近日， 北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購(gòu)訂單，訂單包括了ELEDE330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、EPEE550PECVD在內(nèi)的數(shù)十臺(tái)設(shè)備。本次需求源自蘇州一家化合物半導(dǎo)體公司擴(kuò)產(chǎn)5G基站用氮化鎵功放芯片項(xiàng)目，作為中國(guó)高性能氮化鎵芯片IDM領(lǐng)先企業(yè)，該項(xiàng)目將為我國(guó)5G通訊基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供保障。此次是北方華創(chuàng)微電子在寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破，具有里程碑意義。

北方華創(chuàng)微電子ELEDE330SG刻蝕機(jī)是寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,應(yīng)用于正面工藝中的臺(tái)面刻蝕，SiNx柵槽刻蝕，GaN、SiNx極慢速低損傷刻蝕。產(chǎn)品結(jié)合獨(dú)特的離子源設(shè)計(jì)、高精度低輸出的下電極和多片大產(chǎn)能的托盤設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)精確的刻蝕速率控制和良好的工藝均勻性控制，滿足不同制程的工藝要求，多項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)領(lǐng)先行業(yè)水平，成為了行業(yè)標(biāo)桿產(chǎn)品，是客戶擴(kuò)產(chǎn)的首選設(shè)備。

SW GDE C200系列單片刻蝕機(jī)，可實(shí)現(xiàn)SiC深孔的高速、均勻刻蝕，具備高M(jìn)TBC的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)獨(dú)特的工藝調(diào)節(jié)可實(shí)現(xiàn)圓滑的刻蝕形貌控制，目前該設(shè)備已通過(guò)客戶技術(shù)驗(yàn)證，獲得市場(chǎng)高度認(rèn)可，在中國(guó)寬禁帶化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)首席之位。同時(shí)，SW GDE C200系列刻蝕機(jī)也是SiC MOSFET柵槽刻蝕和SiC二極管小角度臺(tái)面刻蝕的完美解決方案，除了SiC材料，該設(shè)備還可應(yīng)用于SiO2、SiN材料的刻蝕，其靈活的配置可滿足研發(fā)/中試線/量產(chǎn)的要求。

EPEE550PECVD可用于寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件鈍化層、結(jié)構(gòu)層、犧牲層等應(yīng)用，采用自主開(kāi)發(fā)的高溫混頻技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)高致密性、低應(yīng)力、高均勻性的薄膜沉積，助力客戶提高產(chǎn)品性能。截至目前，該設(shè)備國(guó)內(nèi)銷量已超過(guò)百臺(tái)。

此外，在寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，北方華創(chuàng)微電子還可以提供SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備、高溫氧化爐、清洗機(jī)等多種關(guān)鍵工藝裝備。

5G商用時(shí)間表正在加速推進(jìn)中，作為5G不可替代的核心技術(shù)，具有高頻率、高功率特性的GaN寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。北方華創(chuàng)微電子憑借豐富的設(shè)備工藝技術(shù)儲(chǔ)備，為該領(lǐng)域提供了一系列高競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵工藝裝備解決方案。