CES2019大展上展出了采用Foveros技術(shù)封裝而成的Lakefield芯片。

根據(jù)英特爾的介紹，該項技術(shù)的最大特點是可以在邏輯芯片上垂直堆疊另外一顆邏輯芯片，實現(xiàn)了真正意義上的3D堆疊。

而在此前召開的SEMICON West大會上，英特爾再次推出了一項新的封裝技術(shù)Co-EMIB。這是一個將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用。它能夠讓兩個或多個Foveros元件互連，并且基本達到單芯片的性能水準(zhǔn)。設(shè)計人員也能夠利用Co-EMIB技術(shù)實現(xiàn)高帶寬和低功耗的連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

臺積電在3D封裝上的投入也很早。業(yè)界有一種說法，正是因為臺積電對先進封裝技術(shù)的重視，才使其在與三星的競爭中占得優(yōu)勢，獲得了蘋果的訂單。無論這個說法是否為真，封裝技術(shù)在臺積電技術(shù)版圖中的重要性已越來越突出。

在2019中國技術(shù)論壇(TSMC2019 Technology Symposium)上，臺積電集中展示了從CoWoS、InFO的2.5D封裝到SoIC的3D封裝技術(shù)。CoWoS和InFO采用硅中介層把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進行互連，從而實現(xiàn)亞3D級別的芯片堆疊效果。

SoIC則是臺積電主推的3D封裝技術(shù)，它通過晶圓對晶圓(Wafer-on-wafer)的鍵合方式，可以將不同尺寸、制程技術(shù)及材料的小芯片堆疊在一起。相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。

對此，半導(dǎo)體專家莫大康表示，半導(dǎo)體廠商希望基于封裝技術(shù)(而非前道制造工藝)，將不同類型的芯片和小芯片集成在一起，從而接近甚至是達到系統(tǒng)級單芯片(SoC)的性能。這在異構(gòu)計算時代，面對多種不同類型的芯片集成需求，是一種非常有效的解決方案。

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