臺(tái)灣地區(qū)晶圓代工廠茂矽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)產(chǎn)品訂單能見度直達(dá)年底，公司積極布局絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等目前營(yíng)收占比不大、但后市需求看好的業(yè)務(wù)，并持續(xù)拉升高階與較高單價(jià)的產(chǎn)出比重，沖刺業(yè)績(jī)。

茂矽已于去年底將過去介入太陽能業(yè)務(wù)的負(fù)擔(dān)全數(shù)提列減損，今年持續(xù)強(qiáng)化代工事業(yè)與新產(chǎn)品發(fā)展，累計(jì)前八月合并營(yíng)收為12.12億元(新臺(tái)幣，后同)，年增約一成，上半年每股純益為0.99元。

茂矽上半年?duì)I收結(jié)構(gòu)中，MOSFET代工約占47%，二極體占34%左右，下半年起MOSFET占比持續(xù)提高，目前相關(guān)月產(chǎn)能約3萬片，訂單能見度到年底;二極體相關(guān)月產(chǎn)能約2萬多片。

茂矽8月已達(dá)成產(chǎn)出6萬片的目標(biāo)，近日公告將進(jìn)行現(xiàn)增，預(yù)計(jì)將發(fā)行4.2萬張，規(guī)劃于年底前完成。茂矽18日舉行法說會(huì)，董事長(zhǎng)暨總經(jīng)理唐亦仙透露，該現(xiàn)增募集資金主要用于購置IGBT所需相關(guān)設(shè)備，一部分MOSFET產(chǎn)品也可使用。

現(xiàn)階段茂矽IGBT相關(guān)業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)度仍少，但備受期待，已完成650V/1200V產(chǎn)品線開發(fā)，6月開始已送樣給客戶認(rèn)證中。茂矽指出，大部分IGBT廠在600V至1200V的中端電壓范圍內(nèi)，都同時(shí)擁有分立器件與模組解決方案，該公司也會(huì)依市場(chǎng)需求，供應(yīng)晶片并與客戶共同開發(fā)方案。