代工大佬臺積電每年都會為其客戶們舉辦兩次大型活動-春季的技術(shù)研討會和秋季的開放創(chuàng)新平臺(OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇。春季會議主要提供臺積電在以下幾個方面的最新進展：

(先進)硅工藝開發(fā)現(xiàn)狀;

設(shè)計支持和EDA參考流程資格;

(基礎(chǔ)、內(nèi)存和接口)IP可用性;

先進封裝;

制造能力和投資活動。

OIP論壇則簡要介紹自春季技術(shù)研討會以來臺積電在上述主題上的最新情況，并給EDA供應(yīng)商、IP供應(yīng)商和最終客戶提供一個機會，以展示他們分別(以及和臺積電合作)在解決先進工藝節(jié)點需求和挑戰(zhàn)方面的進展。本文總結(jié)了最近在加利福尼亞州圣克拉拉舉行的臺積電第10屆年度OIP論壇的十大亮點。

(10)EDA合作伙伴和IP供應(yīng)商的早期參與模式

臺積電提供了一份極具說服力的圖表，展示了IP供應(yīng)商參與模式近年來的變化，以及由此導(dǎo)致的新客戶流片(NTO)工藝導(dǎo)入的加速。

臺積電北美公司總裁David Keller表示，采用臺積電先進工藝的客戶現(xiàn)在可以在PDK v0.1階段就參與進來，享有“更精細(xì)調(diào)整”和“改進設(shè)計以及優(yōu)化工藝”的機會。

這種方式可以使得客戶在PDK v1.0階段的工藝認(rèn)證時間縮短一半，也更接近工藝節(jié)點進入生產(chǎn)階段的時間表。當(dāng)然它的風(fēng)險在于，早期采用者必須非常擅長進行評估，以及隨著PDK數(shù)據(jù)從v0.1到v1.0的日益成熟而快速更改設(shè)計。盡管有風(fēng)險，客戶依然對臺積電改變其參與模式和進行資源投資以加速發(fā)布高級工藝設(shè)計支持表示了贊賞。

(9)臺積電、EDA供應(yīng)商和云服務(wù)

OIP論壇展示了在支持將設(shè)計流程轉(zhuǎn)換成云計算服務(wù)方面的多項進展，包括最終客戶流片示例、云提供商能力介紹、為云資源提供“店面”的EDA供應(yīng)商(Cadence、Synopsys)。數(shù)據(jù)安全方面顯然取得了重大進展：

臺積電支持與其PDK和IP數(shù)據(jù)相關(guān)的產(chǎn)品的安全性。探討了用于不同EDA流程，采用單線程、多線程和分布式運算場景的服務(wù)器內(nèi)核、內(nèi)存和存儲類型。

當(dāng)然還有其他重點領(lǐng)域：

加速云項目“啟動”任務(wù);

優(yōu)化數(shù)據(jù)通信要求(和相關(guān)帶寬)，以便在客戶的主機環(huán)境和云服務(wù)之間傳輸設(shè)計數(shù)據(jù)和流程結(jié)果;

針對特定EDA流程優(yōu)化分配的云計算/內(nèi)存資源(與吞吐量相比)。

Microsoft Azure小組的演示文稿將這種方式稱為“云原生”和“天生在云”的EDA流程開發(fā)。

在本地部署和云端執(zhí)行之間分配和管理客戶的EDA軟件許可證。

云店面不僅支持在客戶私有云中托管的專用許可證服務(wù)器，也可以通過VPN與本地許可證服務(wù)器通信。

有媒體提出了他們關(guān)注的主要問題：

“云資產(chǎn)保護的保險業(yè)政策尚不清楚。”

“我正在尋求與EDA供應(yīng)商簽訂新的、更靈活的軟件許可證分配業(yè)務(wù)條款。云可以幫助我為尖峰工作負(fù)載快速分配計算服務(wù)器，但我仍需要完整的(昂貴的)EDA許可證。我需要被說服將項目遷移到云計算的投資回報率是巨大的。”

(8)N22ULP / N22ULL

N22是在N28節(jié)點上進行工藝尺寸縮減的“半節(jié)點”。(即N28設(shè)計直接進行光學(xué)布局縮減即可)

所有22ULP的設(shè)計套件和基礎(chǔ)IP都已準(zhǔn)備就緒，2018年第四季度可提供完整的接口IP。22ULP的嵌入式DRAM IP也將于19年6月問世。(請注意，客戶仍然對嵌入式DRAM抱有強烈興趣。)

臺積電正在集中精力開發(fā)用于低漏電應(yīng)用的22ULL工藝，研究重點包括平面器件Vt(Ion與Ioff)選項、低VDD(例如，對于22ULL，標(biāo)稱VDD = 0.6V)時的模型開發(fā)和IP特性?？墒褂迷摴に嚿a(chǎn)低泄漏(EHVT)器件。22ULL目標(biāo)器件包括基于低功耗微控制器的SoC設(shè)計，以及支持藍牙低功耗(BLE)接口的芯片，對IoT邊緣設(shè)備來說這些芯片都很常見。

臺積電將22ULL​​的啟用分成兩個階段進行，現(xiàn)在已經(jīng)推出適用于0.8V/0.9V VDD的v1.0設(shè)計套件，2019年6月將提供0.6VVDD PDK和IP支持。需要注意的是，22ULL​​中的SRAM設(shè)計將采用雙電源供電，內(nèi)部陣列采用0.8V(由位單元VDD_min驅(qū)動)，外圍電路為0.6V。

(7)封裝

臺積電提供的各種封裝技術(shù)依然奪人耳目。從高端客戶需求(比如CoWoS)到低成本集成(比如集成式扇出、或者InFO晶圓級扇出分布)，臺積電實現(xiàn)了各種獨特的封裝技術(shù)覆蓋。簡而言之，在OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇上展示的先進封裝技術(shù)包括：

晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)集成

論壇展示了一個粘合到CMOS硅片上的MEMS傳感器(帶帽)的樣例：

基板上的InFO

InFO和BGA設(shè)計的混合體，其中多個InFO連接到基板載體上;2/2um W/S在硅片之間互聯(lián);40um微凸塊I/O間距。

基板上的InFO和內(nèi)存

和基板上的InFO類似，一個HBM內(nèi)存硅片堆疊到臨近的硅片上。

CoWoS增強

C4凸塊間距和掩模版尺寸(拼接)功能將在2019年實現(xiàn)突破和增強。

集成片上系統(tǒng)(SoIC)

利用硅通孔實現(xiàn)多個硅片的3D垂直堆疊;2019年第一季度在EDA流程中實現(xiàn)設(shè)計支持(例如TSV感知物理設(shè)計、硅片間DRC/LVS、基于3D耦合的提取、完整的SI/PI分析。)。

(6)N7和N7+的狀態(tài)

從N7節(jié)點的生產(chǎn)到N7+(4層EUV)產(chǎn)品的過渡正在有序進行。N7+的所有EDA參考流程已經(jīng)完全驗證通過，并且PDK迭代到了v1.0。所有基礎(chǔ)IP都通過了硅驗證。IP開發(fā)人員的設(shè)計套件已經(jīng)就緒，并且可以接受N7+的新流片。

與N7相比，N7+實現(xiàn)了1.18倍的面積優(yōu)勢，這主要得益于更緊密的金屬間距，以及對單元之間的“通用多器件邊緣”(CPODE)隔離器件的標(biāo)準(zhǔn)單元模板支持。為了有效利用N7+對N7的密度增益，需要重新設(shè)計IP - 臺積電提供布局遷移輔助工具來協(xié)助這種轉(zhuǎn)變。

值得注意的是，單元管腳形狀可以違反最小金屬區(qū)域光刻設(shè)計規(guī)則，管腳單元區(qū)域“修補”涉及的EDA需求可以被整合到物理實現(xiàn)流程中，這需要改變電遷移分析規(guī)則，同時，單元管腳形狀需要和貼片填充的模型一起被提取出來，用于信號的EM分析。